本发明实施下述工序：熔融工序，该工序使置于室内的坩埚中的氧化铝熔融，得到氧化铝熔液；肩部形成工序，该工序通过提拉与氧化铝熔液接触的晶种，在晶种的下方形成肩部；和直体部形成工序，该工序在向室内供给含有氧和惰性气体并且氧的浓度被设定为０．６...

本发明实施下述工序：熔融工序，该工序使坩埚中的氧化铝熔融，得到氧化铝熔液；肩部形成工序，该工序通过提拉与氧化铝熔液接触的晶种，在晶种的下方形成肩部；直体部形成工序，该工序从熔液提拉蓝宝石单晶，形成直体部；以及，尾部形成工序，该工序供给含...

在化合物半导体基板（４０）上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板（４０）上依次层叠ＩＩＩ族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板（４０）使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板（４０）的上方，...

本发明的目的是提供对氩气的干蚀刻耐性较高、而且氩气和氧气的干蚀刻速度的选择性较高，并且可以形成用作抗蚀层等的微细图案的、适合纳米压印法的转印材料用固化性组合物。本发明的转印材料用固化性组合物，其特征在于，含有通过使氨基三嗪化合物、分子内...

拉拔加工装置１０具备包含拉拔模２０与拉拔芯棒３０。拉拔模２０具备：一边对工件４０进行缩径加工一边与之分离的第一曲面部１Ｃ；比第一曲面部１Ｃ上的工件分离位置Ｋ配置得靠内侧并且靠下游侧的拉模孔定径带部２Ｂ；和具有与拉模孔定径带部２Ｂ的上游端...

本发明的课题是提供对于各种各样的设计的电子电路基板能够自由且简便地谋求静电放电对策的静电放电保护体。本发明的静电放电保护体，其特征在于，具有包括１对电极和电极以外的导电性构件在内的至少３个导电性构件，各个导电性构件被配置成与其他的导电性...

本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相...

本发明提供在酸性电解质中和／或高电位下不腐蚀、耐久性优异、具有高的氧还原能力的催化剂。本发明的催化剂，其特征在于，包含含铌的碳氮氧化物，所述含铌的碳氮氧化物在采用粉末Ｘ射线衍射法（Ｃｕ－Ｋα射线）的测定中，在将衍射角２θ＝２５．４５°～...

本发明的目的在于提供在酸性电解质中和／或高电位下不腐蚀、耐久性优异、具有高的氧还原能力的催化剂。本发明是由４族或５族的过渡金属的有机金属化合物、４族或５族的过渡金属的金属盐或者它们的混合物制造金属的碳氮化物混合物粒子或碳氮氧化物混合物粒...

本发明提供在酸性电解质中和／或高电位下不腐蚀、耐久性优异、具有高的氧还原能力的催化剂。本发明是燃料电池用电极的制造方法，所述燃料电池用电极含有金属氧化物和电子传导性物质，该制造方法的特征在于，包括在担载了金属氧化物和电子传导性物质的支持...

本发明的目的在于提供，代替现有的２－硝基－４，５－二甲氧基苄基氧基羰基胺化合物的、能够对ｈ线的灵敏度也良好地产生碱的新的光产碱剂。本发明涉及下述通式（Ｉ）所示的Ｎ－（α－芳香基取代－２－硝基－４，５－二烷氧基苄基氧基羰基）胺化合物。（上...

本发明的目的是提供一种除去了引起结晶缺陷的附着粒子的表面洁净度高的碳化硅单晶基板。通过使用附着于基板的一面的高度为１００ｎｍ以上的第１附着粒子的密度为１个／ｃｍ２以下、并且附着于所述基板的一面的高度小于１００ｎｍ的第２附着粒子的密度为１...

本发明的感光性树脂组合物含有：（Ａ）感光性树脂，该感光性树脂是通过下述方式获得：在三价有机磷化合物与环烷酸锆和辛酸锆中的至少一种的存在下，使多官能环氧化合物与不饱和一元酸反应，进而与多元酸酐反应而生成羧基，然后使具有不饱和双键的单环氧化...

本发明涉及一种钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的蚀刻液，该蚀刻液含有过氧化氢、有机酸盐和水。通过使用该蚀刻液，可进行抑制了起泡的钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的均匀的蚀刻，可得到钛系金属、钨系金属、钛钨系金...

本发明提供一种维持钛系烧结体的优异性能并且可以提高耐氧化性的表面被覆的金属陶瓷构件。本发明的对象是在由以碳化钛、氮化钛和碳氮化钛中的至少１种以上的钛化合物为硬质相的主成分的烧结体构成的金属陶瓷基材（１１）上形成有耐氧化膜（１２）的表面被...

本发明所要解决的问题是提供一种防腐蚀涂料组合物，其具有与现有的含有玻璃鳞片的乙烯酯树脂相比更好的耐醇性能、且经济性优异。为了解决所述问题，提供一种防腐蚀涂料组合物，其含有（Ａ）不饱和聚酯树脂组合物以及（Ｂ）鳞片状玻璃，所述（Ａ）不饱和聚...

本发明的目的在于提供包括提高了接合性及耐腐蚀性的电极的半导体发光元件及其制造方法、半导体发光元件用的电极以及灯。该半导体发光元件包括基板、包含形成在上述基板上而成的发光层的层叠半导体层、形成在上述层叠半导体层的上表面的一个电极（１１１）...

本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：ｎ型ＳｉＣ半导体基体（１）；与ＳｉＣ半导体基体（１）的一个主表面（１ｂ）欧姆接触的阴极...

本发明的课题是提供包含异氰酸酯基的烯属不饱和羧酸酯化合物的聚合抑制方法和采用了该聚合抑制方法的包含异氰酸酯基的烯属不饱和羧酸酯化合物的制造方法。本发明的包含异氰酸酯基的烯属不饱和羧酸酯化合物的聚合抑制方法，其特征在于，含有包含异氰酸酯基...

本发明提供了新的含环氧基的共聚物和其制造方法，以及以该含环氧基的共聚物为原料制成的环氧（甲基）丙烯酸酯共聚物和其制造方法。本发明的含环氧基的共聚物中含有特定的含环氧基的重复单元和烯烃系重复单元，其与（甲基）丙烯酸反应后可以得到本发明的新...