湘潭大学专利技术

湘潭大学共有8442项专利

  • 本发明涉及车辆智慧通行领域。具体涉及一种基于车牌号追踪的车辆紧急事件交通信号灯系统,所述的交通信号灯系统包括车牌号追踪系统,车辆定位设备,车主手机或车载系统,交通信号灯设备,语音提示设备,车牌号追踪系统与交通信号灯设备和语音提示设备相连...
  • 本发明提供一种绕双8字轨迹行驶的无碳小车,解决了小车结构复杂及偏转方向调节困难的问题,所述一种绕双8字轨迹行驶的无碳小车,包括行走机构、传动机构、转向机构和微调机构;所述行走机构包括车架、挡板盖、卡条、固定套、前轮、设于所述车架侧面的主...
  • 本发明涉及一种翅片分段的异型碳/碳与金属复合散热长管的连接方法。本发明属于碳/碳复合材料与金属材料连接领域,着重解决长管状金属与异型碳/碳复合管连接中残余应力过大引起的材料变形和接头开裂问题。本发明对异型碳/碳复合管的翅片进行分段前处理...
  • 本发明涉及一种嵌套分体式装配的异型碳/碳与金属复合散热长管的连接方法。本发明属于复合材料与金属连接领域,着重解决长管状金属与复合材料异型件连接中残余应力过大引起的材料变形和接头开裂问题。本发明采用管式炉泡沫材料中间层真空钎焊的方法,使用...
  • 本发明公开一种结合焊接工艺参数与图像色彩增强的焊缝抗拉强度检测方法,包括以下几个步骤:采集某焊接过程中的工艺参数信号与彩色焊缝图像,并通过拉伸试验获得对应焊件的抗拉强度,对采集的图像进行色彩均衡化算法和彩色通道增强提升图像色彩强度,对采...
  • 本发明公开了一种钠电池及其正极材料、正极片的制备方法,正极材料的制备包括以下步骤:制备中空的碳球;利用HF溶液刻蚀中空的碳球得到中空介孔碳球;将FeF2注入刻蚀后的中空介孔碳球中得到正极材料HMCS@FeF2;并利用正极材料制作钠电池正...
  • 本发明公开了一种气固两相流动沉积特性实验装置。包括旋涡风机、蒸汽发生器、空气加热器、加湿器、储水罐、实验箱、球阀、文丘里混合器、高速摄像机、计算系统等组成。储水罐右侧连通蒸汽发生器,下侧连通加湿器,左侧连通实验箱。供气系统包括旋涡风机和...
  • 本申请公开的高精度球面摩擦副混合润滑磨损快速计算方法,包括:初始化参数,配置磨损周期;球面摩擦副有限元接触分析,获取当前时间步的第一接触信息,将摩擦副的接触表面配置为网格节点形式,获取各节点三维坐标,以三维坐标生成球面摩擦副网格模型,计...
  • 本发明公开了一种用于筛选痛经模型小鼠生物标志物的肝脏代谢组学方法,涉及中医药研究领域。本发明采用代谢组学方法分析雌二醇诱导的痛经小鼠,空白对照组以及中药当归
  • 本发明公开了一种采用电场控制电弧旋转的焊缝跟踪传感器,该传感器主要由焊接电源、焊缝跟踪实时调节机构、霍尔传感器、电场激励电源、产生旋转电场的4块电场极板、支撑套筒、旋转机构等机构组成组成。焊枪起弧后,电场激励电源向2对电场极板输送相同大...
  • 本发明提供了一种基于主轴后倾的仿蜈蚣机器人,具体包括机架、水滴型轨迹模块、减震限位模块。水滴型轨迹模块、减震限位模块设置于机架上。机器人结构紧凑,受力合理,水滴型轨迹模块能够很好的模仿蜈蚣足部运动轨迹,而且配合多自由度机构模仿出了足部翻...
  • 一种单道多层埋弧焊激光
  • 本发明涉及一种在钛合金表面制备Ti
  • 本发明公开了一种用于有害气体泄漏扩散的人员疏散方法,包括如下步骤:根据风速轮廓线法则公式为计算高度为Z处的风速;计算出地面任意一点(x,y,0)在任意时刻t的浓度C;根据预计的开始进行人员疏散时刻的各疏散点有害气体浓度大小划分疏散优先级...
  • 本发明涉及一种可降解Zn
  • 本发明提供了一种在选择性激光烧结铺粉过程中考虑零件烧结层表面形貌特性的三维离散元建模方法,通过实验获取选择性激光烧结中烧结零件的表面粗糙度曲线,将缩放后的曲线导入已生成颗粒层的封闭计算域内,调整颗粒位置、更改颗粒属性获得具有烧结零件表面...
  • 本发明提供了一种考虑已烧结粉末层性质的选择性激光烧结铺粉过程离散元建模方法,通过识别封闭计算区域内待烧结区域的颗粒,给颗粒赋具有已烧结层性质的接触模型与热系数,形成已烧结粉末层的仿真模型,对烧结区域再铺粉,以研究粉末材料在选择性激光烧结...
  • 本发明提供了一种在选择性激光烧结铺粉过程中表征烧结层性质的二维离散元建模方法,通过实验获取选择性激光中烧结零件的表面粗糙度曲线,将缩放后的曲线导入二维封闭计算域内,用刚性墙“Wall”替代并赋予其相关属性参数,再生成颗粒对该模型区域铺粉...
  • 一种纳米银线的制备方法,包括以下步骤:步骤一、沉淀法制备含纳米级卤化银的有机溶液D:避光条件下将硝酸银溶于有机溶剂A中,配置成含硝酸银的有机溶液B,将聚乙烯吡咯烷酮、溴化铵和葡萄糖溶于有机溶剂A中并充分搅拌,然后进行加热发生美拉德反应;...
  • 本发明公开一种确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法。本发明包括切割单晶体、在截面1上做与一次枝晶平行的标记线1、垂直截面1切割标定试样1、在截面2上做与一次枝晶平行的标记线2、垂直截面2切割标定试样2和在截面3上标定晶体取向等步骤。...