本发明公开了一种具有复合型凹槽的SOI耐压结构功率器件及制备方法，包括半导体衬底层、介质埋层、由多晶硅或金属构成的嵌入式电极层，以及半导体有源层，在介质埋层和半导体有源层的交界面的部分或者全部范围内设置有伸入介质埋层内部的多个介质凹槽，...

本实用新型公开了一种

本发明公开了一种具有载流子存储夹层器件的制造方法、半导体器件和绝缘栅双极晶体管，所述方法包括清洗单晶硅片作为器件衬底；在衬底顶部生长外延层；在外延层上选择性离子注入以形成P柱和N柱交替的超结区域；生长形成P型基区P

本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET器件，涉及功率半导体领域。沟槽型MOSFET器件包括多个MOS器件单胞，相邻的两个MOS器件单胞之间具有沟槽，所述沟槽内部填充有多晶硅层，所述多晶硅层通过氧化层与MOS器件单胞有源区域隔离，所述沟槽...

本发明公开了一种快恢复功率器件的制造方法、半导体器件以及晶体管，包括：在一硅片上形成一外延层；在该外延层和衬底形成复合中心，其中该复合中心为包含深能级陷阱的复合中心；在该外延层上表面形成第一单晶硅层，在衬底下表面形成第二单晶硅层；在该第...

本发明公开了一种内嵌隧道二极管结构的快恢复功率器件及其生产方法，其中功率器件在中性体区下方有若干均匀阵列分布的相反掺杂类型的重掺杂区域，该重掺杂区域与中性体区中的相反掺杂类型的掺杂区域形成了隧道PN结结构；这些隧道PN结结构在功率MOS...

本发明公开了一种LOCOS工艺后去除氮化硅的方法，所述方法为：正式栅氧生长前，在表面沉积氮化硅膜，并形成LOCOS窗口，在多晶栅二边沟道中间采用局部氧化工艺生长出一定厚度的氧化层，并使得局部氧化加厚的部位位于非沟道处，再去除氮化硅膜，最...

本发明公开了一种功率半导体的元胞结构、功率半导体及其制造方法，其中元胞结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层及栅极结构，栅极结构的顶部和栅极结构之间形成有源极金属层，第一导电类型衬底的底部形成有漏极金属层，第一导电类型外延层内形成...

本发明公开了一种回流工艺优化的功率器件制造方法及功率器件，包括：在N

本实用新型公开了一种MOSFET器件GS之间集成ESD的结构，包括重掺杂N+区、漂移N

本实用新型公开了一种具有P+分流区深沟槽IGBT结构，包括P+集电极区、N基极区和P基区，所述N基极区设于P+集电极区上壁，所述P基区设于N基极区上壁，所述P基区外侧环绕设有主结深P+区，所述P基区上表面设有沟槽元胞，所述沟槽元胞包括多...

本实用新型公开的一种改善栅氧VGS耐压与VTH稳定性的装置，包括装置本体、O2管线、供电模组、O2阀组、O2流量计、H2管线、H2流量计和H2阀组，所述供电模组设于装置本体一侧，所述O2管线设于装置本体另一侧，所述O2阀组设于O2管线上...

本发明提供了一种高压快恢复二极管FRED制作工艺，包括以下步骤：(1)形成N+截止环区，采用注入磷杂质；(2)有源区形成以及有源区N阱注入与退火，N阱注入杂质为磷杂质；(3)P+分压环形成，采用硼杂质注入，退火；(4)P阱形成，采用硼杂...

本发明的一种采用多晶硅栅低温氧化的VDMOS工艺，克服了现有的VDMOS工艺中直接通入N2和O2进行退火而引起的破坏栅氧完整结构的缺陷，创造性的将氧化过程布置在通入N2之前，且使用了低温氧化的环境进行氧化，最大程度的保留了已经形成的栅氧...

本发明的一种集成ESD二极管的TRENCH MOSFET优化工艺，主要是应用于常规N管和P管的TRENCH MOSFET产品使用，使其产品本身抗静电能力得到提高的同时降低ISGS漏电级别，改进了目前集成ESD二极管的TRENCH MOS...

本实用新型公开了一种具有P+屏蔽型沟槽MOSFET结构，包括N++衬底和P+结构，N++衬底上形成N型外延区，N型外延区的内部中心处形成沟槽栅结构，沟槽栅结构的外侧设有主结深P+区，所述P+结构连接设于沟槽结构的底部，所述P+结构与主结...

本实用新型公开了一种多晶硅栅加工退火装置，包括仓体、仓门、温度传感器、加热炉、支柱、盛放台、小氧仓、氮气仓、输氧管、控流器和氮气输送装置，所述仓体为一侧开口的中空腔体结构设置，所述仓门可转动设于仓体开口端，所述温度传感器设于仓门内侧壁上...

本发明公开了一种降低SGT产品电阻的生产方法，包括N++衬底层和外延层，所述外延层与所述N++衬底层相连接，其特征在于以下步骤：步骤1：在所述外延层远离所述N++衬底层的一面注入一层N型杂质；步骤2：进行退火堆结；步骤3：所述N型杂质形...

本发明公开了一种CoolMOS器件制作方法，包括如下步骤1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；2)有源区打开；3)有源区内加工深沟槽；4)栅氧生长，多晶硅栅淀积、光刻、刻蚀；5)PWELL阱层注入退火；6)源区N+光刻，N+注入，退...

本实用新型公开的采用P埋层工艺制作集成IGBT器件，包括，P底衬、下隔离一(P埋层)、N+埋层、N外延、硼桥、上隔离、下隔离、外岛，所述P底衬上端设置有N+埋层，所述N+埋层上端设置有下隔离一(P埋层)，所述下隔离一(P埋层)上端设置有...