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信越化学工业株式会社专利技术
信越化学工业株式会社共有3582项专利
具有(聚)甘油基和聚氧化烯基的有机聚硅氧烷和处理的疏水性粉体、以及分散体和化妆料制造技术
提供通过对疏水性粉体进行处理使该经处理的疏水性粉体在水中良好地分散的有机聚硅氧烷、处理的疏水性粉体以及分散体和化妆料。该有机聚硅氧烷为具有(聚)甘油基和聚氧化烯基的有机聚硅氧烷。
衬底基板及单晶金刚石层叠基板以及它们的制造方法技术
本发明为一种衬底基板,其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中,具有初始基板与在所述初始基板上的中间层,所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</sub...
导热性层叠绝缘基板制造技术
本发明为一种导热性层叠绝缘基板,其为具有弹性层的导热性层叠绝缘基板,并且,所述导热性层叠绝缘基板在导热性陶瓷绝缘基板的表面直接层叠有所述弹性层。由此,提供一种热阻值小且导热性优异的导热性层叠绝缘基板。
导热性组合物及其固化物制造技术
提供导热性组合物,其包含:(A)由下述式(1)表示、23℃下为液体的有机聚硅氧烷:100质量份;和(B)导热性填充剂:2000~7000质量份,25℃下的粘度为1000Pa·s以下。(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO...
抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法,其特征为具备:涂布步骤,将含有具有金属‑氧...
含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法技术
本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供含有使上层抗蚀剂的感度、LWR、分辨度改善,对图案崩塌防止有贡献的热硬化性含硅材料的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组成物的图案形成方法。该...
化妆品制造技术
本发明的技术问题在于提供一种触感轻盈、延展良好、化妆膜均匀且具有优异的经时稳定性及优异的持妆性的化妆品。本发明的解决手段为一种化妆品,其特征在于,其包含:(A):下述式(1)所表示的沸点在205~255℃的范围内且25℃下的运动粘度小于...
密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法技术
本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性,具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形...
导热性加成固化型有机硅组合物及其固化物制造技术
本发明涉及一种导热性加成固化型有机硅组合物,其特征在于,其包含:(A)有机聚硅氧烷,其1分子中具有至少1个脂肪族不饱和烃基且其25℃下的运动粘度为60~100,000mm2/s;(B)酚化合物,其为相对于组合物整体为0.01~10质量%...
抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法技术
本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜,且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料,包含:(A)不...
全氟聚醚-有机聚硅氧烷嵌段共聚物制造技术
本发明提供一种全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚物其具有氟聚醚基,能够控制分子中的硅氧烷单元数等,且与非氟系有机化合物的亲和性优异。本发明的全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚物为具有全氟聚醚嵌段和有机聚硅氧烷嵌段的全氟聚醚‑有机聚硅氧烷嵌段共聚...
含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法技术
本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案...
用于非水电解质二次电池的负极活性物质及其制备方法技术
本发明提供一种具有负极活性物质颗粒的用于非水电解质二次电池的负极活性物质,该负极活性物质颗粒含有硅化合物(SiO<subgt;x</subgt;:0.5≤x≤1.6)颗粒,所述负极活性物质颗粒的至少一部分被碳材料包覆,所述负...
亲水性共聚物和亲水性组合物制造技术
包含由下述式(1)表示的结构单元(a)和由下述式(2)表示的结构单元(b)的亲水性共聚物可形成亲水性、防雾性和耐水性优异的涂膜。(式(1)中,R1表示氢原子或甲基,R2各自独立地表示氢原子或碳原子数1~6的烷基,X1表示二价的连接基,式...
波长转换体及使用了该波长转换体的波长转换材料制造技术
本发明涉及一种波长转换体,其中,作为半导体纳米颗粒,所述波长转换体包含将波长450nm的光转换为波长λ<subgt;1</subgt;nm的光的第一半导体纳米颗粒、与将波长450nm的光转换为波长λ<subgt;2&l...
鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法技术
本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供在远紫外线光刻及EUV光刻中,LWR、分辨度优良,而且可抑制抗蚀剂图案的崩塌的化学增幅抗蚀剂组成物,以及提供该化学增幅抗蚀剂组成物使用的鎓盐及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方...
负极活性物质、负极及负极活性物质的制造方法技术
本发明提供一种负极活性物质,其包含负极活性物质颗粒,该负极活性物质的特征在于,所述负极活性物质颗粒含有包含含氧硅化合物的硅化合物颗粒,所述硅化合物颗粒的至少一部分表面被碳层覆盖,所述硅化合物颗粒含有Li<subgt;6</s...
包含醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯的水性组合物和固体制剂的制造方法技术
提供一种水性组合物,其具有耐酸性,即使不具备冷却设备等,也不会发生喷雾喷嘴堵塞,且能够以简便的方法适宜地用于肠溶性包衣制剂。一种水性组合物,其至少包含醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯、中和剂和水,所述醋酸羟丙甲纤维素琥珀酸酯的每1单位无水葡萄糖...
含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法技术
本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明提供含金属的膜形成用化合物,提供具有优良干蚀刻耐性且兼顾高填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物。一种下列通式(M)表示的含金属的膜形成用化合物。T<...
图案形成方法技术
本发明涉及图案形成方法。本发明提供不会对基板造成损伤而能简便且有效率地形成微细的图案的图案形成方法。一种图案形成方法,于被加工基板上形成有机下层膜、含锡中间膜及上层抗蚀剂膜,形成上层抗蚀剂图案,将上层抗蚀剂图案转印于含锡中间膜,形成含锡...
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