传感器模块及其制造方法技术

本发明专利技术涉及传感器模块及其制造方法，其中制造传感器模块的方法，包括：提供基片，它的第一主面上包含一阵列磁性敏感元件。将一阵列导线加到基片的第一主面上。将一阵列电连线加到基片的第一主面上。在加上电连线后将基片分成单件。

【技术实现步骤摘要】

和
技术介绍
某些磁性速度传感器被用来测量磁性齿轮的速度.这类磁性速度传感器通常包含具有许多磁性传感器元件的集成电路，例如霍尔传感器元件或xMR传感器元件(例如，GMR-大型磁阻；AMR-各向异性磁阻；TMR-隧道磁阻；CMR-巨型磁阻).永久磁体为传感器元件提供偏置磁场，当轮旋转时，轮齿通过传感器前面并产生小的场变化，这种变化可用集成电路检测，检测到的场包含有关轮的角向位置和旋转速度的信息.另一种类型磁性传感器是磁性开关(如霍尔开关)，它可用于折叠式手机内确定手机是开着或已关闭。人们希望能对磁性传感器进行测试，以帮助确保此传感器正常工作。测试磁性传感器的方法之一，是利用外部磁芯将测试磁场加到传感器上，并测量传感器的响应.除了外部设备的费用之外，采用这类外部磁场源的另一个问題是，磁芯和被测试传感器之间必须精确对准.位置误差可能使测试结果不准确。
技术实现思路
一种实施例提供制造传感器模块的方法。此方法包括提供基片，在它的第一主面上有一阵列磁性敏感元件.在基片笫一主面上有一阵列导线。在基片笫一主面上有一阵列电连线。在加上电连线之后将基片分成独立的小块。附图说明所含附图可帮助进一步了解本专利技术，并与本说明书融合，构成它的一部分.附图演示本专利技术各实施例，并与说明一起用来解析本专利技术的原理.通过参阅以下详细说明更好地了解本专利技术，将容易领会它的其它实施例及许多预期的优点.附图各元件彼此不一定成比例。相似的参考数字表示相应的类似元件.图1A-1D是按照一个实施例制造传感器模块的示意图，图2A-2H是按照另一个实施例制造传感器模块的示意图。图3是按照一个实施例的一种传感器模块(示于图2H) —部分的更详细示意图，图4是按照另一个实施例制造传感器模块的示意图。图5是按照另一个实施例制造传感器模块的剖视图.图6是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视示意图，图7是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视示意图，但增加了测试导体。图8是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的侧视图，及用测试导体产生磁场的示意图。图9是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视图，但增加了测试导体线團。图IO是按照一个实施例的多芯片模块剖视图，包括测试导体线围， 图11是图IO所示多芯片模块，及按照一个实施例用测试导体线围产生磁场的示意图。 具体实施例方式下面的详细说明参考了构成它的一部分的附图，其中举例展示了 可实施本专利技术的一些具体实施例。说明中用到的方向性术语，如顶， 底，前，后，前沿，后尾等，是对所述图形方 位的参照，由于本专利技术各实施例的元件可处在一些不同的方位，所用 的方向性术语只是展示性而不是限制性的.应该指出，可以采用其它 的实施例，同时可以作结构上和逻辑上的改变，而不偏离本专利技术的范 围.因此，不应把下面的详细说明看成是限制性的，而且本专利技术的范 围是由后面的权利要求书界定。我们希望对磁性传感器进行测试，以帮助确保传感器正常工作. 一种实施例提供磁性传感器模块(例如，集成电路)，它包含至少一 个集成在芯片上的导体，以便在模块的测试模式期间产生磁场.在测试模式期间加到磁性传感器上的磁场被用来测试该传感器的功能.图1A-1D是按照一个实施例制造传感器模块的方法示意图.如图 1A所示，提供了一个基片102，在它的第一主面106上包舍一阵列磁 性敏感元件104A-104C.如图1B所示，带一阵列导线110-110C的 元件108被加到基片102的笫一主面106上'如图1C所示， 一阵列 电连线112被加到基片102的第一主面106上.如图1D所示，在加上 电连线U2之后，基片102被分成独立的小块，从而形成许多分离的 传感器模块114A-114C.在一个实施例中，电连线112是焊料元件.在另一个实施例中，电连线112由Au， Oi, Ni， AuSn，或CuSn制成.在还有一个实施例中，电连线112是用Sn帽盖住的Cu或Au接线柱。在一个实施例中，基片102包含半导体晶片，如硅晶片.在另一个实施例中，基片102包含聚合物晶片，后者包含一阵列半导体芯片，且磁性敏感元件104A- 104C被集成在这一阵列芯片内.