本发明题为“针对分区命名空间的分区形成”。本公开整体涉及操作存储设备的方法。所述存储设备包括控制器和介质单元。所述介质单元的容量被分成多个分区。所述介质单元包括多个管芯，并且所述多个管芯中的每个管芯包括多个擦除块。所述控制器被配置为将所...

本发明提供一种用以在意外关机之后通电时最小化和限制存储器初始化时间的方法和存储器设备。代替仅依赖于在存储器意外断电时丢失的高速缓存的日志表，本文中所公开的所述方法和设备保留在预定义存储器位置内重建所述日志表所需的信息。这些预定义位置被优...

一种快闪存储器中的错误校正方案。方法包含延长存储器块的寿命，包含：接收在写入操作期间在存储器块中的第一位置处发生错误的指示，所述第一位置与所述存储器块的有错误页相关联；以及通过以下操作来对所述存储器块执行修改后的异或(XOR)方案：执行...

在各种方面中，本公开描述供包含非易失性存储器(NVM)的控制器的数据存储装置使用的一种或多种技术。在一个实例中，所述控制器将默认存储格式应用于所述NVM的存储区域，所述默认存储格式将所述存储区域配置为逻辑上沿着水平维度和竖直维度布置的若...

一种用于识别存储器系统中的单元耦合的方法，其包含生成二维伪随机二进制序列阵列。所述方法还包含对所述存储器系统的存储器块的多个单元执行擦除操作。所述方法还包含使用所述二维伪随机二进制序列阵列对所述多个单元执行写入操作。所述方法还包含对所述...

一种非易失性存储系统，其配置成使用支持可预测时延的协议，所述非易失性存储系统包含：存储器阵列，其将数据存储在存储器块中；控制器，其耦合到所述存储器阵列，其中所述控制器配置成：响应于确定启用了可预测时延，使用第一模式操作所述存储系统某一持...

公开一种数据存储装置，其包括存储介质、配置成从电压源接收供应电压的输入和由所述供应电压供电的控制电路。所述控制电路配置成：调整所述数据存储装置的负载，检测所调整负载下的负载电压，检测所述所调整负载下的负载电流，处理检测到的负载电压和检测...

一种数据存储装置(DSD)包含存储数据的快闪存储器。所述快闪存储器的部分基于编程/擦除(P/E)循环的数目和所述快闪存储器的所述部分的物理层级位置中的至少一个而分组为逻辑群组。监视每一逻辑群组的命令执行时延，且基于所述逻辑群组的所监视命...

对于由多个存储器裸片形成的固态驱动器(SSD)或其它存储器系统，呈现了用于在待机模式中操作的技术，其中增加了功率节省。所述存储器裸片可在常规待机模式和低功率待机模式中操作。基于在所述常规待机模式中所述存储器裸片中的每一个的电流量，当装置...

一种数据存储系统执行操作，所述操作包含：确定存储器单元块的耐久性水平；基于所确定的耐久性水平，调整所述存储器单元块的读取性能概况；从所述存储器单元块中的特定存储器单元接收指定要读取的数据的数据读取命令；以及响应于所述数据读取命令，使用已...

识别非易失性存储器存储系统中的故障存储器裸片。各种方法包含：开始受试裸片的多状态块的编程操作，所述编程操作包含：用第一数据集填充传送数据锁存器并将所述数据传送到第一数据锁存器，用第二数据集填充所述传送数据锁存器并将所述数据传送到第二数据...

数据存储系统，执行以下操作，包含：接收与第一存储器单元相对应的数据读取命令；确定第一存储器单元是否处于第一读取条件；如果第一存储器单元处于第一读取条件，则：将第一电压电平施加到第一存储器单元，第一电压电平是与在第一读取条件下对存储器单元...

本发明名称为启用用于随机读取的高速命令地址接口。本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括存储器控制器以经由I/O信号发送或接收输入/输出(“I/O”)数据，以及与发送或接收I/O数据并行地经由另一信号发送命令数据、地址数据或参数数据...

本发明题为“具有定位成减少模片开裂的顶部模片的半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括模片叠堆，所述模片叠堆包括相对于轴线彼此对准的多个模片以及沿所述轴线偏移以防止模片开裂的顶部模片。

本发明题为“多模块集成内插器和由此形成的半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，包括用于实现所述器件内的一个或多个半导体管芯与上面安装有所述半导体器件的主机设备之间的通信的多模块内插器。所述多模块内插器可以在所述晶圆级形成，并且提供到...

一种用于对存储器系统中的存储器块进行编程的方法包含：使用至少一个存储器块特性，识别所述存储器系统中的所述存储器块的候选存储器块。所述方法还包含：使用预先擦除验证电平，对所述候选存储器块执行预先擦除操作。所述方法还包含：在预先擦除表格上存...

数据存储装置的存储器的虚拟物理擦除。一个示例数据存储装置可以包含闪速存储器。所述数据存储装置可以进一步包含电子处理器，所述电子处理器可以配置成将第一数据部分存储在所述闪速存储器中，并且从存取装置接收物理擦除请求。所述电子处理器可以进一步...

本发明题为“半导体部件背侧上用于减轻堆叠封装中的分层的孔结构”。本发明公开了一种工艺，所述工艺包括在部件背侧上形成一个或多个孔，在模具套中形成真空，并且使所述部件背侧与所述模具套中的模具化合物接合。所述一个或多个孔形成孔结构。所述孔结构...

本发明题为“片上非易失性存储器(NVM)搜索”。在一些方面，本公开涉及在非易失性(NVM)阵列的管芯内形成以执行数据搜索的片上处理电路。在一些方面，管芯包括部件，部件被配置为通过在NVM阵列中的所存储数据的字线上串行地施加电压来感测字线...

本发明题为“使用可移除网桥的安全存储设备”。一种存储设备包括：存储介质，存储控制器，主机接口和网桥槽。存储控制器被配置为控制对存储介质的读取操作与写入操作，并根据存储设备制造商写入的固件进行操作。网桥槽被配置为接收可移除网桥，可移除网桥...