这里公开的示例主要涉及具有可变形膜的半导体装置，用于测量加速度、振动或压力。示例还涉及包括该半导体装置的传感器装置。示例还涉及用于制造半导体装置和传感器装置的方法。半导体装置可以是微机电系统MEMS。一种半导体装置(100、200、30...

本公开的实施例涉及无磁芯的电流传感器模块。一种用于测量母线(102)中流动的电流的无磁芯电流传感器模块(100)，其中电流传感器模块(100)具有：设计用于测量电流的电子部件(104)；电绝缘封装体(106)，在电绝缘封装体中，电子部件...

本公开的实施例涉及使用单个磁条的绝对位置测量。一种绝对位置测量系统包括多极磁体，其包括沿多极延伸方向延伸的交替磁极，多极磁体相对于线性路径具有线性变化的配置，并产生磁场，磁场的场强经历由于交变磁极沿线性路径的正弦变化，和根据相对于线性路...

本文公开了印刷电路板、包括印刷电路板的功率半导体模块布置结构及其组装方法。印刷电路板包括：电介质绝缘层(820)，其具有面向第一侧的顶侧和面向电介质绝缘层(820)的第二侧的与第一侧相对的底侧；至少一个导电迹线(822)，其形成在电介质...

一种射频集成电路(RFIC)器件包括：第一RF输入/输出(I/O)端子；第二RF I/O端子，其中，第一RF I/O端子和第二RF I/O端子被配置成发射或接收RF信号；电容器，其被耦接在第一RF I/O端子与第二RF I/O端子之间；...

本公开涉及具有切换时间加速的RF开关。一种射频(RF)开关包括：可切换RF路径，包括串联耦合的多个晶体管；栅极偏置网络，包括多个电阻器，其中栅极偏置网络被耦合至可切换RF路径中的多个晶体管中的每个晶体管；以及旁路网络，包括并联耦合至可切...

公开了一种用于缓冲管理的设备和方法以及缓冲管理器。该设备可以包括缓冲存储器以对通过设备的多个端口接收或发送的帧进行缓冲。该设备可以包括至少一个帧处理器以处理帧。该设备可以包括将帧存储在缓冲存储器中的缓冲管理器。缓冲管理器可以基于将帧存储...

提供一种计时器电路(200)。计时器电路(200)具有：斜坡电压发生器(110)，其设立为产生斜坡电压(vramp)；比较器(102)，其在输入侧在一侧与斜坡电压发生器(110)耦合，用于接收斜坡电压(vramp)，并且设立为用于将斜坡...

本公开提供了一种半导体芯片。所述半导体芯片可以包括：正面，其包括控制芯片触点和第一受控芯片触点；背面，其包括第二受控芯片触点；背面金属化部，其形成在所述背面之上并且与所述第二受控芯片触点接触；以及至少部分地沿着所述背面的外边缘在所述背面...

一种传感器装置包括汇流排、布置在汇流排上方的介电壳、布置在汇流排上方的介电层、以及布置在介电壳内的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。的磁场。的磁场。

本公开的实施例涉及使用优先级值的菊花链配置。一种装置，被配置成从以所述菊花链配置连接的多个装置中的先前装置接收第一包的一组比特，第一包的所述一组比特包括第一优先级值，并且如果所述装置不具有用于输出到所述多个装置中的目的地装置的第二包，则...

一种半导体组件(400)包括半导体开关器件(100)、导电负载基底结构(422)和电流感测单元(200)。半导体开关器件(100)包括漏极结构(121)和一个或更多个阵列单元(AU)，其中，每个阵列单元(AU)包括负载盘(122)和被并...

公开了一种形成封装半导体装置的方法和封装半导体装置。该方法包括：提供包括管芯焊盘和多个引线的引线框架；提供第一半导体管芯，第一半导体管芯包括设置在主表面上的第一负载端子；提供第二半导体管芯，第二半导体管芯包括设置在主表面上的多个I/O端...

公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括预模制引线框，该预模制引线框包括主表面、延伸出主表面的至少一个第一电接触部以及与主表面相对布置的相对主表面。半导体器件还包括半导体封装，该半导体封装布置在主表面上并且横向定...

一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅...

一种功率电子系统包括：具有第一侧面、相反的第二侧面以及连接第一侧面和第二侧面的侧向侧面的功率半导体模块，所述功率半导体模块包括形成半桥电路的至少一部分的至少一个功率半导体裸片、包封至少一个功率半导体裸片的第一包封体以及被配置为半桥电路的...

本申请涉及分析控制信号以控制功率转换器向负载递送能量。用于控制功率转换器的电路的示例包括第一功率域电路，该第一功率域电路包括第一控制电路和第一驱动器电路，其中第一控制电路控制第一驱动器电路驱动第一半导体器件，其中第二功率域电路包括第二控...

本申请涉及分析控制信号以控制功率转换器向负载递送能量。用于控制功率转换器的电路的示例包括第一功率域电路，该第一功率域电路包括第一控制电路和第一驱动器电路，其中第一控制电路控制第一驱动器电路驱动第一半导体器件，其中第二功率域电路包括第二控...

本公开的实施例涉及具有机械屏障结构的MEMS器件。一种MEMS器件包括：具有内部容积的壳体，其中壳体包括通向内部容积的接入端口；在壳体中的MEMS声音换能器；以及机械屏障结构，机械屏障结构具有板元件，板元件通过弹性间隔件固定到载体并且与...

本公开的实施例涉及具有机械屏障结构的MEMS器件。一种MEMS器件包括：具有内部容积的壳体，其中壳体包括通向内部容积的接入端口；在壳体中的MEMS声音换能器；以及机械屏障结构，机械屏障结构具有板元件，板元件通过弹性间隔件固定到载体并且与...