英迪那米徐州半导体科技有限公司专利技术

英迪那米徐州半导体科技有限公司共有37项专利

  • 本发明公开了一种电弧喷涂用粉末材料及制备工艺,其原料组成按重量比份包括:镍基合金粉末25
  • 本发明公开了一种铝合金阳极氧化电解液,其原料组分按重量份比包括:主料:乙二醇20
  • 本发明公开了一种纳米氧化钇粉体的合成方法,该合成方法包括以下步骤:步骤一、将硝酸钇溶液分散在醇中,加入PH调节剂调节PH至11
  • 本发明公开了一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤:A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗,时间为20min
  • 本发明公开了一种半导体芯片的清洗方法,采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗,并使温度设置为60~70℃,随后使温度降至常温,用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗,使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗,采...
  • 本发明公开了一种铝合金硬质阳极氧化电解液,由以下原料按质量比计制得:硫酸50
  • 本发明公开了一种掺铕三氟化钇纳米纤维的制备方法,具体包括以下步骤:S1、制备纺丝液;S2、制备原始复合纤维;S3、制备Y2O3:Eu
  • 本发明公开了一种用于压铸铝合金的阳极氧化装置,包括支架、底盘、电机、第一轴轮杆、丝杆滑块、联动块、丝杆、第一支撑座、滑轨、第二支撑座、连接轴、气缸、氧化篓、清洁装置、反应装置和上漆装置等;本发明结构合理简单、生产成本低、安装方便,功能齐...
  • 本发明公开了一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺,包括以下步骤:将待处理零部件通过清洗液超声波清洗,然后自来水冲洗;将清洗后的零部件进行二次清洗,然后采用自来水冲洗;然后将零部件浸没到除锈液中,浸没时长为5~8分钟;除锈后进行钝化操作...
  • 本发明公开了一种铝合金阳极氧化电解液制备工艺,该铝合金阳极氧化电解液制备工艺包括以下步骤:步骤一、将硫酸、多元醇以及有机膦酸等体积混合,混合均匀后得到混合溶液;步骤二、向搅拌中的所述混合溶液加入PH调节剂,至PH值为2.0
  • 本发明公开了一种钢材表面电弧喷涂处理方法,包括电弧本体、打磨装置、工件夹持装置和自动喷涂装置,包括如下步骤,S1、表面预处理、S2、电弧喷涂、S3、冷却处理,本发明涉及钢材技术领域。该钢材表面电弧喷涂处理方法,解决了电弧喷涂在施工的过程...
  • 本发明公开了一种清洗半导体零部件的装置及方法,包括清洗壳体、溢流壳体、挡板、第一液压气缸、第一伸缩杆、网孔支撑板、半导体零部件、第二液压气缸、第二伸缩杆、清洁刷、搅拌组件以及超声波清洗机,第一伸缩杆的上端与第一液压气缸的输出端连接,第一...
  • 本发明公开了一种等离子喷涂涂层的封孔方法,包括以下步骤,步骤一、预处理;步骤二、固定;步骤三、准备封孔;步骤四、开始封孔;步骤五、更换固定;步骤六、进一步封孔;步骤七、固化处理;步骤八、进一步固化,本发明涉及等离子喷涂技术领域。该等离子...
  • 本发明公开了一种三氧化二钇弥散强化铜合金的制备方法,包括以下步骤:步骤1:按重量百分比配制Cu
  • 本发明公开了一种氟化钇薄膜的制备方法,步骤1:将水合硝酸钇、氟化铵按照摩尔配比1:3.05
  • 本实用新型公开了一种用于等离子喷涂设备的过滤装置,包括喷枪,喷枪内设有阴极枪头、阳极喷嘴、进料口及进气口,阴极枪头向阳极喷嘴发射等离子流,进料口与阳极喷嘴连通,进料口上设有进料管路,进料管路上设有抽料泵,还包括储料箱及过滤装置,储料箱的...
  • 本实用新型公开了一种半导体零部件的清洗液过滤装置,其特征在于:包括过滤箱、横板、辊轴、驱动机构及若干个过滤盒,所述横板固定安装在所述过滤箱内,且其上开设有若干个筛孔,所述辊轴转动安装在所述横板与所述过滤箱的顶板之间,所述驱动机构安装在所...
  • 本实用新型公开了一种氧化钇粉制备过程中搅拌装置,包括底座及搅拌桶,所述搅拌桶上安装有进液管,所述进液管上安装有开关阀,其特征在于:所述搅拌桶内转动安装有搅拌辊,所述搅拌辊上固定套接有第一螺旋叶片及第二螺旋叶片,所述底座固定安装有水泵,所...
  • 本实用新型公开了一种铝合金精密加工用夹具,包括两个相对安装的夹板,其特征在于:所述夹板的夹持面上开设有若干个均匀分布的开孔,所述开孔内滑动插接有防滑销,所述防滑销的后端与所述开孔的孔底之间固定安装有螺旋弹簧,所述螺旋弹簧使所述防滑销的前...
  • 本实用新型公开了一种精密加工用去毛刺装置,包括呈从上至下设置的打磨机构、工件放置机构及工作平台,打磨机构可实现多向位移,工作平台包括基座及XY移动平台,XY移动平台固定设于基座上,XY移动平台上设有滑动连接的滑台,工件放置机构包括倾斜平...