射频集成电路器件制造技术

一种射频集成电路(RFIC)器件包括：第一RF输入/输出(I/O)端子；第二RF I/O端子，其中，第一RF I/O端子和第二RF I/O端子被配置成发射或接收RF信号；电容器，其被耦接在第一RF I/O端子与第二RF I/O端子之间；第一线圈，其被耦接在第一RF I/O端子与第二RF I/O端子之间，其中，第一线圈被配置成在第一ESD事件期间向电容器提供ESD保护；以及快速瞬态ESD保护电路，其被耦接在第一RF I/O端子与第二RF I/O端子之间，其中，快速瞬态ESD保护电路被配置成在不同于第一ESD事件的第二ESD事件期间向电容器提供ESD保护，其中，第一ESD事件的第一ESD电流的第一上升时间比第二ESD事件的第二ESD电流的第二上升时间长。的第二上升时间长。的第二上升时间长。

【技术实现步骤摘要】
射频集成电路器件


[0001]本专利技术总体上涉及静电放电(ESD)保护，并且在特定实施方式中，涉及用于射频集成电路(RFIC)的射频输入/输出(RF I/O)引脚的ESD保护电路。

技术介绍

[0002]静电放电(ESD)是指由例如接触、电短路或介质击穿引起的两个带电物体之间的突然电流。ESD可能损坏例如集成电路(IC)器件的敏感电子器件。ESD事件可能发生在IC器件的制造过程中，或在IC器件制造之后的IC器件的运输和处理期间。
[0003]为了防止ESD损坏，IC器件通常具有ESD保护电路。ESD保护电路被设计成提供对在例如各种规范或标准中定义的某些ESD事件水平的保护。例如，ANSI/ESDA/JEDEC JS
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2017标准根据部件和微电路对由于暴露于定义的人体模型(HBM)静电放电而引起的损坏或退化的灵敏度(敏感度)建立了用于测试、评估和分类部件和微电路的规范，定义的人体模型(HBM)静电放电对由接近器件并通过器件放电的带电物体引起的ESD事件进行建模。作为另一示例，ANSI/ES本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频集成电路RFIC器件，包括：第一射频输入/输出端子；第二射频输入/输出端子，其中，所述第一射频输入/输出端子和所述第二射频输入/输出端子被配置成发射或接收射频信号；电容器，其被耦接在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间；第一线圈，其被耦接在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间，其中，所述第一线圈被配置成在第一静电放电事件期间向所述电容器提供静电放电保护；以及快速瞬态静电放电保护电路，其被耦接在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路被配置成在不同于所述第一静电放电事件的第二静电放电事件期间向所述电容器提供静电放电保护，其中，所述第一静电放电事件的第一静电放电电流的第一上升时间比所述第二静电放电事件的第二静电放电电流的第二上升时间长。2.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，在所述第一静电放电事件期间，所述第一线圈被配置成传导所述第一静电放电事件的静电放电电流，同时所述快速瞬态静电放电保护电路不激活。3.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，在所述第二静电放电事件期间，所述快速瞬态静电放电保护电路被配置成传导所述第二静电放电事件的静电放电电流，同时所述第一线圈被配置成处于高阻抗相。4.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路被配置成在当所述RFIC器件在没有静电放电事件的情况下发射或接收射频信号时的正常工作期间不激活。5.根据权利要求4所述的RFIC器件，其中，在所述RFIC器件的正常工作期间，射频电流流过所述第一线圈。6.根据权利要求1所述的RFIC器件，还包括：第二线圈，其感应地耦合至所述第一线圈；以及有源电路，其被耦接至所述第二线圈的端子，其中，所述第一线圈和所述第二线圈被配置成用作变压器，以在所述第一线圈与所述第二线圈之间传递射频信号。7.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路包括：第一多个二极管，其被串联耦接并且具有沿第一方向的第一极性；以及第二多个二极管，其被串联耦接并且具有与沿所述第一方向的所述第一极性相反的、沿第二方向的第二极性，其中，所述第一多个二极管在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间、与所述第二多个二极管并联或串联耦接。8.根据权利要求7所述的RFIC器件，其中，所述第一多个二极管和所述第二多个二极管是浅沟槽隔离边界pn二极管、浅沟槽隔离边界np二极管、非浅沟槽隔离边界pn二极管或非浅沟槽隔离边界np二极管。9.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路包括串联耦接在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间的多个n沟道金属氧
化物半导体二极管或多个p沟道金属氧化物半导体二极管。10.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路包括在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间的、与栅极接地n沟道金属氧化物半导体晶体管串联耦接的n沟道金属氧化物半导体二极管。11.根据权利要求1所述的RFIC器件，其中，所述快速瞬态静电放电保护电路包括：以反向串联配置耦接在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间的第一n沟道金属氧化物半导体晶体管和第二n沟道金属氧化物半导体晶体管；在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间、与第一电阻器串联耦接的第一二极管，其中，所述第一二极管的阴极被耦接至所述第一射频输入/输出端子，并且所述第一二极管与所述第一电阻器之间的第一节点被耦接至所述第二n沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及在所述第一射频输入/输出端子与所述第二射频输入/输出端子之间、与第二电阻器串联耦接的第二二极管，其中，所述第二二极管的阴极被耦接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫尔诺特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：