【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器芯片的制备方法及卡齿辅助结构
[0001]本专利技术属于芯片制造领域,尤其涉及一种红外探测器芯片的制备方法及卡齿辅助结构。
技术介绍
[0002]倒装焊(简称倒焊)是一种先进半导体封装工艺技术,该技术在高频率、高速、高I/O端口数集成电路芯片以及在基于异质材料的发光、探测和功率半导体器件领域应用广泛。红外探测器芯片作为红外成像系统的核心器件,通常由硅基读出电路和红外光敏芯片(通常为化合物半导体材料)组成,两部分通过预沉积一一对应的铟焊点,再通过倒焊技术实现对应铟焊点电学互连。成像工作原理为:光敏芯片将被探测场景中不同温度目标发射的红外光通过光电效应转换为电子,读出电路将电子转换为成像系统可用的电压信号并按照设定的时序要求规律输出,用户即可获得目标的红外图像。红外成像系统具有被动探测隐蔽性好、温度分辨率高、不受可见光能见度影响、可24小时全天候监控等突出优点,被广泛应用于告警、制导、测温、工业探伤、夜视安防、资源探测等军民领域各类场景。
[0003]为获得更高清的探测画面和更远的探测距离,国内红外探测器阵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制备红外探测器芯片的卡齿辅助结构,加工于读出电路和光敏芯片,读出电路与光敏芯片倒焊连接,其特征在于,包括:板件、若干凸起单元和若干凹坑单元;若干所述凸起单元与若干凹坑单元均设于所述板件的同一平面上;若干所述凸起单元按序依次排列,相邻两个所述凸起单元之间形成所述凹坑单元;相邻的所述凸起单元与所述凹坑单元相互配合呈齿状排布;读出电路与光敏芯片之间形貌互耦,互耦处为两侧的所述凸起单元与相对应的所述凹坑单元相互匹配耦合连接,实现互耦。2.根据权利要求1所述的用于制备红外探测器芯片的卡齿辅助结构,其特征在于,所述凸起单元和所述凹坑单元由刻蚀工艺得到,且刻蚀角度大于85
°
。3.根据权利要求1所述的用于制备红外探测器芯片的卡齿辅助结构,其特征在于,位于互耦处时,所述凸起单元的凸起高度与所述凹坑单元的凹坑深度的差值为倒焊工艺所需的倒焊后间隙;所述凸起单元的凸起边长与所述凹坑边长的差值为倒焊工艺所需的倒焊后偏移量。4.一种红外探测器芯片的制备方法,应用有如权利要求1至3任意一项所述的用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷华伟,季小好,胡俊杰,马骏,
申请(专利权)人:浙江拓感科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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