西北核技术研究所专利技术

西北核技术研究所共有2034项专利

  • 本发明公开了一种水下自由场压力传感器冲击标定装置,以解决现有标定装置进行标定时,存在的工序复杂、成本高、无法容纳完整传感器、标定效率低的问题。具体包括支架、设置在支架底部的标定油腔、设置在支架顶部的吊绳驱动控制机构、设置在标定油腔与吊绳...
  • 本发明提供的一种基于旋转反射镜的激光光斑在线测量装置及方法,用于解决现有激光光斑测量技术很难实现激光光斑的在线测量,以及BeamWatch产品在实现激光光斑的在线测量的过程中易受散射光的干扰以及测量分辨率及精度较低的技术问题。本发明提供...
  • 本发明涉及一种喷雾面密度分布规律标定装置及其使用方法,标定装置包括正面材料与喷涂试件相同的标定平板和标定圆片,以及与标定圆片背面可拆卸连接的标定背板。本发明在垂直喷涂情况下,喷枪参数一定的条件下,对标定平板进行喷涂,得到对应喷涂范围的宽...
  • 本发明涉及测量技术领域,公开了一种地球物理测井测量装置,包括顶板,还包括:U型架,U型架有两个,两个U型架滑动设置于顶板底部;衔接板,衔接板水平设置于顶板下方,衔接板下方竖直设置有测量探头;防护组件,防护组件设置于衔接板底部,防护组件用...
  • 本发明公开了一种金属回收预处理设备,涉及金属回收技术领域,包括机架;第一夹持旋转装置和第二夹持旋转装置,第一夹持旋转装置和第二夹持旋转装置分别用于夹持金属罐的本体部分和端头部分,并分别驱使本体和端头旋转;切割装置,切割装置设于机架上,切...
  • 本发明提供了一种测量物质超高温熔点的实验系统及方法,用于解决现有超高温涂层熔点测量系统及方法存在的无法精确测量熔点及表征熔点不确定度的技术问题。本发明提供的测量物质超高温熔点的实验方法,首先基于第一积分球和第二积分球的原理获得激光辐照某...
  • 本发明提供了一种纳米集成电路大气中子单粒子翻转率预估方法,能解决现有方法预估的纳米集成电路大气中子单粒子翻转率结果偏高、精度差的技术问题。该方法步骤为:步骤1、获取散裂中子源中子单粒子翻转平均截面σ<subgt;Spallatio...
  • 本发明涉及削切成型技术领域,本发明公开了一种地质勘查岩心切割装置,包括工作台,还包括:L型架,L型架固定安装于工作台侧面,L型架横边下方水平设置有衔接板;岩心切割组件,岩心切割组件设置于衔接板下方;转盘,工作台顶部开设有贯穿的圆槽,转盘...
  • 本发明涉及采用神经网络的学习方法,具体涉及一种基于机器学习预测弹丸速度的方法,用于解决传统方式难以对弹丸的速度进行预测计算的不足之处。该基于机器学习预测弹丸速度的方法首先采用聚类算法检测并删除弹丸发射的数据样本集中的异常数据样本,再根据...
  • 本发明公开了一种外泄气体可控雷管起爆防护装置及其安装方法,以解决现有雷管起爆防护装置存在的雷管无定位、结构承压大、损坏风险大、操作不便的问题。具体包括圆桶状防护罐、盖装在防护罐开口处的端盖、设置在端盖中心处且夹持端位于防护罐内的雷管夹持...
  • 本发明提供一种用于实现电场均压的兆伏级高电压绝缘堆栈,解决用于现有的绝缘堆栈结构未对阳极三结合区域的电场进行干预而导致绝缘环45度真空沿面易发生阳极起始的放电现象等技术问题。本发明的绝缘堆栈本体包括同轴设置且沿轴向交替排布的N个绝缘环和...
  • 本发明公开了一种长管内壁微小型传感器粘贴装置及其方法,以解决现有微小型传感器长管内壁粘贴存在的难以安装在长管深处、定位不准确、粘贴不可靠的问题。具体包括均为长条状的主夹板、副夹板等;主夹板和副夹板穿设在待粘贴对象长管内,二者相互平行设置...
  • 本发明公开了一种核数据测量用氙或氪气体源快速制备方法及装置,以解决现有技术无法将组分复杂原始气体中低浓度氙(Xe)或氪(Kr)进行快速富集纯化制源的问题。其方法具体包括:步骤1、在10~30℃温度下,采用预处理吸附柱对原始气体进行预处理...
  • 本发明涉及一种光强分布测量方法,特别涉及一种基于光阑进行激光功率取样的激光光斑复原方法。解决了采用现有测量方法对激光光斑光强分布测量时,对尺寸小于光阑尺寸的精细光斑结构的光强分布难以测量的问题。该方法包括以下步骤:步骤一:基于光阑进行激...
  • 本发明涉及一种电晕辅助触发气体开关装置及其使用方法,该装置包括环形触发电极、波珠螺丝、绝缘内筒、上高压电极、下高压电极、外壳、触发针、环形中间电极、触发固定螺钉和球头,波珠螺丝的筒体一端嵌入在环形中间电极或环形触发电极侧壁上的安装盲孔内...
  • 本发明涉及真空高压电绝缘技术领域,为解决现有陶瓷绝缘材料硬度高、脆性高、加工难度大、沿面耐压水平低,以及聚合物绝缘材料释气率、透气率高,难以满足多数真空绝缘系统的沿面耐压需求的问题,提出一种陶瓷‑聚合物双连续相真空绝缘材料,绝缘材料的体...
  • 本发明涉及一种提高硅半导体器件抗位移损伤能力的方法,包括确定修复参数、制备加热基片、修复的过程,从硅半导体器件在遭受粒子辐射后产生缺陷,经退火后缺陷消除的特几天出发,通过测试建立缺陷随温度、时间及粒子注量的退化关系,获得位移损伤缺陷的修...
  • 本发明提供了超低检测限、宽动态范围的惰性气体含量检测方法及系统,能解决现有技术存在检测限较高、动态范围较窄、不满足极低含量惰性气体测量需求的技术问题。该检测方法包括以下步骤:步骤1、标准气体及待测气体样品的取样和测量;要求标准气体检测时...
  • 本技术属于气体释放监测技术领域,具体公开了一种高压气体释放装置;该装置包括:高压气瓶、活动底座、连接装置、气体球阀、第一气压传感器、第二气压传感器和球阀开度控制组件,连接装置为中空结构,其一端穿过活动底座,与高压气瓶的瓶口连接,另一端与...
  • 本发明提供了一种直线型Marx发生器机芯及Marx发生器,用于解决现有Marx发生器机芯的长度较长,组装、拆卸工序较为繁琐,耗时较长等技术问题。该机芯包括支撑模块、机芯模块及屏蔽模块;其中机芯模块包括N个单级机芯,其中N≥1;每个单级机...