在一个实施例中，每一个导线110A-110C被用来产生磁场，用以分别测试磁性敏感元件104A-104C。在按照一个实施例的工作中，电压被加到或电流被注入供电焊料元件112，后者与在传感器模块(如模块114A)测试模式期间的一条导线110A-IIOC相连接，使电流经该导线流到接地焊料元件112，后者也连接到该导线.导线产生的磁场被加到磁性敏感元件。在一个实施例中，传感器模块按正常方式(也即与正常工作模式中处理信号相同的方式)，处理由磁性敏感元件产生的信号并产生相应的输出信号。图2A-2H是按照另一个实施例制造传感器模块的方法示意图.如图2A所示，提供了一个承板204，同时双面胶带202被层压在该承板204上，在一个实施例中，承板204是金属板.如图2B所示，胶带202上有许多半导体芯片206A-206C。在一个实施例中，采用拾取-安置方法从独立的半导体晶片取出独立的半导体芯片，并将这些芯片置于胶带202上，而且半导体芯片的工作区面对胶带202.半导体芯片206A - 206C分别包含磁性敏感元件208A-208C,如图2C所示，模压层210被加到半导体芯片206A-206C和胶带202上，以将半导体芯片206A-206C封装。在一个实施例中，模压层210是聚合物.按照一个实施例的半导体芯片206A - 206C和模压层210組合，在这里被称为模压重新组合晶片212.在一个实施例中，该重新组合晶片212具有与标准硅晶片(如200mm硅晶片)相同的几何形状和尺寸.如图2D所示，承板204被从胶带202取下，同时如图2E所示，胶带202被从重新组合晶片212取下.如图2F所示，具有一阵列导线216A-216C的元件214被加到重新组合晶片212上，如图2G所示，一阵列焊料元件(例如，焊料球)218被加在元件214上。在一个实施例中，至少两个焊料元件218被加在每条导线216A-216C上。如图2H所示，其上有焊料球218的重新组合晶片212被分成许多独立的传感器模块220A-220C。在按照一个实施例的工作中，电压被加到或电流被注入供电焊料元件218,后者与在传感器模块(如模块220A)测试模式期间的一条 导线216A-216C相连接，使电流经该导线流到接地焊料元件218，后 者也连接到该导线。导线产生的磁场被加到磁性敏感元件。在一个实 施例中，传感器模块按正常方式(也即与正常工作模式中处理信号相 同的方式)，处理由磁性敏感元件产生的信号并产生相应的输出信号。图3是按照一个实施例的传感器模块220A (如图2H所示) 一部 分的更详细示意图。如图3所示，元件214是形成在模压层210和芯片 206A上。在一个实施例中，元件214是再分布层(RDL)结构，它包 括一些绝缘层(如聚合物层)，至少一个金属层(例如夹在两个绝缘 层间的金属层)。在所示实施例中，元件214包括夹在两个绝缘层214B 和214C间的金属层214A。 RDL的各独立层214A - 214C结构是按顺 序加在重新组合晶片212上。在另一个实施例中，元件214是层本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造传感器模块的方法，包括：　提供基片，它的第一主面上包含一阵列磁性敏感元件；　将一阵列导线加到基片的第一主面上；　将一阵列电连线加到基片的第一主面上；及　在加上电连线后将基片分成单件。

【技术特征摘要】
US 2007-12-14 11/9569711. 制造传感器模块的方法，包括提供基片，它的第一主面上包含一阵列磁性敏感元件；将一阵列导线加到基片的第一主面上；将一阵列电连线加到基片的第一主面上；及在加上电连线后将基片分成单件。2. 如权利要求l的方法，其中基片包括半导体晶片。3. 如权利要求l的方法，其中基片包括包含一阵列芯片的聚合物 晶片。4. 如权利要求3的方法，其中磁性敏感元件集成在芯片阵列内。5. 如权利要求l的方法，还包括 在加上导线阵列之前在基片上加上第一聚合物层。6. 如权利要求5的方法，其中导线阵列加在笫一聚合物层上面。7. 如权利要求6的方法，还包括 在导线阵列上加上第二聚合物层。8. 如权利要求l的方法，其中导线阵列是通过加包括导线阵列的 层板加上的。9. 如权利要求l的方法，其中电连线是焊料元件，且至少两个焊 料元件被加到每个导线上。10. 如权利要求1的方法，其中每个导线用来产生磁场，用于测 试磁性敏感元件。11. 传感器模块，包括 基片，它包含磁性敏感元件； 至少4个...

【专利技术属性】
技术研发人员：H托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]