本实用新型涉及一种衬底，包括：芯层，包括相对的第一表面和第二表面；包括至少一条信号线和电镀工艺线的第一导电图案，形成在芯层的第一表面上，至少一条信号线各自包括形成于其一端的具有电镀层的电接触部分，其中，至少一条信号线与电镀工艺线在电镀工...

本发明题为“归一化服务质量的熵驱动耐久性”。提供了包括存储器和控制器的存储设备的各方面，与具有低熵的数据相比，该存储设备允许与媒体流相关联并且具有高熵的数据以改进的数据保护并且以更优化的NAND参数存储在更健康的存储器位置中。在接收到与...

本申请涉及用于磁存储装置的切向及纵向滑行斜坡。本文公开一种用于接收硬盘驱动器的提升片的斜坡。所述斜坡包括第一侧及第二侧，其中所述第一侧与所述第二侧间隔开。所述斜坡还包括倾斜表面，所述提升片在第一方向上移动时沿着所述倾斜表面滑动以从所述硬...

本申请涉及具有型锻凸台插入件的型锻板组合件。一种例如用于硬盘驱动器的磁头折片组合件(HGA)的方法包含型锻板组合件将悬架耦合到致动器臂的一侧，其中所述型锻板组合件包含具有穿孔的底板，以及包括凸缘的型锻凸台插入件和从所述凸缘延伸通过所述底...

一种用于执行装置管理命令的方法包含提供装置管理命令队列指示。所述方法还包含响应于提供所述装置管理命令队列指示从主机接收装置管理命令以及针对每一装置管理命令的相应命令类型。所述方法还包含基于对应于相应装置管理命令的所述命令类型确定所述装置...

本公开总体涉及一种用于在数据存储设备中的每个通道访问更多管芯的方法和设备。每个闪存接口模块(FIM)可以具有与其耦合的任何数量的总线多路复用器，并且每个总线多路复用器可以具有与其耦合的任何数量的存储器设备。总线多路复用器可以串联或并联连...

可以使用主机性能增强器(HPB)从数据存储装置读取数据。读取命令中的已编码HPB条目提供物理块地址(PBA)以及延行长度。逻辑块地址(LBA)、PBA和延行长度置于HPB读取缓冲器表中。所述HPB读取缓冲器表位于主机装置中。当所述数据存...

本发明题为“通过智能阈值检测的命令优化”。提供了包括存储器和控制器的存储设备的各方面，存储设备防止对于同一管芯具有相同读取电压阈值偏移的设定特征命令的重新传输。当控制器接收针对存储在存储器中的数据的第一读取命令时，控制器识别第一参数以修...

用于具有单层级单元(SLC)层和例如三层级单元(TLC)层等多层级单元(MLC)层的非易失性存储器(NVM)阵列的方法和设备提供耦合SLC/MLC写入操作，其中SLC写入保护被组合成MLC写入流。在说明性实例中，将数据并行写入到SLC和...

本发明公开了一种用于子块的动态分配的系统、装置和方法。首先，非易失性存储器阵列接收一组写入命令。非易失性存储器阵列包括被组织成元块的多个存储器管芯。元块被配置为跨越两个或更多个存储器管芯。流管理器确定用于该组写入命令的工作负载类型。块分...

本发明题为“将数据从非能量辅助磁盘表面迁移到能量辅助磁盘表面的数据存储设备”。本发明公开了一种数据存储设备，数据存储设备包括被配置为访问第一磁盘表面的非能量辅助(NEA)磁头和被配置为访问第二磁盘表面的能量辅助(EA)磁头。数据存储设备...

描述了用于确定存储器单的块在该块的擦除操作期间是否为慢擦除的设备和技术。擦除操作在指定的擦除-验证迭代中执行附加的验证测试，以检查块的存储器单元的阈值电压分布的上尾的位置。如果上尾太高，则指示慢擦除块，即使在可允许数量的擦除-验证迭代内...

本发明题为“组合QLC编程方法”。本公开总体涉及改进的模糊

本发明题为“分区存储中的快照管理”。本公开整体涉及一种存储快照管理系统。将更新的数据写入存储器设备而不是重写所有数据时，仅更新的数据被写入新命名空间。新命名空间的快照指示新命名空间中的哪些LBA包含数据。每次更新数据时，添加新命名空间。...

本文公开了一种包括数据路径和访问控制器的数据存储设备。访问控制器生成恢复私有密钥，基于恢复私有密钥生成加密的授权数据，存储加密的授权数据，并且将恢复私有密钥发送到管理器设备。当希望恢复时，访问控制器从恢复管理器设备接收基于恢复私有密钥计...

本文公开了一种数据存储设备，该数据存储设备包括数据路径、访问控制器和数据存储库。数据路径包括：数据端口，该数据端口被配置为在主机计算机系统和该数据存储设备之间传输数据；非易失性存储介质，该非易失性存储介质被配置为存储加密的用户内容数据；...

本公开涉及一种数据存储设备，该数据存储设备包括：非暂态存储介质，该非暂态存储介质被配置为存储用户内容数据；和非暂态数据存储库，该非暂态数据存储库被配置为存储：第一日志条目，该第一日志条目包括：使用第一公共密钥和对应的第一私有密钥中的一者...

本发明题为“循环借用计数器”。本文提供用于生成计数器信号的电路和系统。电路能够包括具有一系列触发器的移位寄存器。系列的触发器中的每个触发器能够耦接到时钟。该移位寄存器能够使用该移位寄存器的触发器的输出来生成借用时钟信号，并且该借用时钟信...

微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁...

本发明公开了磁电或磁阻存储器单元，这些磁电或磁阻存储器单元包括位于自由层和介电帽盖层之间的高介电常数介电帽盖层和/或非磁性金属粉尘层中的至少一者。