具有不同RA TMR膜的磁传感器阵列制造技术

本公开整体涉及具有四个电阻器的惠斯通电桥阵列。每个电阻器包括多个TMR结构。两个电阻器具有相同的TMR结构。其余两个电阻器也具有相同的TMR结构，但该TMR结构不同于其他两个电阻器。另外，与具有相同TMR结构的其余两个电阻器相比，具有相同TMR结构的该两个电阻器具有不同电阻面积。因此，该惠斯通电桥阵列的工作偏置场非零。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有不同RATMR膜的磁传感器阵列相关申请的交叉引用本申请要求2019年12月30日提交的美国申请16/730,730的优先权，该申请要求2019年8月26日提交的美国临时专利申请序列号62/891,934的优先权和权益，这两个专利申请据此以引用方式并入本文。
技术介绍

本公开的实施方案整体涉及惠斯通电桥阵列及其制造方法。相关领域的描述惠斯通电桥是用于通过平衡电桥电路的两个支路来测量未知电阻的电路，其中一个支路包含未知部件。与简单的分压器相比，惠斯通电路提供了极其准确的测量结果。惠斯通电桥包括多个电阻器，尤其是最近包括磁性材料诸如磁传感器。磁传感器可包括霍尔效应磁传感器、各向异性磁阻传感器(AMR)、巨磁阻(GMR)传感器和隧道磁阻(TMR)传感器。与其他磁传感器相比，TMR传感器具有非常高的灵敏度。惠斯通电桥的工作偏置场通常为零。磁体用于针对惠斯通电桥中的TMR传感器生成场。TMR传感器检测沿X方向的磁场。磁性位置变化将影响磁场，并且因此影响偏置场位置。虽然对于惠斯通电桥的初始状态通常期望0工作偏置场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隧道磁阻(TMR)传感器装置，包括：/n第一电阻器，所述第一电阻器包括具有第一电阻面积的第一多个TMR结构；和/n第二电阻器，所述第二电阻器包括具有第二电阻面积的第二多个TMR结构，其中所述第一电阻面积大于所述第二电阻面积。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190826 US 62/891,934;20191230 US 16/730,7301.一种隧道磁阻(TMR)传感器装置，包括：
第一电阻器，所述第一电阻器包括具有第一电阻面积的第一多个TMR结构；和
第二电阻器，所述第二电阻器包括具有第二电阻面积的第二多个TMR结构，其中所述第一电阻面积大于所述第二电阻面积。


2.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。


3.根据权利要求2所述的TMR传感器装置，其中所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。


4.根据权利要求3所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构不同于所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构。


5.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，还包括：
第三电阻器，所述第三电阻器包括具有第三电阻面积的第三多个TMR结构；和
第四电阻器，所述第四电阻器包括具有第四电阻面积的第四多个TMR结构。


6.根据权利要求5所述的TMR传感器装置，其中所述第三电阻面积大于所述第四电阻面积。


7.根据权利要求6所述的TMR传感器装置，其中所述第三电阻面积等于所述第一电阻面积。


8.根据权利要求7所述的TMR传感器装置，其中所述第四电阻面积等于所述第二电阻面积。


9.根据权利要求8所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。


10.根据权利要求9所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。


11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑元凯，C·凯撒，刁治涛，胡志清，钱震中，王勇鸿，万渡江，周荣辉，毛明，姜明，D·毛里，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US