本发明涉及具有直接背侧源极或漏极接触部和减小栅极深度的集成电路结构。描述了具有直接背侧源极或漏极接触部的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括第一、第二和第三多个水平堆叠纳米线或鳍，以及第一、第二和第三栅极堆叠。第一外延源极或漏极结构...

云服务提供商在例行操作期间重新配置存储器子系统，同时使服务器不在线的时间量最小化。通过在平台的辅助下将系统存储器的重新配置卸载到操作系统来减少服务器停机时间。操作系统以抽象方式枚举存储器子系统的潜在存储器配置以及相关联的性能特性，并且在...

公开了玻璃核心中的天线结构。实施例可以包括一种设备，所述设备包括：衬底，其中，所述衬底是非晶玻璃层；进入到所述衬底中的孔；以及所述孔中的结构，其中，所述结构包括：包括第一材料成分的第一部分；以及包括第二材料成分的第二部分，其中，所述第一...

描述了具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括横向位于第一栅极结构和第二栅极结构之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构从鳍或水平纳米线的第一垂直堆叠体以及鳍或水平纳米线的第二堆叠体上方的...

讨论了与在一个或多个半导体结构上形成外延n型源极和漏极材料相关的方法、晶体管和系统。n型源极和漏极材料包括主体材料中的n型掺杂剂。与一个或多个半导体结构横向相邻的每个n型源极和漏极材料的第一区域具有比第一区域上方的第二区域低的n型掺杂剂...

本文公开了向MOSFET沟道提供高导电性接触界面和应变的源极和漏极结构。外延源极和漏极结构向晶体管沟道提供应变。晶体管结构可以具有在基本上单晶的源极和漏极区域之间的沟道，每个晶体区域具有衬层部分和居间部分两者。晶体区域可以是硅和锗制成的...

公开了具有经调整的数量的有源纳米带的栅极全环绕装置。公开了用于形成使纳米带(或其他半导体主体)的其总数的仅子集合参与到有源沟道区域中的半导体装置的技术。在示例中，任何数量的半导体装置包括在第一方向上延伸的纳米带的集合，以及在所述纳米带中...

描述了使用着色硬掩模的背面源极或漏极接触部选择性。一种结构包括位于第一纳米线或鳍状物的端部的第一外延源极或漏极结构，垂直位于第一外延源极或漏极结构的底部下方的第一导电源极或漏极接触部，以及位于第一导电源极或漏极接触部下方并与其接触的第一...

公开了没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管。本文中提供了用于形成具有代替电介质间隔物的将栅极结构与源极或漏极区域分开的半导体层的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)包括具有处于栅极电介质上的栅极电极的栅极结构。栅极结构在半导体材料的任...

本公开涉及带有可释放压缩的机械堆叠组装件。一种装置提供了盖子和与盖子耦合的压缩机构。压缩机构包括延伸穿过盖子的锚定件，布置在与盖子相交的第一平面中的杠杆，以及布置在与盖子相对的第二平面中的接触部分。杠杆和接触部分处于围绕共同轴线受偏置关...

本公开涉及多核心处理器功率控制的装置、系统及方法。例如，多核心处理器的功率控制器可以被配置为选择性地触发对多核心处理器中的一个或多个核心的热节流。例如，功率控制器可以被配置为处理温度测量信息，例如以标识与多个核心相对应的多个温度测量。例...

网络控制器耦合到与硬件加速器关联的存储器，并包括第一端口，第一端口耦合到主机系统，其中，主机系统包括系统存储器和第二端口，第二端口通过网络接收数据。网络控制器包括用于确定数据要直接写入存储器而不是系统存储器，并将数据写入存储器以用于硬件...

本公开涉及利用混合接合和贯穿电介质过孔结构的3D管芯堆叠。在本文中公开的实施例包括：第一管芯，具有导电焊盘；和第二管芯，位于第一管芯之上，其中第二管芯具有导电焊盘。在实施例中，第一管芯的导电焊盘与第二管芯的导电焊盘直接接触。在实施例中，...

描述了具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构。例如，集成电路结构包括在水平纳米线的竖向堆叠或者鳍部上方的栅极电极。导电沟槽接触邻近于栅极电极，其间具有电介质侧壁间隔部。第一和第二电介质切口插塞结构延伸通过栅极电极、通过电介...

提供了形成具有从结构的背侧图案化的鳍隔离结构的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)各自包括在源极区域和漏极区域之间共线地延伸的半导体材料，以及围绕每个FET的半导体材料延伸的栅极结构。鳍隔离结构可以在FET之间延伸以在FET之间提供电...

本文描述了涉及全环栅场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术，该全环栅场效应晶体管具有纳米带(即，半导体结构)的堆叠体，这些纳米带具有被调整为跨越堆叠体而变化的厚度。纳米带源极到漏极长度是从分别与源极结构的源极界面到与漏极结构的漏极界...

本公开涉及用于USB成像应用的系统功率优化的装置和方法。描述了通过利用缓冲器存储从USB相机捕捉的数据，允许存储器更长时段地保持在低功率状态中的技术。电路预取USB DMA描述符，写入缓冲器存储和汇总来自相机的数据，并且控制流在适当时间...

本公开涉及用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙。本文提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括相邻半导体器件之间的电介质墙，其中，相邻半导体器件的栅电极在电介质墙上方导电连接。相邻的第一半导体器件和第二半导体器件各自包括在半...

本公开的各个方面提供了一种多馈源天线结构。多馈源天线结构可以包括：第一天线端口；第一辐射结构，耦合到第一天线端口；第二天线端口；第二辐射结构，耦合到第二天线端口；以及电磁结构，位于第一辐射结构和第二辐射结构之间。

本公开涉及用于混合模式存储器的系统、方法和装置。在一个实施例中，一种处理器包括：至少一个核心，执行指令；存储器，存储地址映射，地址映射具有混合区域以标识平面两级存储器地址范围，平面两级存储器地址范围由第一近存储器地址范围与远存储器地址范...