本实用新型公开了一种激光加工半导体晶片用全自动上下料装置，包括有支撑架、设置于支撑架顶端的激光加工平台、设置于支撑架上且位于激光加工平台下方的晶片传输机构和设置于支撑架内且位于传输装置下方的联动上下料机构。本实用新型全自动上下料装置无需...

本实用新型公开了一种多光束阵列光诱导反射率成像装置，包括泵浦光源、探测光源、衍射分光装置、阵列光调制器、分色镜、光学透镜、偏振分光元件、光学滤光片和光电探测器。本实用新型通过泵浦光诱导探测光的反射率变化进行反射率成像，且在成像速度上比传...

本实用新型公开了一种二维太赫兹成像系统，包括有顺次设置的飞秒激光器、衍射分光装置、激光聚焦透镜、太赫兹光导天线阵列、太赫兹成像透镜、太赫兹聚焦透镜和太赫兹探测器。利用二维太赫兹成像系统来获得成像图像时将成像物体放置于太赫兹成像透镜和太赫...

本实用新型公开了一种全自动半导体晶片激光加工装置，是由前支架、后支架、激光加工系统、多个旋转平台、自动传输系统、多个与旋转平台相对的自动取片/放片系统和两个晶片料盒升降系统组成；激光加工系统和多个旋转平台均设置于后支架上；自动传输系统、...

本实用新型公开了一种多光束激光诱导红外辐射成像装置，包括依次设置的激光器、衍射分光装置、激光光束调制装置、激光聚焦透镜、红外辐射波收集装置、红外滤光装置和红外探测器。本实用新型利用单红外探测器直接获得二维的光热红外辐射图像，成像速度较传...

本实用新型公开了一种半导体晶圆厚度检测系统，通过测量从半导体晶圆表面反射的太赫兹信号与从样品台表面直接反射的太赫兹信号之间的时间延迟来检测半导体晶圆的厚度，其检测对半导体晶圆表面材料特性均匀度无要求，且测量精度高，测量操作简单。

本发明公开了一种激光加工半导体晶片用全自动上下料装置及其使用方法，激光加工半导体晶片用全自动上下料装置包括有支撑架、设置于支撑架顶端的激光加工平台、设置于支撑架上且位于激光加工平台下方的晶片传输机构和设置于支撑架内且位于传输装置下方的联...

本发明公开了一种多光束阵列光诱导反射率成像装置及方法，多光束阵列光诱导反射率成像装置包括泵浦光源、探测光源、衍射分光装置、阵列光调制器、分色镜、光学透镜、偏振分光元件、光学滤光片和光电探测器。本发明通过泵浦光诱导探测光的反射率变化进行反...

本发明公开了一种多光束激光诱导红外辐射成像装置及方法，多光束激光诱导红外辐射成像装置包括依次设置的激光器、衍射分光装置、激光光束调制装置、激光聚焦透镜、红外辐射波收集装置、红外滤光装置和红外探测器。本发明利用单红外探测器直接获得二维的光...

本发明公开了一种全自动半导体晶片激光加工装置及其加工方法，全自动半导体晶片激光加工装置是由前支架、后支架、激光加工系统、多个旋转平台、自动传输系统、多个与旋转平台相对的自动取片/放片系统和两个晶片料盒升降系统组成；激光加工系统和多个旋转...

本发明公开了一种半导体晶圆厚度检测系统及其检测方法，通过测量从半导体晶圆表面反射的太赫兹信号与从样品台表面直接反射的太赫兹信号之间的时间延迟来检测半导体晶圆的厚度，其检测对半导体晶圆表面材料特性均匀度无要求，且测量精度高，测量操作简单。

本发明公开了一种二维太赫兹成像系统及其成像方法，二维太赫兹成像系统包括有顺次设置的飞秒激光器、衍射分光装置、激光聚焦透镜、太赫兹光导天线阵列、太赫兹成像透镜、太赫兹聚焦透镜和太赫兹探测器。利用二维太赫兹成像系统来获得成像图像时将成像物体...