一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性
层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得
非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步
骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减
薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了
所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述
磁性层中。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘驱动器中的磁记录介质、其制造方法以及磁记录 和再现装置。
技术介绍
近些年来，随着诸如磁盘驱动器、挠性盘驱动器和磁带驱动器的磁记 录装置极大地扩展了它们的用途范围并且显著收益，已经致力于使得在这 些驱动器中使用的磁记录介质在记录密度方面的显著改善。特别地，由于 磁阻(MR)头和部分响应最大似然(PRML)技术的引入，表面记录密 度的增加进一步剧烈增长。由于近些年来巨磁阻(GMR)头和隧穿磁阻 (TMR)头的进一步引入，该增长维持在每年约100%的速度。迫切要求 这些磁记录介质在将来达到更高的记录密度以及它们的磁记录层实现矫顽 力、信噪比(SNR)和分辨率的提高。近些年来已经见证了为了提高线性 记录密度以及通过增加磁道密度来提高表面记录密度的目的而持续做出的 努力。在最新的磁记录装置中，磁道密度已经达到110kTPI。随着磁道密度 进一步增加，趋向于带来诸如导致磁记录在相邻磁道中的数据的部分之间4SNR的问题。因为其直接导致降低比特误差率，所以这种情形阻碍记录密 度的增加。为了增加表面记录密度，有必要使磁记录介质上的单独记录位以尽可 能小的尺寸形成且使得其能够确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚度。然 而，随着记录位的尺寸的进一步减小，它们趋向于带来诸如减小每个位的问题。此外，因为磁道间距变小，磁记录装置使极高精确度的跟踪伺服机构 成为必要，且同时，为了尽最大可能消除来自相邻磁道的影响，通常需要 采用以大的宽度执行记录且以比记录期间小的宽度执行再现的方法。虽然 这种方法能够将相邻磁道之间的影响抑制到最小值，但是其带来诸如使得 再现输出的充分采集(acquisition )困难以及因此导致难于确保足够的SNR 的问题。作为应付热波动问题以及实现预期的SNR或充分输出的采集的一种 手段，通过沿着记录介质的表面上的磁道形成凹凸(凹陷和凸起)且因此 使相邻磁道相互物理分离来提高磁道密度的尝试正在进行。下文中，将该 技术称为"离散磁道方法，，，并将通过该技术制成的磁记录介质称为"离散磁 道介质"。作为离散磁道介质的一个实例，已知一种磁记录介质，其形成在其表 面上设置有凹陷-凸起图形的非磁性基底上，并能够获得物理分离的磁记录 磁道和伺服信号图形(参考例如JP-A 2004-164692)。这种磁记录介质具有经由软磁性层形成在基底表面上的铁磁性层且具 有形成于铁磁性层表面上的保护膜，其中该基底在其表面上具有多个凹凸。 这种磁记录介质在其凸起区域中形成了与周围磁性分开的磁记录区域。根据这种磁记录介质，认为可以形成不发出大噪声的高密度磁记录介 质，这是因为可以抑制软磁性层中的磁壁出现的事实导致防止容易地出现 热波动的影响且使得相邻信号之间的干扰消失。已知有两种离散磁道方法，即在形成由多个层叠的薄膜组成的磁记录5介质之后形成磁道的方法以及直接在基底表面上或在为形成磁道而准备的 薄膜层上形成凹陷-凸起图形之后形成薄膜磁记录介质的方法。(参考例如JP-A 2004-178793和JP-A 2004-178794 )。通常被称作磁性层加工型方法 的前一种方法的缺点在于使介质在制造期间容易遭受污染，且由于其需 要在形成介质之后对表面执行物理加工，因此使得制造工艺非常复杂。通 常被称作压紋(emboss)加工型方法的后一种方法，虽然不容易在制造过 程期间引发污染，但其缺点在于由于形成在基底上的凹陷-凸起形状注定 会继续存在于将要形成的膜上，因此不能使适于在介质上浮动的同时执行 记录和再现的记录和再现头的浮动姿势和浮动高度稳定。