用于处理存储器装置中与温度有关的故障的设备和方法制造方法及图纸

用于管理存储器装置中与温度有关的故障的装置、方法和系统。检测存储器块的擦除故障，且如果所述存储器装置温度低于阈值温度，则将所述存储器块标记为生长不良块。如果所述温度超出所述阈值温度，则确定所述块的存储器单元是否超出第一阈值电压。如果所述块的所述存储器单元超出所述第一阈值电压，则将所述块标记为潜在生长不良块。如果所述块的所述存储器单元低于所述第一阈值电压，则确定所述块的若干所述存储器单元是否超出第二阈值电压。如果所述块的所述存储器单元低于所述第二阈值，则对所述块进行编程。如果所述块的所述存储器单元超出所述第二阈值，则标记所述块以用于错误校正并对所述块进行编程。正并对所述块进行编程。正并对所述块进行编程。

【技术实现步骤摘要】
用于处理存储器装置中与温度有关的故障的设备和方法


[0001]本申请涉及非易失性存储器装置，且更明确地说涉及管理此类装置的与温度有关的故障。

技术介绍

[0002]非易失性存储器装置通常包含实施于半导体裸片上的若干存储器单元。通常，存储器的温度在操作负载下增加。在某些情况下，高温可能致使针对存储器单元的读取、写入和/或擦除操作失败。
[0003]在某些情况下，多个半导体裸片堆叠于封装内以增加存储器的容量。所述裸片中的一个或多个的厚度可减小以便在封装中堆叠更大数目的裸片，在较小大小的封装中堆叠相同数目的裸片，或在相同大小的封装中堆叠不同技术的相同数目的裸片。然而，裸片厚度的减小可能导致裸片对高温更敏感，且增加漏电流，这可能致使电压箝位或NAND操作失败。

技术实现思路

[0004]本申请针对用于管理存储器装置中与温度有关的故障的装置、方法和系统。检测存储器块的擦除故障，且如果存储器装置温度低于阈值温度，则将存储器块标记为生长不良块。如果温度超出阈值温度，则确定所述块的存储器单元是否超出第一阈值电压。如果所述块的存储器单元超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种配置成管理与温度有关的故障的存储器装置，所述存储器装置包括：配置成检测所述存储器装置的存储器块的擦除故障的电路系统；配置成在所述存储器装置的温度不超出阈值温度的情况下将所述块标记为生长不良块的电路系统；配置成在所述温度超出所述阈值温度的情况下确定所述块的存储器单元是否超出第一阈值电压的电路系统；配置成在所述块的所述存储器单元超出所述第一阈值电压的情况下将所述块标记为潜在生长不良块的电路系统；配置成在所述块的所述存储器单元不超出所述第一阈值电压的情况下确定所述块的若干所述存储器单元是否超出第二阈值电压的电路系统；配置成在所述块的所述存储器单元不超出所述第二阈值的情况下对所述块进行编程的电路系统；以及配置成在所述块的所述存储器单元超出所述第二阈值的情况下标记所述块以用于错误校正且对所述块进行编程的电路系统。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括配置成如果所述块标记为所述潜在生长不良块则在低于所述阈值温度的温度下检测到所述块的第二擦除故障的情况下将所述块标记为所述生长不良块的电路系统。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述块的存储器单元是否超出所述第一阈值电压包括确定所述块的阈值数目的所述存储器单元是否超出所述第一阈值电压。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述块的存储器单元是否超出所述第二阈值电压包括确定所述块的阈值数目的所述存储器单元是否超出所述第二阈值电压。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括配置成在所述存储器装置的标记为可能生长不良块的存储器块的数目超出不良块的阈值数目的情况下抑制所述存储器装置的速度的电路系统。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置的所述温度包括结温度。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阈值电压和所述第二阈值电压基于所述存储器装置的特性。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阈值电压和所述第二阈值电压是凭经验确定的。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中标记所述块以用于错误校正包括设定软位窗口。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中标记所述块以用于错误校正包括增大软位窗口的大小。11.一种用于管理存储器装置中与温度有关的故障的方法，所述方法包括：检测所述存储器装置的存储器块的擦除故障；如果所述存储器装置的温度不超出阈值温度，则将所述块标记为生长不良块；如果所述温度超出所述阈值温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：A普托尔，H辛格，NC拉沃莫汉，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：