【技术实现步骤摘要】
一种简易的半导体表面电化学钝化装置
[0001]本技术涉及半导体表面电化学钝化领域,特别涉及一种简易的半导体表面电化学钝化装置。
技术介绍
[0002]在半导体器件工艺中,随着特征尺寸的缩小,技术水平的提高,元器件的漏电流大小严重影响到产品的质量和使用寿命。传统的降低漏电流的办法是采用物理气相沉积(PVD)方法或化学气相沉积(CVD)方法在材料表面生长一层高质量的绝缘薄膜,通常为SiOx或者SiNx。然而,在某些非Si基材料的器件中,仅仅采用物理钝化法很难使器件漏电流达到要求,此时就需要根据材料的性质,在进行物理钝化之前进行一次电化学钝化,典型的电化学钝化包括硫化和氟化钝化,两者工作原理相似,不同之处为所采取的试剂溶液不同。
[0003]当前半导体材料的表面电化学钝化通常采用垂直式装置。将电极浸入反应溶液后,利用真空吸盘固定材料,保证样品待钝化的表面向下,然后利用微动平台将样品向下移动逐渐靠近平静的溶液表面,直至材料与溶液接触。采用微动平台放样品虽然稳定可靠,然而其不可避免的存在以下问题。
[0004](1) ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种简易的半导体表面电化学钝化装置,其特征在于,包括:壶体、壶嘴、托盘盖、底盘和电源部;所述壶体用于盛放电化学钝化溶液;所述底盘水平固设于所述壶体的内腔内上,所述底盘上均布有若干导线孔;所述托盘盖包括托盘、竖向延伸环和水平延伸环,所述竖向延伸环的一端固设于所述水平延伸环的内环边上,所述竖向延伸环的另一端固连所述托盘,所述托盘表面设有托盘开口,用于承载外部样品;所述托盘盖套设于所述壶体且所述水平延伸环盖设于所述壶体的上端开口,所述竖向延伸环和所述托盘位于所述壶体内;所述壶嘴第一端固设于所述底盘和所述壶体底部之间,且与所述壶体相连通;所述壶嘴第二端向上延伸,且高于所述托盘高度;所述电源部包括电源、第一导线、第一电极、第二导线和第二电极;所述第一电极位于所述底盘上,所述第一导线的一端从所述壶嘴内穿入,通过所述导线孔连接所述第一电极,所述第一导线的另一端连接所述电源;所述第二电极位于外部样品上表面,所述第二导线的一端连接所述第二电极,所述第二导线的...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷华伟,陈意桥,张传杰,孙维国,刘志方,
申请(专利权)人:浙江拓感科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。