本公开的实施方案整体涉及具有形状各向异性的磁性隧道结(MTJ)的传感器。在一个实施方案中，处于惠斯通配置的基于隧道磁阻(TMR)的磁性传感器包括至少一个磁性隧道结(MTJ)。MTJ包括具有第一边缘和第二边缘的自由层。该自由层具有约

本公开的实施方案整体涉及磁性隧道结(MTJ)的大场范围TMR传感器，这些MTJ包括具有固有各向异性的自由层。在一个实施方案中，惠斯通配置中的基于隧道磁阻(TMR)的磁性传感器包括至少一个MTJ。该MTJ包括具有固有各向异性的自由层，该固...

本发明涉及一种感测设备，该感测设备包括多个磁阻(MR)传感器、至少一个流体通道以及耦接到该MR传感器的检测电路。每个MR传感器被配置为检测由磁性纳米颗粒(MNP)标记的分子(例如，生物分子)的存在。传感器由绝缘材料封装，该绝缘材料保护传...

本文公开了使用磁性纳米颗粒(MNP)来鉴定分子的检测设备、系统和方法。本公开的实施方案包括磁性传感器(例如，磁阻传感器)，这些磁性传感器可用于检测由MNP发射的温度依赖性磁场(或磁场变化)，并且具体地讲，用于区分在不同温度下由MNP发射...

本文公开了利用荧光染料的发光强度的温度依赖性对核酸进行测序的改进的方法和系统。在每个测序循环期间调节测序反应的温度，并且使用这些荧光染料在不同温度下或在不同温度范围内达到或超过阈值的光的发射或不发射来检测掺入的dNTP的荧光标记物，从而...

本发明题为“双SLC/QLC编程和资源释放”。本公开总体涉及改进的模糊‑精细编程。并非初始写入SLC然后稍后用从SLC读取的数据对MLC执行模糊写入再然后用从SLC重新读取的数据对MLC执行精细写入，而是模糊写入到MLC可使用相同缓冲区...

本发明题为“NVMe SGL位存储桶传输”。实施方案总体涉及由数据存储设备处理NVMe散射收集列表位存储桶传输。该数据存储设备将与位存储桶传输相关联的数据传输到数据存储设备的主机或控制器存储器缓冲器。该数据存储设备可通过修改事务层分组(...

提供一种用于边界字线数据保持处理的存储系统和方法。在一个实施例中，所述存储系统包含具有单层级单元(SLC)块和多层级单元(MLC)块的存储器。所述系统确定所述MLC块中的边界字线是否具有数据保持问题(例如通过确定自所述边界字线被编程以后...

本公开总体上涉及一种采用磁记录头的磁介质驱动器。所述磁记录头包括第一写磁头、第二写磁头、至少一个读磁头以及温度悬浮量控制元件。所述第一写磁头是包括第一主极和第一后屏蔽件的宽写写磁头。所述第二写磁头是包括第二主极、后间隙、第二后屏蔽件和一...

一种由存储设备访问数据的方法包括向主机发出对主机存储器的DMA读取请求。估计主机周转时间。该主机周转时间是发出该DMA读取请求时和来自该DMA读取请求的请求数据的初始数据分组从该主机到达该存储设备时之间的时间间隔。初始化该存储设备的数据...

本公开提供了一种存储设备的各方面，该存储设备允许基于单元的温度以更高的传输速率在该单元之间传输数据。该存储设备包括具有多个第一单元和多个第二单元的存储器。该第二单元中的每个第二单元被配置为存储比第一单元中的每个第一单元更多的位。控制器被...

本公开整体涉及操作存储设备的方法。该存储设备包括控制器和介质单元。该介质单元的容量被分成多个分区。该控制器被配置为通过更新分区元数据在知情的情况下使用错误，以指示一个或多个第一逻辑块地址被跳过并且指示下一个有效逻辑块地址可用于存储数据。...

本发明提供了一种方法和装置，该方法和装置提供固态驱动器控制器，该固态驱动器控制器被配置为分析来自主机计算设备的输入/输出命令以确定命令是否包括矢量或非矢量命令，并且被配置为基于矢量命令中包含的物理地址生成多个非矢量命令。

本公开的实施方案试图通过并行地执行NVMe设备复位和复位后重新初始化来规避现有方法的定时问题。在实施方案中，NVMe设备复位和重新初始化操作在逻辑上分为可以并行执行的前端操作和后端操作。在从主机接收到复位命令时，NVMe设备执行用于复位...

本公开整体涉及包括TMR传感器的惠斯通电桥阵列及其制造方法。在该惠斯通电桥阵列中，存在四个不同的TMR传感器。这些TMR传感器全部同时制造，以产生具有合成反铁磁自由层作为顶层的四个相同的TMR传感器。这些合成反铁磁自由层包括第一磁性层、...

本公开整体涉及惠斯通电桥，该惠斯通电桥包括多个电阻器，该多个电阻器包括双自由层(DFL)TMR结构。该DFL TMR结构包括位于DLF侧的一个或多个硬偏置结构。另外，DFL的一侧上也可存在一个或多个软偏置结构。两个电阻器将具有相同的硬偏...

本发明提供了一种制造处于惠斯通配置的基于TMR的磁传感器的方法，该方法包括进行磁隧道结(MTJ)的第一退火以及进行MTJ的第二退火。MTJ包括第一反铁磁(AFM)钉扎层、在该第一AFM钉扎层上方的钉扎层、在该钉扎层上方的反并联耦合层、在...

本发明公开了一种包括四个或更多个TMR电阻器的隧道磁阻(TMR)传感器设备。该TMR传感器设备包括：第一TMR电阻器，该第一TMR电阻器包括第一TMR膜；第二TMR电阻器，该第二TMR电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜；第三T...

本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR结构。两个电阻器具有相同的TMR结构。其余两个电阻器也具有相同的TMR结构，但该TMR结构不同于其他两个电阻器。另外，与具有相同TMR结构的其余两个电阻器相比，具有相...

本文公开了一种检测设备，该检测设备包括具有自旋扭矩振荡器(STO)的传感器、被配置为接收待检测的分子的至少一个流体通道，和耦接到该传感器的检测电路。该待检测的分子中的至少一些分子由磁性纳米颗粒(MNP)标记。在经受偏置电流的STO附近存...