本公开整体涉及用于减少用于在功率损失事件之后将存储设备内的数据恢复到一致状态的能量的量的方法和设备。一旦主机设备失去电力，并且在完全关闭之前，就在存储设备的非易失性存储器(NVM)内创建日志。日志包含对应于经历写入失败的数据的逻辑块地址...

本公开提供一种存储设备，所述存储设备可包括解码器，所述解码器被配置为基于内容感知解码过程将位连接到内容节点。所述内容感知解码过程可以是动态的，并且基于数据中的模式来确定位和内容节点的连接结构。在一些情况下，所述解码器可基于内容感知解码过...

本公开提供了一种计算单元，所述计算单元包括具有多个可执行存储器单元的数据处理单元。所述多个可执行存储器单元中的每个可执行存储器单元包括用于存储代码的代码部分、用于存储数据的数据部分和用于将所述代码应用于所述数据的算术逻辑单元。所述计算系...

本发明提供了用于在传统SSD模式和开放沟道SSD(OCSSD)模式之间切换固态设备(SSD)的装置和技术。在一个方面，一组命令被定义用于在所述主机和所述SSD之间传送来自闪存转换层(FTL)的不同类型的数据。所述命令可包括以标准化格式承...

公开了一种包括一个或多个TMR传感器的隧穿磁阻(TMR)传感器设备。该TMR传感器设备包括：第一电阻器，该第一电阻器包括第一TMR膜；第二电阻器，该第二电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜；第三电阻器，该第三电阻器包括该第二TM...

本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥。每个电阻器包括多个TMR结构。两个电阻器具有相同的TMR结构。其余两个电阻器也具有相同的TMR结构，但该TMR结构不同于其他两个电阻器。另外，与具有相同TMR结构的其余两个电阻器相比，具有相同T...

公开了一种包括一个或多个TMR电阻器的隧道磁阻(TMR)传感器设备。该TMR传感器设备包括：第一TMR电阻器，该第一TMR电阻器包括第一TMR膜；第二TMR电阻器，该第二TMR电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜；第三TMR电阻...

公开一种包括隧穿磁阻(TMR)传感器的惠斯通电桥阵列及一种制造方法。用于所述TMR传感器的底部引线不仅由于化学机械平坦化(CMP)并且还由于从多个层形成所述底部引线而因此具有极小表面粗糙度。所述多个层至少包含底部第一金属层及安置在所述第...

本公开大体上涉及一种具有四个电阻器的惠斯登电桥。每一电阻器包含多个TMR结构。两个电阻器具有相同TMR结构。剩下的两个电阻器也具有相同TMR结构，但所述TMR结构不同于其它两个电阻器。此外，具有相同TMR结构的所述两个电阻器相比于具有相...

本发明公开一种阴极结构，其用于与用于在装置上，如在硬盘驱动器的滑动器上形成类金刚石碳(DLC)膜的脉冲式阴极电弧沉积系统一起使用。在说明性实例中，由导电和导热材料构成的基底层设置于所述阴极的陶瓷衬底与石墨涂料外涂层之间，其中所述基底层是...

本发明题为“动态预测延迟属性”。本公开整体涉及动态地改变预测延迟相关属性以增大操作的确定性窗口(DTWIN)。主机设备工作负荷特性以及存储器设备的当前状况为该DTWIN的持续时间提供了有价值的信息。如果该存储器设备接近寿命终点，则该DT...

本公开总体涉及用于同时解码数据的方法和设备。不是将待解码的数据发送到单个解码器，而是可以将数据发送到多个可用解码器，使得可以并行解码所述数据。从完成所述数据解码的所述第一解码器解码的数据将被传送到所述主机设备。被并行解码的所有剩余的经解...

用于管理存储器装置中与温度有关的故障的装置、方法和系统。检测存储器块的擦除故障，且如果所述存储器装置温度低于阈值温度，则将所述存储器块标记为生长不良块。如果所述温度超出所述阈值温度，则确定所述块的存储器单元是否超出第一阈值电压。如果所述...

本发明题为“用于减少读取‑修改‑写入操作的延迟的系统和方法”。提供了包括存储器和控制器的存储设备的各方面，该存储设备允许减少在来自主机的数据长度在两端处与控制器的写入长度未对齐时的读取‑修改‑写入操作的延迟。当控制器从主机设备接收到针对...

本发明公开了一种MRAM存储器单元，该MRAM存储器单元包括SHE层、具有垂直各向异性的磁位层和奥斯特层。该磁位层具有可切换的磁化方向以便存储数据。使用自旋霍尔效应将数据写入该MRAM存储器单元，使得在该SHE层中生成的自旋电流在该磁位...

本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个...

本发明题为“设备能力的焊盘指示”。公开了用于检测可移除集成电路卡，诸如可移除存储卡的能力集的技术。可移除集成电路卡具有指示可移除集成电路卡的能力集的一个或多个能力焊盘。物理条件可以是一个或多个能力焊盘的物理配置，诸如能力焊盘的尺寸或位置...

一种设备包含非易失性存储器介质和存储控制器。所述存储控制器配置成从主机的提交队列获取存储命令。所述提交队列具有提交队列识别符(SQID)。所述存储控制器随后响应于接收到由于获取所述存储命令而引起的传输层分组(TLP)错误来确定提交队列获...

一种设备包含非易失性存储器和配置成对所述非易失性存储器进行编程的控制电路。所述控制电路配置成改变编程顺序。在一个方面中，所述控制电路改变从一个时间点到另一时间点对字线进行编程的所述顺序。在一个方面中，所述控制电路使用一种顺序以对一个字线...

一种设备包含多个存储器裸片和耦合到所述多个存储器裸片的控制器。所述控制器配置成以缩短执行随机读取命令所需的总时间的方式选择性地处理所述多个随机读取命令。