本发明描述了一种用于处理含氧半导体晶片的方法，其中所述含氧半导体晶片具有第一面、与第一面相对的第二面、与第一面邻接的第一半导体区域、和与第二面邻接的第二半导体区域，所述方法包括如下方法步骤：用高能粒子辐照晶片的第二面，因此在第二半导体区...

本发明描述了一种用于处理含氧半导体晶片的方法，其中所述含氧半导体晶片具有第一面、与第一面相对的第二面、与第一面邻接的第一半导体区域、和与第二面邻接的第二半导体区域，所述方法包括如下方法步骤：用高能粒子辐照晶片的第二面，因此在第二半导体区...

本发明涉及一种补偿元件，其中漂移区（２）内的补偿区域（５）以Ｖ状形式被配置，以便从而实现空间电荷区（９）从补偿区域（５）的上端到下端的会聚。因而使阶跃电容曲线平滑。

本发明涉及具有四个功率半导体芯片（Ｎ１，Ｎ２，Ｐ１，Ｐ２）和一半导体控制芯片（ＩＣ）的作为Ｈ桥电路（４２）的功率半导体模块（４１），及制造该功率半导体模块（４１）的方法。半导体芯片（Ｎ１，Ｎ２，Ｐ１，Ｐ２，ＩＣ）设置在一引线平面（８０）...

本发明涉及一种半导体器件，具有半导体主体（１００）以及以下特征：在半导体主体（１００）中的第一导电类型的漂移区（２；２１１），由半导体材料制成的漂移控制区（３；２４１），其至少按片段地与漂移区（２）相邻地设置在该半导体主体中，设置在漂移...

本发明涉及用于制造太阳能电池的方法，该方法具有以下方法步骤：提供具有两个相对侧和ｐ型基本掺杂的单晶质半导体实体；将质子通过第一侧以以下方式注入半导体实体，即形成一定数量的相互间隔设置的缺陷区域，这些缺陷区域始于一侧延伸入半导体实；执行热...