一种半导体芯片的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片的清洗方法，采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗，本发明专利技术方式比较环保，且降低各种清洗液的使用量，在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净，且较传统的清洗方法效果更加明显，并且在表面产生亲水性，可避免再次发生金属污染，大大降低了二次金属污染的概率，保证了使用寿命。了使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片的清洗方法
，具体为一种半导体芯片的清洗方法。

技术介绍

[0002]传统半导体芯片的清洗方法大多存在需要大量消耗清洗液，并且效果没有那么理想，而且在清洗完成后，而然会出现再次污染的情况，大大降低了其使用寿命，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的清洗方法，本专利技术方式比较环保，且降低各种清洗液的使用量，在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净，且较传统的清洗方法效果更加明显，并且在表面产生亲水性，可避免再次发生金属污染，大大降低了二次金属污染的概率，保证了使用寿命，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0005]步骤一：采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，以去除表面的有机物；
[0006]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0007]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0008]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；
[0009]步骤五：在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。
[0010]优选的，所述步骤一～步骤四均在真空环境下进行。
[0011]优选的，所述步骤一中臭氧化的DI水浓度为0.5ppm。
[0012]优选的，所述步骤二中硫酸和过氧化氢混合液中硫酸：过氧化氢：水的比例为1:1:3。
[0013]优选的，所述步骤三中氢氟酸和氯化氢混合液中氢氟酸：氯化氢：水的比例为1:2:10。
[0014]优选的，所述步骤四中氯化氢和臭氧混合液中氯化氢：臭氧：水的比例为1:3:7。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0016]本专利技术方式比较环保，且降低各种清洗液的使用量，在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净，且较传统的清洗方法效果更加明显，并且在表面产生亲水性，可避免再次发生金属污染，大大降低了二次金属污染的概率，保证了使用寿命。
具体实施方式
[0017]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]本专利技术提供一种技术方案：一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0019]步骤一：采用臭氧化的DI水(浓度为0.5ppm)进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，以去除表面的有机物；
[0020]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液(硫酸：过氧化氢：水为1:1:3)对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0021]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液(氢氟酸：氯化氢：水为1:2:10)对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0022]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液(氯化氢：臭氧：水为1:3:7)对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；
[0023]步骤五：在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。
[0024]其中，步骤一～步骤四均在真空环境下进行。
[0025]实施例一：
[0026]一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0027]步骤一：采用臭氧化的DI水(浓度为0.5ppm)进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60℃，以去除表面的有机物；
[0028]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液(硫酸：过氧化氢：水为1:1:3)对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0029]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液(氢氟酸：氯化氢：水为1:2:10)对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0030]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液(氯化氢：臭氧：水为1:3:7)对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；
[0031]步骤五：在40℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。
[0032]实施例二：
[0033]一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0034]步骤一：采用臭氧化的DI水(浓度为0.5ppm)进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为70℃，以去除表面的有机物；
[0035]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液(硫酸：过氧化氢：水为1:1:3)对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0036]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液(氢氟酸：氯化氢：水为1:2:10)对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0037]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液(氯化氢：臭氧：水为1:3:7)对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；
[0038]步骤五：在50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。
[0039]实施例三：
[0040]一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0041]步骤一：采用臭氧化的DI水(浓度为0.5ppm)进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为65℃，以去除表面的有机物；
[0042]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液(硫酸：过氧化氢：水为1:1:3)对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0043]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液(氢氟酸：氯化氢：水为1:2:10)对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0044]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液(氯化氢：臭氧：水为1:3:7)对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；
[0045]步骤五：在45℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。
[0046]实施例四：
[0047]一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：
[0048]步骤一：采用臭氧化的DI水(浓度为0.5ppm)进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60℃，以去除表面的有机物；
[0049]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液(硫酸：过氧化氢：水为1:1:3)对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；
[0050]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液(氢氟酸：氯化氢：水为1:2:10)对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；
[0051]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液(氯化氢：臭氧：水为1:3:7)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，以去除表面的有机物；步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；步骤五：在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈如明，陈彩丽，卜庆磊，
申请(专利权)人：英迪那米徐州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：