本发明公开了一种封装有机硅材料在LED电子器件中的应用，通过如下重量份的原料制成：高分子聚合物40‑50份、硅酸酯30‑40份、聚乙二醇4‑8份、环氧树脂20‑30份、纳米氧化铝15‑25份。本发明提供的有机硅材料性能优异，可以用于制备...

本发明公开了一种电子封装用金刚石铝复合材料，将纳米金刚石粉、纳米氧化铝和纳米硫化锌混合均匀制得混合固体粉末，再将混合固体粉末加入天然树脂中，熔融固化；纳米金刚石粉、纳米氧化铝和纳米硫化锌的重量比为7‑9:3‑5:1；混合固体粉末的质量为...

本发明公开了一种硅基锰金属复合材料及在电子领域应用，由如下重量份原料制成：聚苯乙烯40‑50份、聚乙烯吡咯烷酮20‑30份、纳米二氧化硅25‑35份、纳米二氧化锰5‑15份、聚丙烯酰胺10‑20份。本发明提供的复合材料性能优异，组成新颖...

本发明公开了一种电子俘获光存储材料。电子俘获光存储的本质是材料的光激励发光特性。自从上世纪40年代出现关于光激励发光材料的报道以来，该材料在光存储、红外探测、辐射剂量测定、光信息处理等许多领域展现了其应用潜力。本发明提供的材料性能优异，...

本发明公开了一种硅铝锌电子封装复合材料，通过如下重量份的原料制成：碳化硅20‑30份、氧化铝20‑30份、氧化锌20‑30份、硫酸钾10‑20份、聚乙二醇4‑8份、聚乙烯10‑20份。本发明提供的硅铝锌电子封装复合材料性能优异，可以用于...

本发明公开了一种电子封装用碳硅铝复合材料及其应用，通过如下重量份的原料制成：碳化硅30‑40份、碳化铝30‑40份、二氧化硅15‑25份、氧化铝15‑25份、高聚物35‑55份。本发明提供的碳硅铝复合材料性能优异，可以用于制备成电子封装...

本发明公开了一种硅铝锰电子封装复合材料，通过如下重量份的原料制成：碳化硅20‑30份、氧化铝20‑30份、氧化锰20‑30份、硫酸钾10‑20份、聚乙二醇4‑8份、聚乙烯10‑20份。本发明提供的硅铝锰电子封装复合材料性能优异，可以用于...

本发明公开了一种电子封装用氧化铝改性环氧树脂，通过如下重量份的原料制备成：环氧树脂40‑50份、氧化铝15‑25份、氧化石墨4‑8份、聚乙二醇20‑30份。本发明提供的氧化铝改性环氧树脂性能优异，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种铝硼电子封装材料，通过如下重量份的原料制成：硫酸铝铁15‑25份、氮化硼10‑20份、氧化石墨烯10‑20份、聚乙烯蜡20‑30份。本发明提供的铝硼电子封装材料性能优异，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种碳硅锌复合材料及其电子方面用途，通过如下重量份的原料制成：碳化硅30‑40份、碳化锌30‑40份、二氧化硅15‑25份、氧化锌15‑25份、聚氯乙烯35‑55份。本发明提供的碳硅锌复合材料性能优异，可以用于制备成电子封装...

本发明公开了一种生物印刷电子材料，通过如下重量份的原料制备而成：聚乙烯吡咯烷酮20‑30份、纳米氧化银10‑20份、纳米碳化硅5‑15份、聚乙二醇5‑15份。本发明提供的电子材料性能优异，适用范围广。

本发明公开了一种超强性能无机封装材料及在电子领域应用，通过如下重量份的原料制成：氧化铝30‑40份、氧化锌20‑30份、氧化镁20‑30份、硫酸铝钾15‑25份、高分子聚合物30‑50份。本发明提供的无机封装材料性能优异，可以广泛用于电...

本发明公开了一种电子封装用聚苯硫醚高性能复合材料，通过如下重量份的原料制成：聚苯硫醚35‑55份、聚乙烯蜡20‑30份、环氧树脂5‑15份、硅烷偶联剂4‑8份。本发明提供的聚苯硫醚复合材料性能优异，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种聚苯硫醚复合材料及在电子领域应用，通过如下重量份的原料制成：聚苯硫醚35‑55份、聚乙烯酰胺20‑30份、环氧树脂5‑15份、聚乙烯醇4‑8份。本发明提供的聚苯硫醚复合材料性能优异，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种改性环氧树脂及在电子领域的用途，通过如下重量份的原料制备成：环氧树脂40‑50份、硫化锌15‑25份、氧化石墨4‑8份、聚乙烯醇20‑30份。本发明提供的硫化锌改性环氧树脂性能优异，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种用于电子领域的复合材料，将纳米花岗岩粉、纳米氮化钙和纳米氧化铜混合均匀制得混合固体粉末，再将混合固体粉末加入聚丙烯酰胺中，熔融固化；纳米花岗岩粉、纳米氮化钙和纳米氧化铜的重量比为7‑9:3‑5:1；混合固体粉末的质量为聚...

本发明公开了一种灌封材料及用于制备电子器件的用途，将聚丙烯酰胺、聚乙二醇、环氧树脂、纳米氮化硅和纳米氧化锌混合熔融浇注制成，各原料重量份为：聚丙烯酰胺35‑45份、聚乙二醇5‑15份、环氧树脂5‑15份、纳米氮化硅6‑12份和纳米氧化锌...

本发明公开了一种电子材料及其应用，通过如下重量份的原料制备而成：聚乙烯酰胺20‑30份、纳米氧化镁10‑20份、纳米氢氧化锂5‑15份、聚乙二醇5‑15份。本发明提供的电子材料性能优异，适用范围广。

本发明公开了一种特殊用途电子封装材料，通过如下重量份的原料制成：二氧化锰25‑35份、氧化铝20‑30份、硫化铜20‑30份、聚氯乙烯高聚物35‑55份。本发明提供的材料性能优异，可以用于制备特殊用途电子封装材料。

本发明公开了一种电子器件用有机硅材料，通过如下重量份的原料制成：聚氯乙烯40‑50份、硅酸酯30‑40份、液体石蜡4‑8份、环氧树脂20‑30份、纳米氧化铝15‑25份。本发明提供的有机硅材料性能优异，可以用于制备LED电子器件。