本实用新型提供铸造后的冷却效率提高且能稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷却辊，...

本实用新型提供一种提高铸造后的冷却效率且能够稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷...

本实用新型提供一种提高铸造后的冷却效率且能够稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷...

本实用新型提供一种提高铸造后的冷却效率且能够稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷...

本实用新型提供一种提高铸造后的冷却效率且能够稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷...

本实用新型提供一种提高铸造后的冷却效率且能够稳定操作的R-T-B系稀土类合金的制造装置。包括采用速凝铸造法对合金熔液进行铸造的铸造部及将铸造后的铸造合金破碎的破碎部，铸造部具有利用设于内部的水冷机构(5)使合金熔液骤冷来铸造铸造合金的冷...

本实用新型提供一种可以就近设置换热器用连接装置的换热器。蒸发器，具备：具有层叠的第1板和第2板的冷媒流入流出部件和具有两端开口了的冷媒通路的膨胀阀安装部件在冷媒流入流出部件的两个板之间通过使两板向外鼓出而形成流入通路和流出通路。在膨胀阀...

本实用新型提供一种可抑制在冷媒流入流出部件的第1板和第2板与换热器用连接装置的嵌合凸部之间发生钎焊不良的换热器。在冷媒流入流出部件的第1板和第2板之间介置有中间板。在中间板形成有使第1板和第2板的流入通路用向外鼓出部彼此以及第1板和第2...

本发明涉及一种带蓄冷功能的蒸发器(1)，其具备相互隔着间隔配置的多个扁平状冷媒流通管(13)和配置在冷媒流通管(13)的单面侧且钎焊于冷媒流通管(13)并且内部封入有蓄冷材料的扁平状蓄冷材料容器(15)。蓄冷材料容器(15)具备容器本体...

一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O2以...

本实用新型提供冷凝器。在冷凝器(1)的左端部侧设有：第一集液箱(3)，与第二及第三热交换通路(P2、P3)的第一热交换管(2A)连接；第二集液箱(4)，与第一热交换通路(P1)的第二热交换管(2B)连接，并且前者设置在后者的左右方向外侧...

本发明提供冷凝器。在冷凝器(1)的左端部侧设有：第一集液箱(3)，与第二及第三热交换通路(P2、P3)的第一热交换管(2A)连接；第二集液箱(4)，与第一热交换通路(P1)的第二热交换管(2B)连接，并且前者设置在后者的左右方向外侧且沿...

本实用新型提供冷凝器。在冷凝器(1)的左端部侧分体设有：第一集液箱(3)，连接第二及第三热交换通路(P2、P3)的第一热交换管(2A)；第二集液箱(4)，连接第一热交换通路(P1)的第二热交换管(2B)，第一集液箱(3)位于第二集液箱(...

一种光敏组合物去除剂，用于除去未固化光敏组合物，该去除剂含有1到80质量％的至少一种分子中有9个或更多个碳原子的芳香烃。所述光敏组合物去除剂还含有无质子极性溶剂以及非无质子极性溶剂的其他溶剂。所述光敏组合物去除剂对于除去沉积在基质周围、...

本实用新型提供冷凝器。在冷凝器(1)的一端部侧设置有：第一集液箱(3)，其与第三及第四热交换通路(P3、P4)的第一热交换管(2A)连接；第二集液箱(4)，其与第一及第二热交换通路(P1、P2)的第二热交换管(2B)连接，使前者的上端与...

作为对晶片等的集成电路形成有用的具有成膜性的紫外线固化型粘合剂，提供紫外线固化型再剥离性粘合剂，其对于切割带有用的固化前后粘合膜的强度减低量在优选的范围内，保持力高，可提供在剥离固化膜时晶片表面无粘合剂残留的固化膜。本发明涉及紫外线固化...

本发明涉及一种导光部件，其发光装置为发光二极管，该导光部件设置在安装有发光装置的发光装置安装基板的上表面上并用于漫射和向上引导从发光装置发射的光，包括：在导光部件的底面上的不在发光装置周围附近的位置处形成的反光部分；以及一片区，在该片区...

一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性 层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得 非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步 骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为...

本发明的目的是提供一种可在工业有利和温和的条件下通过将具有异 氰酸酯基的3-氯丙酸酯衍生物脱去氯化氢而以高收率获得具有异氰酸酯基 的(甲基)丙烯酸酯衍生物的方法，而且残余可水解氯的含量被降低。本 发明的制备具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸...

一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130 至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光 部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合 物半导体层的透明衬底(14)...