西安理工晶体科技有限公司专利技术

西安理工晶体科技有限公司共有18项专利

  • 本实用新型公开了一种太阳能光伏固定支架手动调节装置,该装置由若干个支架框架构成,每个支架框架包括前柱、后柱、连接件、横梁,所述前柱通过连接件与横梁底面连接,所述后柱通过连接件与千斤顶连接,所述千斤顶通过连接件与横梁底面连接;若干块光伏组...
  • 本实用新型公开了一种可调式联动平单轴跟踪系统,包括联动平单轴驱动机构、可调式支架推杆、若干个可调式平单轴光伏支架,所述联动平单轴驱动机构与可调式支架推杆连接,所述可调式支架推杆的左右两侧分别设置若干个可调式平单轴光伏支架;可调式平单轴光...
  • 本实用新型公开了一种利用顶丝固定的光伏电池组件线缆固定件,该固定件包括:导轨、线卡、滑块,所述导轨的一端设置有用于与第一电池组件连接的L型固定块,所述导轨的另一端穿设在滑块内,所述滑块与第二电池组件连接,所述导轨的底部设置若干个线卡;所...
  • 本实用新型公开了一种利用卡槽固定的光伏电池组件线缆固定件,该固定件包括:导轨、线卡、滑块,所述导轨的一端设置有用于与第一电池组件连接的L型固定块,所述导轨的另一端穿设在滑块内,所述滑块与第二电池组件连接,所述导轨的底部设置若干个线卡;所...
  • 本发明公开了一种锗单晶直拉生长法的自动等径控制方法,先设定需要制备的锗晶体的直径,以及设定初始晶升电机提拉速度SL,然后建立速度控制环、温度控制环a及温度控制环b,锗单晶在生长过程中,当直径测量值偏离直径设定值时,直径测量值与直径设定值...
  • 本实用新型公开了一种单晶炉接晶盘自动旋转装置,包括U型接晶盘,U型接晶盘的底板上设置有缓冲套,缓冲套对应副炉室内径中心线位置设置,在副炉室的两侧分别安装有随动轴安装底板和气缸安装底板;U型接晶盘一边端面与随动端轴套的外端连接,随动端轴套...
  • 本实用新型公开了一种单晶炉副炉室自动旋转装置,在箱体的一侧沿垂直方向穿有副炉室提升轴,副炉室提升轴圆周上固定套装有大带轮,大带轮与箱体内壁之间通过两组轴承实现连接;箱体的另一侧下端面与单晶炉上立柱的顶面固定连接,该侧箱体的上端面安装有减...
  • 本实用新型公开了一种能同时拉制六根硅芯的高频感应加热器,包括聚流板,聚流板的圆周缠绕有铜管,铜管的进出口端分别与连接座连接;聚流板的轴心开有化料孔,聚流板上沿化料孔圆周外侧均匀设置有六个拉制孔,每个拉制孔内圆壁靠近化料孔的一边开有凹槽形...
  • 本实用新型公开了一种同时拉制五根硅芯的高频感应加热器,包括聚流板,聚流板的圆周缠绕有铜管,铜管的进出口端分别与连接座连接;聚流板的轴心开有化料孔,聚流板上沿化料孔圆周外侧均匀设置有五个拉制孔,每个拉制孔内圆壁靠近化料孔的一边开有凹槽形的...
  • 本实用新型公开了一种能同时拉制七根硅芯的高频感应加热器,由聚流板、连接座、铜管和接地板焊接而成;聚流板内沿其圆周缠绕有铜管,铜管的进口端、出口端分别与连接座连接;聚流板的轴心设有化料孔,聚流板上沿化料孔圆周外侧均匀设置有七个拉制孔,每个...
  • 本实用新型公开了一种多晶硅双硅芯拉制装置,包括从上到下依次设置的导向部分、籽晶夹持部分、双芯高频线圈部分及原料棒籽晶夹持部分,导向部分与籽晶夹持部分连接,双芯高频线圈部分设置有两个芯孔,原料棒籽晶夹持部分设置有两个原料棒,籽晶夹持部分夹...
  • 本实用新型公开了一种硅芯炉籽晶卸放、抓取自动控制装置,包括籽晶托盘及用于籽晶头抓取的提拉抓取机构,在籽晶托盘的转轴处安装有一个增量编码器,籽晶托盘还通过减速机构与步进电机连接;在提拉抓取机构上设置有一个高度传感器,提拉抓取机构还与直流伺...
  • 本实用新型的一炉次中能够拉制多组硅芯的硅芯炉,包括连通的上炉室和下炉室,上炉室的上端设置有籽晶抓卸及转盘分度装置,上炉室的上方设置有上传动装置,下炉室内部设置有高频电极及感应加热组件,高频电极及感应加热组件包括高频感应加热器和高频电极组...
  • 本发明公开的一炉次中多次拉制多根硅芯的硅芯炉,在机架中设有下传动装置和水冷却装置,机架上安装有下炉室和槽路滑车,槽路滑车上设有高频槽路,下炉室内设有充气装置、高频电极及感应加热组件、抽空装置,高频电极及感应加热组件与高频槽路连接;下炉室...
  • 本实用新型公开了一种直拉锗单晶的直径测量及信号处理系统,包括依次连接的采光系统、光电转换电路、微弱信号处理电路、信号放大电路和信号隔离及标准信号转换电路;采光系统用于接收等径时锗单晶固液界面光环的温度波长;光电转换电路用于将光环温度波长...
  • ?本实用新型公开了一种可同时拉制三根硅芯的高频感应加热器,包括圆柱形聚流板,聚流板的外表面环绕有铜管,铜管的两个端口处连接有连接座,铜管的另一侧外表面设置有用于接地的接地板,聚流板的内部中心开有化料孔,围绕化料孔设置有三个拉制孔,围绕化...
  • 本发明公开了一种用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及该方法采用的的温度控制系统,由温补信号模块给出一个温补信号发送到晶体生长控制器,由晶体生长控制器对该温补信号进行数字滤波;再由温补信号处理电路进行二次滤波以及隔离处理;再将该处理...
  • 本发明公开了一种用于掺杂锗单晶体掺杂剂的装置,包括漏斗体,漏斗体的漏斗进口端设置有漏斗盖,漏斗体的漏斗出口端与掺杂管连接,掺杂管沿炉盖掺杂口设置并固定在传动机构的移动座上,掺杂管上设置有进料球阀,移动座通过波纹管与炉体上的安装座密封连接...
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