已公开了这样一种方法，其通过在预先形成的磁性层中注入氮离子或 氧离子或者用激光辐照该磁性层，形成介于离散磁道介质的磁道之间的区 域(参见JP-A HEI 5-205257)。然而，该现有技术参考文件对在注入离 子的过程期间设置抗蚀剂或掩模的情况没有进行描述。当未设置抗蚀剂或 掩模时，很难将离子注入限制于仅M道之间的区域。此外，在对于每一个位使得磁记录图形以固定的规则性设置的所谓的 构图的介质的制造中，已公开了通过用离子辐照蚀刻或者通过使得磁性层 非晶化来形成磁记录图形的构思(参见Technical Report of IEICE， MR2005-55 (2006-02)， pp. 21-26 (The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)和美国专利No. 6,331,364 )。虽然美国专利No. 6，331 ，364报导了在磁性层上在除了磁道之间的区域 之外的区域上设置掩模且用离子辐照该磁性层的实验，但其没有提到旋涂 玻璃(SOG)作为掩模。作为用于离子注入的掩模，已经使用了这样的有机抗蚀剂或齿形 (tooth)硬掩模，其是通过用金属或者Si02的氧化物层来涂覆介质的表 面并且加工具有有机抗蚀剂的被涂覆介质而获得的。然而，这种掩模带来下述问题。有机抗蚀剂不能显现出充分的对抗用于离子注入的高能离子的冲击的 遮蔽效果，这是因为其具有过小的密度。有机抗蚀剂不能赋予足够的抵抗6力(蚀刻抵抗力)，这是因为其接合弱且容易通过与离子的碰撞而被散射。 比较而言，通过引入金属或氧化物的层而制成的掩模具有遮蔽效果以 及对抗离子注入的特定水平的抵抗力。然而，这会引起诸如在通过使用有 机抗蚀剂特别地制备初掩模以及通过干法蚀刻来加工作为掩模的金属或氧 化物的层时的额外的人工时间。由于使得工艺复杂化且使得生产率和成本 劣化，该人工时间是不利的。本专利技术目的在于一种应对由于记录密度增加而引起的技术困难的磁记 录装置，旨在在确保记录和再现特性等于或优于常规产品的同时，大大提 高记录密度，并且尽最大可能降低磁记录图形部分之间的区域的矫顽力和 剩余磁化，从而消除磁记录期间发生的模糊现象，且最终增加记录密度。 特别地，关于由于在基底上形成磁性层作为膜且随后在磁性层上形成凹凸 而产生的离散磁道磁记录介质，本专利技术旨在提供一种制造方法，与必需执 行加工磁性层的步骤的常规方法相比，该制造方法通过排除去除磁性层的步骤，使用具有SiO作为其基本骨架的SOG掩模，并且因此完成适于离 子注入的掩模的形成而不增加步骤数量，显著简化制造工艺，并且降低污 染的风险，本专利技术还提供一种呈现高的表面平滑度和优良的头浮动特性的 有用的磁记录介质。
技术实现思路
作为其第一方面，本专利技术提供一种制造磁记录介质的方法，其包括以 下步骤在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中， 以使得所述部分消磁或者使其获得非晶(amorphousness )，从而形成磁 性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤对所形成的磁 性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并 且用原子辐照所ii^面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其 中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。在本专利技术的包括第 一方面中所述的制造磁记录介质的方法的第二方面 中，在所述用原子辐照期间所述SOG膜包含基于所述SOG膜中的总键数7的70%以上比率的Si-O键。在本专利技术的包括第 一方面中所述的制造磁记录介质的方法的第三方面 中，所述部分地去除或减本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤：对所形成的磁性层的表面施加ＳＯＧ膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂胁彰，福岛正人，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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