英飞凌科技股份有限公司专利技术

英飞凌科技股份有限公司共有4097项专利

  • 本公开的实施例涉及对硅麦克风的适应性数字非线性补偿。线性化系统包括:非线性系统,被配置用于接收输入信号;数字非线性补偿部件,具有被耦合到非线性系统的输出的输入,并且具有用于生成输出信号的输出;低通滤波器,具有被耦合到数字非线性补偿部件的...
  • 本公开的各实施例涉及用于控制发光二极管的相移改变的驱动器电路。描述用于驱动一个或多个发光二极管的驱动器电路。驱动器电路可以包括:接口,被配置为接收来自处理器的控制信号;和信号生成器,被配置为基于控制信号生成脉冲调制(PM)信号,其中PM...
  • 公开了用于抑制设备内的振荡的装置,该装置包括结终端边缘、单极功率晶体管和RC缓冲器。RC缓冲器具有在多晶硅结构和半导体衬底之间并且为结终端边缘的一部分的电容器。该电容器具有p
  • 本公开的实施例涉及带机械保护的永磁体的磁场传感器。提出一种磁场传感器(0600),带有:半导体芯片(0111)的,其中半导体芯片(0111)具有至少一个磁场传感器元件(0112),其中半导体芯片(0111)嵌入半导体芯片封装部中;永磁体...
  • 本公开的实施例涉及占用空间减小的用于光学MEMS镜的3D圆顶晶片级封装。一种微机电系统(MEMS)镜封装组件,包括MEMS晶片,包括定子部分和转子部分,转子部分包括被配置为围绕轴线旋转的MEMS镜,其中MEMS镜悬置在后腔之上,其中ME...
  • 本公开的实施例涉及一种用于确定移动应用中目标气体浓度的装置和方法,其中该装置包括:测量模块,被配置用于获得关于目标气体的浓度测量的测量信息;通信模块,被配置用于经由直接无线通信路径与至少一个另外的装置通信,其中通信模块被配置用于从另外的...
  • 公开了双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法。提出了一种双栅极IGBT(1),其中有源区(1
  • 本公开的实施例涉及功率转换器的最小峰值电流。一种用于控制功率转换器的开关的电路。该电路包括环路控制电路装置,该环路控制电路被配置为基于针对功率转换器和欠压电路的反馈信号生成控制信号。欠压电路装置被配置为将功率转换器的电容器的电压与电压阈...
  • 本公开涉及用于对晶体管进行偏置的电路和方法以及对应设备。提供了一种用于对晶体管(13)进行偏置的电路。该电路包括:被配置为耦合到晶体管的栅极端子(14)的输出端子(12)以及电路装置(11)。在第一状态下,电路装置(11)被配置为输出处...
  • 公开了半导体管芯以及制造半导体管芯的方法,其中半导体管芯包括:半导体衬底;形成在半导体衬底的第一区域中并且并联电耦合以形成功率晶体管的多个晶体管单元,多个晶体管单元包括从半导体衬底的第一表面延伸到第一区域中的第一沟槽;形成在第一表面上并...
  • 本发明提供了一种芯片装置。所述芯片装置可以包括:芯片,其包括第一主表面,其中第一主表面包括有源区域、芯片终端部分和至少一个接触焊盘;第一介电层,其至少部分地覆盖芯片终端部分和有源区域,并且至少部分地暴露至少一个接触焊盘;以及第二介电层,...
  • 提供了一种晶体管器件(10)以及用于操作晶体管器件(10,20)的系统和方法,其中晶体管器件(10)包括第一器件负载端子(12)、第二器件负载端子(13)、器件控制端子(11)、晶体管(14)、可变阻抗元件(18)以及过载检测电路(19...
  • 公开了一种电源系统和操作电源系统的方法。该电源系统包括:输入端子,其接收交流输入;输出端子,其连接至负载;第一开关、第二开关和第三开关;整流和充放电模块,其一端通过第一开关耦接至输入端子并且通过第三开关耦接至电池;转换模块,其一端通过D...
  • 半导体开关模块(50)包括绝缘栅双极型晶体管(10)和单极开关装置(20)。绝缘栅双极型晶体管(10)包括第一晶体管单元(TC1)和补充单元(TC2),其中,第一晶体管单元(TC1)包括第一栅极(151)和第一源极(111),并且其中,...
  • 本公开的实施例涉及雷达系统、包括雷达系统的设备和操作雷达系统的方法。提供了一种包括雷达传感器的雷达系统。雷达传感器包括被配置为朝向预定义区域发射雷达波束的天线。雷达系统还包括反射器,该反射器与雷达传感器间隔开、并且被配置为将雷达波束的至...
  • 本公开的实施例涉及雷达系统、包括雷达系统的设备和操作雷达系统的方法。雷达系统被提出。该雷达系统包括:雷达传感器,包括被配置为朝向预定义区域发射雷达波束的第一天线。雷达系统包括与雷达传感器间隔开、并且被配置为将雷达波束的朝向与预定义区域不...
  • 本申请涉及硅麦克风中的数字非线性特性补偿。根据一个实施例,数字麦克风包括用于接收模拟输入信号的模数转换器(ADC);耦合到ADC的DC阻断组件;耦合到DC阻断组件的数字低通滤波器;以及耦合到数字低通滤波器以提供数字输出信号的非线性补偿组...
  • 本公开涉及MEMS设备。一种MEMS设备100包括:压电换能器(120),具有第一频率行为,其中所述压电换能器(120)包括压电修整区域(TR);以及控制电路装置(140),被配置为向所述压电换能器(120)的所述压电修整区域(TR)提...
  • 本公开的实施例涉及处理传感器数据的系统、直接存储器访问的系统及方法。提供一种直接存储器访问DMA系统。DMA系统包括被配置为从源存储器接收传感器的数据分组的输入接口电路系统。DMA系统包括处理电路系统,其被配置为:确定数据分组是否包括同...
  • 本申请涉及用于快速切换输出级的压摆率控制。一种驱动电路被配置为将压摆率受控的驱动信号施加到功率晶体管的控制端子。驱动电路可以是包括一个或多个子电路的系统的一部分,其中每个子电路包括调节环路、功率晶体管的匹配复制物和稳压节点。每个子电路的...