一种半导体零部件洁净清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体零部件洁净清洗工艺，包括以下步骤：A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min

【技术实现步骤摘要】
一种半导体零部件洁净清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体零部件清洗
，具体为一种半导体零部件洁净清洗工艺。

技术介绍

[0002]半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料；从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。
[0003]半导体零部件加工后需要进行清洗，目前的清洗工艺清洗效率低，清洗效果差，因此，有必要进行改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体零部件洁净清洗工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤：
[0006]A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min-30min；
[0007]B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为30min-50min；
[0008]C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为30min-40min；
[0009]D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为4min-8min；
[0010]E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；
[0011]F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。
[0012]优选的，所述步骤B中清洗剂组分按重量份数包括碘化钠20-30份、氢氧化钾10-20份、N,N-二乙基甲酰胺4-10份、双氧水5-15份、硅酸钠3-9份、四乙基氢氧化铵4-12份。
[0013]优选的，所述步骤B中超声功率为800-1000W。
[0014]优选的，所述步骤E中超声功率为1200-1400W。
[0015]优选的，所述步骤F中氮气吹出流量为30-40L/min。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术采用的清洗工艺操作简单，清洗效果好，能够有效去除灰尘粒子、金属离子、油污、脏污，确保半导体零部件的性能；其中，本专利技术采用的清洗剂环保无污染、易冲洗、无残留，还能够有效去除半导体零部件表面的静电。
具体实施方式
[0017]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范
围。
[0018]实施例一：
[0019]本专利技术提供如下技术方案：一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤：
[0020]A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min；
[0021]B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为30min；
[0022]C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为30min；
[0023]D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为4min；
[0024]E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；
[0025]F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。
[0026]本实施例中，步骤B中清洗剂组分按重量份数包括碘化钠20份、氢氧化钾10份、N,N-二乙基甲酰胺4份、双氧水5份、硅酸钠3份、四乙基氢氧化铵4份。
[0027]本实施例中，步骤B中超声功率为800W。
[0028]本实施例中，步骤E中超声功率为1200W。
[0029]本实施例中，步骤F中氮气吹出流量为30L/min。
[0030]实施例二：
[0031]一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤：
[0032]A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为30min；
[0033]B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为50min；
[0034]C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为40min；
[0035]D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为8min；
[0036]E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；
[0037]F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。
[0038]本实施例中，步骤B中清洗剂组分按重量份数包括碘化钠30份、氢氧化钾20份、N,N-二乙基甲酰胺10份、双氧水15份、硅酸钠9份、四乙基氢氧化铵12份。
[0039]本实施例中，步骤B中超声功率为1000W。
[0040]本实施例中，步骤E中超声功率为1400W。
[0041]本实施例中，步骤F中氮气吹出流量为40L/min。
[0042]实施例三：
[0043]一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤：
[0044]A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为22min；
[0045]B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为35min；
[0046]C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为32min；
[0047]D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为5min；
[0048]E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；
[0049]F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。
[0050]本实施例中，步骤B中清洗剂组分按重量份数包括碘化钠22份、氢氧化钾12份、N,N-二乙基甲酰胺5份、双氧6份、硅酸钠4份、四乙基氢氧化铵6份。
[0051]本实施例中，步骤B中超声功率为850W。
[0052]本实施例中，步骤E中超声功率为1250W。
[0053]本实施例中，步骤F中氮气吹出流量为32L/min。
[0054]实施例四：
[0055]一种半导体零部件洁净清洗工艺,包括以下步骤：
[0056]A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为28min；
[0057]B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为48min；
[0058]C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为38min；
[0059]D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为7min；
[0060]E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；
[0061]F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。
[0062]本实施例中，步骤B中清洗剂组分按重量份数包括碘化钠26份、氢氧化钾14份、N,N-二乙基甲酰胺8份、双氧水7份、硅酸钠8本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体零部件洁净清洗工艺,其特征在于：包括以下步骤：A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min-30min；B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为30min-50min；C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为30min-40min；D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为4min-8min；E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干。2.根据权利要求1所述的一种半导体零...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈如明，陈彩丽，卜庆磊，
申请(专利权)人：英迪那米徐州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：