本发明公开了用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构。本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且尤其是10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构的领域。在示例中，集成电路结构包括在鳍的第一末端之上的第一隔离结构。栅...

本文中公开了集成电路(IC)封装、天线板、天线模块、以及通信装置(例如，用于毫米波通信)。例如，在一些实施例中，天线模块可以包括：逻辑管芯；与逻辑管芯电通信的射频前端(RFFE)管芯；以及天线贴片，其中RFFE管芯比逻辑管芯之于天线贴片...

描述了针对图形处理的角表创建。一种装置的示例包括角数据生成器电路系统，该角数据生成器电路系统包括：用于生成针对三角形网格的多个部分的多个顶点角列表的电路，其中，针对部分的顶点角列表包括针对顶点的索引、针对顶点的角的计数、以及与顶点相关联...

本公开涉及基于自动生成AI的数字孪生。用于创建被测系统的数字孪生的系统可以包括处理电路系统和存储器，其中存储有指令，该指令当处理电路系统执行时，使得处理电路系统接收具有与被测系统相对应的信息的多个输入，并将多个输入作为数据输入提供给大型...

公开了用于直接和保证平台和表面温度控制的装置和方法。一种用于热硬件辅助的装置和方法。例如，处理器的一个实施例包括：多个功能电路块；互连，该互连耦合到多个功能电路块；一个或多个物理或虚拟温度传感器，该一个或多个物理或虚拟温度传感器用于捕获...

本公开涉及利用功率事件反馈的动态功率共享。描述了用于将与功率源负载和功率控制事件的频率相关的遥测并入为功率平衡算法的部分来控制共享共同的功率源的设备之间的电子设备功率预算的技术。这些技术利用遥测和控制回路算法在两个或更多个电子组件之间来...

本申请公开了用于针对多主机系统的安全的基于硬件的存储器管理单元的装置和方法。一种示例装置包括：NoC互连结构；第一接口电路，用于将主机处理器耦合到NoC互连结构；硬件存储器管理器，耦合到NoC互连结构，该硬件存储器管理器包括：页表电路，...

本公开涉及使用可调节热通风机构动态控制电子设备敞开比率OAR。描述了在确保符合规章要求的同时动态地调节敞开比率(OAR)的技术。描述了一种可调节热通风口组装件，其取决于当前用例动态地调节进口/出口通风口的OAR。可调节热通风口组装件用于...

公开了一种用于促进图形环境中的像素重排序缓冲器的装置。该装置包括用于处理核心的共享硬件电路系统，该共享硬件电路系统包括像素重排序缓冲器(PRB)电路系统，该PRB电路系统用于：查询与从至少一个执行资源接收的消息相对应的线程的相关性状态，...

描述了具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构。结构包括：水平纳米线的垂直堆，纳米线中的个体纳米线在纳米线的末端具有对应外延源极或漏极结构，沿着水平纳米线的垂直堆，外延源极或漏极结构彼此不连续。栅极电极位于水平纳...

封装内的管芯和模制材料上方的气密层。本文中的实施例涉及用于在半导体封装内施加气密层以防止或减轻湿气跨材料的层的迁移的系统、装置或过程。在实施例中，气密层可以包括氮化物并且可以是介电层。气密层可以被放置在由填充材料围绕的一个或多个管芯的顶...

描述了具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构。一种结构包括在栅极电极和导电沟槽触点之间的电介质侧壁间隔件。第一和第二平行电介质切口插塞结构延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔件、并穿过导电沟槽触点。所述第二电...

公开了集成电路(IC)装置中的逻辑单元之间的隔离中断。相邻沟道区域之间的源极‑漏极沟槽包括一对源极或漏极半导体主体，所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体中的第一者连接到所述沟道区域中的第一者，所述源极‑漏极沟槽中的所述源极或漏极主体...

公开了带状物互补FET(CFET)金属栅极多电压阈值集成。一种堆叠互补场效应晶体管(CFET)装置包括底部接触区域和顶部接触区域。多个堆叠CFET装置在底部接触区域与顶部接触区域之间。多个堆叠CFET装置中的相应堆叠CFET装置包括在底...

用于在第一设备与第二设备之间生成安全共享秘密的方法和系统。第一/第二设备分别将该第一/第二设备的公钥和公钥证书发送给第二/第一设备，并且分别从第二/第一设备接收该第二/第一设备的公钥和公钥证书。第一设备和第二设备分别验证另一设备的公钥证...

本申请涉及电压调节器。公开了用于在不活动模式期间保护电力级晶体管以限制其两端的压降的技术。

本发明涉及具有交错背侧互连的集成电路结构。描述了具有交错背侧互连的结构。在示例中，集成电路结构包括前侧结构，该前侧结构包括具有多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管的器件层，以及在器件层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管上...

公开了使用注入物的选择性沟道宽度缩放。一种集成电路包括源极区域和漏极区域以及主体，主体包括在源极区域和漏极区域之间延伸的半导体材料。主体具有第一端部和第二端部以及在第一端部和第二端部之间的中间部分。主体包括注入物质，主体的中间部分中的注...

公开了堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体。集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠结构，该结构包括具有相同导电类型的多个单独源极和/或漏极材料主体。金属化部与源极和/或漏极材料主体中的单独材料主体界面相接，实现了更大的界面面积以降低接触...

本公开涉及用具有共享堆的共享存储器实现进程间通信的方法和装置。公开的示例使用具有共享堆的共享存储器来实现进程间通信。公开的示例从第一进程向第二进程发送请求，该请求用于使得在共享存储器中分配共享堆；基于下列方式来针对共享存储器中的共享堆确...