一种具有多级的电容平均流水线模数转换器。每一级均具有第一开关电容电路和与第一开关电容电路并行的第二开关电容电路。同时，还公开了相应的方法。

一工作周期校正电路包括一平均电路，配置以接收一第一信号以及一第二信号，并提供一第三信号，一工作恢复电路，配置以接收该第三信号以及一第四信号，并提供一具有较该第一信号更接近５０％之一工作周期的第五信号，以及一同步镜像延迟电路，配置以接收该...

本发明涉及一种为晶体管驱动器电路提供电压供给的电路装置。电路装置具有：第一自举电路，其由参考较低供给电位的第一辅助电压供给，该自举电路包括第一电容器，其为驱动器电路提供供给电压；第一电荷泵，被设计以至少在特定时间段期间保持第一电容器中的...

本发明披露了一种半导体器件。一个实施例包括载体、附着于载体的半导体芯片、第一导线和第二导线，该第一导线具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上，该第二导线具有第二厚度并沉积在半导体芯片和载体上。第一厚度小于第二厚度。

本发明公开了一种堆叠半导体芯片。一个实施例提供了第一半导体芯片的阵列，利用模制材料覆盖第一半导体芯片的阵列，以及在第一半导体芯片的阵列上设置第二半导体芯片的阵列。减小第二半导体芯片的厚度。通过分离模制材料使第一半导体芯片的阵列独立。

本发明披露了一种半导体器件和方法。一个实施例提供了基板和施加在基板上的第一半导体芯片。第一导电层施加在基板和第一半导体芯片上。第一电绝缘层施加在第一导电层上。第二导电层施加在第一电绝缘层上。

本发明涉及一种包含与芯片背面相连的电子元件的半导体器件，其中提供了一种半导体封装，其包括：基片；包含第一表面和与第一表面相对的背面的至少一个芯片，该第一表面与基片电连接；与至少一个芯片的背面相连的导电层；以及与导电层相连并与基片电通信连...

本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该...

一种制造多半导体器件的方法。将导电层施加到半导体晶片上。对半导体晶片进行结构化以制造多半导体芯片。对导电层进行结构化以制造多半导体器件。

本发明公开了一种电器件及其方法。一个实施例提供了：基板、完全设置在该基板表面的平面部分上方的传感器芯片。在基板和传感器芯片上方设置均质结构的材料层。在基板和材料层之间形成腔。传感器芯片设置在该腔内部。

本发明提供了电子器件，其包括限定第一主表面的携载件、附连到第一主表面的芯片、连接到第一主表面的引线阵列以及设置在携载件的第一主表面上的一厚度的包封材料。每个引线延伸穿过这一厚度的包封材料。

本发明涉及传感器模块及其制造方法，其中制造传感器模块的方法，包括：提供基片，它的第一主面上包含一阵列磁性敏感元件。将一阵列导线加到基片的第一主面上。将一阵列电连线加到基片的第一主面上。在加上电连线后将基片分成单件。

一种基板（１００－６００），包括：半导体基板（１），所述半导体基板（１）具有第一主面（３）、第二主面（４）、以及从所述第一主面（３）延伸至所述第二主面（４）的至少一个通道（２），其中所述至少一个通道（２）在第一位置（５）具有第一横截面（...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。第一半导体被模塑料覆盖。通孔在模塑料中形成。将第一材料沉积在通孔中。

本发明描述了一种器件，其包括第一半导体芯片、嵌有第一半导体芯片的模塑料层、施加在模塑料层上的第一电性导通层、布置在模塑料层上的通孔和填充通孔的焊锡材料。

本发明公开了一种具有带有阻挡层的半导体衬底的集成电路。该布置包括半导体衬底和金属元件。碳基阻挡层设置在半导体衬底和金属元件之间。

本发明提供了一种集成电路模块的制造方法，包括：提供第一载体的整体阵列、在第一载体上布置第一半导体芯片、以及在所述半导体芯片上布置第二载体的整体阵列。