本发明提供一种RRAM器件的制备方法，采用低功率的IBE刻蚀，可有效简化工艺流程，有效去除侧壁BE造成的沾污，无需进行药液清洗步骤，可避免材料侧掏的现象，且低功率步骤对TE损伤较小，进一步的通过调整刻蚀过程中基底的倾斜角度，还可加强对侧...

本发明提供一种非易失性SRAM单元及数据读写方法，包括SRAM存储单元，SRAM存储单元包括第一反相器和第二反相器；第一反相器与第二反相器首尾连接构成锁存结构；RRAM电路，RRAM电路包括第三MOS管、第四MOS管和ReRAM结构；第...

本发明提供一种基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法，包括：第一ReRAM电路和第二ReRAM电路；第一ReRAM电路包括第一ReRAM结构和第一晶体管；第一ReRAM结构的一端连接有第一供电电压，另一端与第一晶体管的输入端连接，第...

本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，通过改变研磨停止点，在沉积阻变存储器的阻变层前设置一道预设厚度的通孔填充层。实现化学机械研磨仅需要研磨通孔填充层至预设厚度即可，避免了下电极通孔的填充结构的凹陷或凸起的发生，进而减少了对阻变层的影响...

本申请提供一种比特值更新方法、计数方法、装置、介质及电子设备。所述比特值更新方法包括：获取存储在存储器中的待更新比特值组合；基于循环编码模式对所述待更新比特值组合进行更新，以获取更新后的比特值组合，所述循环编码模式下每次更新前后的两个比...

本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，在研磨后的膜层上增加了一层金属层；实现了隔离研磨后的膜层的平整度对阻变层的影响，达到使得阻变层尽量少受到环境因素的影响，从而改善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技术效果。善阻变存储器的电性和工艺的稳定...

本发明提供一种PUF电路结构及存储介质至少包括：第一控制模块通过接收第一驱动信号输出对应的控制信号；第二控制模块通过接收第二驱动信号输出对应的控制信号；第一存储模块与第二存储模块基于第一控制模块输出的控制信号生成对应的表征信息；第三存储...

本发明提供一种阻变式存储元件及其制备方法。所述阻变式存储元件包括上下依次层叠的下极板层、阻变层、上极板层及上电极结构层，其中，所述上电极结构层包括上下依次堆叠的两个及以上含氮金属层，两个及以上含氮金属层中的含氮量沿远离上极板层的方向逐渐...

本申请提供一种基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片，所述反相器结构包括：PMOS单元和NMOS单元；忆阻器，所述忆阻器串联于所述PMOS单元和所述NMOS单元之间；所述PMOS单元、所述NMOS单元和所述忆阻器构成反相器结...

本发明提供一种自适应环路振荡器结构及信号源包括：振荡器模块基于驱动信号生成振荡信号；第一调节模块通过设置偏置电流进而输出驱动信号，并基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进行正向调节；第二调节模块基于振荡器模块反馈的工作状态对驱动信号进...

本发明提供一种电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法，存储元件包括依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；所述第二电极的材料为MNx，所述阻变存储层的材料为MOy，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种。本发明将第二电极的金属原...

本申请提供一种阻变随机存储器及其操作方法、存储介质及电子设备。所述阻变随机存储器的操作方法包括：在上电或重启时，获取阻变随机存储器的温度；根据所述温度配置阻变随机存储器的写入算法，所述写入算法包括电压值、电压递进幅度、脉冲宽度、脉冲数量...

本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制备方法，电阻式随机存取存储器包括：依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；第二电极包括：第一子电极层，设置于阻变存储层上；限制层，设置于第一子电极层上；第二子电极层，设置于限制层上；限制层用于限...