本发明提供了一种形成树脂复合材料的方法，包含以下的步骤：（１）处理载体树脂的表面以导入离子交换基团，（２）以含金属离子的溶液处理该载体树脂的表面，将金属离子导入以处理该载体树脂表面，（３）使该金属离子转变成含金属元素的成分，（４）在该含...

一种电容材料，包括多层介电结构，包括第一介电层及第二介电层，其中该第一介电层具有变形表面。

一种介电结构，具有介电层，包括充分量之能促使导电层镀覆在该介电层上的镀覆掺杂物。

一种于基材上填充导孔的方法，该方法包括：使该基材与金属电镀浴接触，并施予足够的电流密度以沉积所欲的金属层，其中该电流密度是以正向电流密度（Ｆ）进行１至５０毫秒及逆向电流密度（Ｒ）进行０．２至５毫秒的周期来施予，其中Ｆ／Ｒ比率为１／１至１...

公开一种包含光阻剂清除增进剂并具有提高的清除特性的光呈像组合物。还公开增进光呈像组合物清除性的方法，及使用该光呈像组合物制造印刷线路板的方法。

本发明提供一种制造印刷电路板的方法及组成分，其可减少或消除无电镀镍沉积于不需镀覆金属的通孔内的困扰。本发明亦提供一种能使精加工的沉积保持平整与明亮的方法及组成分。本发明特别适用于制造含一种或多种无电镀镍浸金层的印刷电路板。

一种浸渍银镀敷浴的组合物，该组合物包括一或多种银离子来源、水、一或多种络合试、以及一或多种羧酸取代的含氮杂环化合物，其中，该镀敷浴不含氨及铵离子。

一种浸没式银镀敷浴，其包括一种或多种银离子来源、水以及一种或多种羧酸取代的含氮杂环化合物，其中所述银镀敷浴的ｐＨ值小于或等于４。

一种处理经微粗化的金属表面，以改良金属表面与聚合物料间的粘合的方法。该方法包含于使用粘着促进组合物形成微粗化的转化涂层金属面后，以水性湿润剂组合物后处理经微粗化的转化涂层金属面。该方法可用于电路板产业，以改良多层电路板各层间的粘合。

本发明公开制造电子组件，特别是集成电路的方法。这些方法包括使用通过用可移除的孔原物（ｐｏｒｏｇｅｎ）材料制成的低介电常数材料。

本发明公开了具有低介电常数＞３０％孔洞以及封闭型单元孔结构的多孔性介电材料，以及制备该多孔性介电材料的方法。该材料特别适用于制造电子组件。

本发明提供了含有离子热酸生成剂材料的抗反射组合物。使用这种热酸生成剂材料可明显增加质子介质中的抗反射组合物溶液的贮存期限。可在用于曝光外涂光致抗蚀剂层的各种波长，包括２４８ｎｍ和１９３ｎｍ处有效地利用本发明的抗反射组合物。

本发明涉及光致抗蚀剂，揭示一种包含有机酸并具有改善清除特性的光呈像组合物。也揭示增进光呈像组合物清除性的方法，及使用该光呈像组合物制造印刷线路板的方法。

一种光致抗蚀剂浮雕像的形成方法，包括： ａ）于基材上施涂光致抗蚀剂组合物涂层，该光致抗蚀剂组合物包括光活性成份及包含脂环族离去基的氟化树脂；以及 ｂ）将该光致抗蚀剂组合物层于活化辐射下曝光，然后将该曝光后的光致抗蚀剂组合物涂...

本发明提供一种适合以单一涂覆过程沉积极厚的光刻胶涂层的光刻胶组合物以及方法。这种光刻胶涂层特别适用于芯片级封装。

本发明揭示含硅倍半氧烷黏合剂聚合物及光活性化合物的光可成像组合物、使用该组合物形成浮雕影像的方法及使用该组合物制造电子装置的方法。该组合物可作为光阻剂以及用于制造光电装置。

本发明提供一种适宜在短波长包括亚－３００ｎｍ和亚－２００ｎｍ例如１９３ｎｍ和１５７ｎｍ成像的新型光致抗蚀剂。本发明的光致抗蚀剂包含具有光酸不稳定基团的树脂、一种或多种感光酸生成剂化合物和一种增粘添加剂化合物。本发明的光致抗蚀剂表现出与Ｓ...

提供新的适合在短波（包括小于３００ｎｍ和小于２００ｎｍ，例如１９３ｎｍ和１５７ｎｍ．）成像的光致抗蚀剂。本发明的抗蚀剂包括具有一个或多个粘合促进基团的聚合物组分，所述粘合促进基团能够提高含有聚合物的光致抗蚀剂涂层对下面的基底，包括ＳｉＯ...

本发明涉及聚硅氧烷（硅倍半氧烷）和含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂的新合成方法。本发明的合成方法包括使用具有多个反应性含氮基团的聚合模板试剂，特别是二胺试剂。

本发明揭示新颖的抗反射组合物，其包括包含一种或多种发色团的交联聚合物粒子。本发明亦揭示一种使用这种抗反射组合物形成浮雕像的方法。