本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法，静电保护结构包括衬底

本发明涉及一种MEMS麦克风的振膜结构及其制造方法，所述振膜结构包括具有泄气结构的振膜膜层，振膜膜层还设有气孔，振膜结构还包括覆盖气孔的阀盖，阀盖包括将阀盖的一端与振膜膜层固定连接的固接部，阀盖在气孔周围360度均与气孔边缘的振膜膜层直...

本发明涉及一种MEMS换能器及其制造方法，所述MEMS换能器包括：振膜；支撑结构，与振膜相对设置，包括第一导电材料；连接结构，包括第二导电材料，连接结构用于实现振膜和支撑结构的机械和电性连接；背板，与振膜相对设置，背板与支撑结构之间不连...

本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；漂移区，设于掩埋介质层上；源极区；漏极区；掩埋介质层包括耐压部和散热部，耐压部位于漏极区下方，散热部从耐压部的边缘向源极区的下方延伸，散热部的热导...

本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；漂移区，设于所述掩埋介质层上；竖向导电结构，从所述漂移区向下延伸至所述掩埋介质层；低K介质，设于所述掩埋介质层中，并包围所述竖向导电结构的底部...

本发明涉及一种差分电容式MEMS麦克风及其制造方法，所述麦克风包括：衬底，包括第二背板；第一支撑层，设于所述衬底上；振膜，设于所述第一支撑层上；第二支撑层，设于所述振膜上；第一背板，设于所述第二支撑层上，所述振膜位于所述第一背板和第二背...

本发明涉及一种采用应力记忆技术的NMOSFET制造方法及NMOSFET，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆形成有NMOSFET的栅极、源极区及漏极区；在所述晶圆的表面形成覆盖所述栅极、源极区及漏极区的应力层，所述应力层的材质包括氮硅化合物...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有第二导电类型区域的晶圆；通过光刻使光刻胶露出注入窗口；通过离子注入向所述注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第二导电类型的离子，形成第二导电类型的埋层；对所述光刻胶进行回...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取在衬底上形成有隔离结构、在隔离结构和衬底上形成有第一栅氧层的晶圆；第一栅氧层形成于晶圆正面；通过图案化将不需要形成第一栅极的位置处的第一栅氧层去除，形成第一栅氧结构；使用激光退火工...

本发明涉及一种半导体器件的SCM样品制备方法，包括：去除器件样品表面的金属层；在器件样品正面固化垫片；垫片为非金属材质且包括导电材料；将器件样品从侧面抛光至感兴趣区域，且对于小样品通过导电胶带包裹器件样品和垫片，得到SCM样品。本发明在...

本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层...

本发明涉及一种隔离变压器及其制造方法、半导体器件，所述隔离变压器包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层...

本发明涉及一种芯片循环测试装置，包括：FPGA模块，包括信号发生单元和信号接收单元，所述FPGA模块用于根据控制指令通过所述信号发生单元向被测芯片发送测试向量，所述FPGA模块还用于通过所述信号接收单元接收从所述被测芯片返回的反馈信号并...

本发明涉及一种电容器结构及其制造方法、半导体器件，所述电容器结构包括：第一金属层，包括第一金属图案和第二金属图案；第二金属层，包括第三金属图案和第四金属图案；介质层，设于第一金属层和第二金属层之间；第一金属图案和第三金属图案之间的介质层...

本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的MOS晶体管的制造方法中，针对小尺寸工艺下NMOS器件的HCI能力不足的问题，创新性的提出一种新的结构，在不改变现有NMOS器件特征尺寸情况下，将NMOS器件的源/...

本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；第一导电类型的埋层，设于衬底中；漂移区，设于埋层上；漏极区，设于漂移区内；体区，设于埋层上；源极区，设于体区内；埋层上并且在漂移区背离体区的方向上依次排列的第一至第...

本发明涉及一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆；图案化并刻蚀基的正面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；隔离沟槽的宽度大于淬灭电阻沟槽的宽度；在淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层；在基底正面淀积多晶硅，多晶硅填...

本发明提供一种可控硅整流器及其制备方法。其中，可控硅整流器的第一阱区和第二阱区中分别加设了第一低阻区和第二低阻区。因第一低阻区和第二低阻区的阻值较低，故第一阱区和第二阱区的整体电阻均下降，从而使得器件的导通电压降低，提高可控硅整流器的泄...

本发明涉及一种MEMS结构及其制造方法，所述MEMS结构的制造方法包括：获取基底；在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层；在所述牺牲层上形成结构层；图案化所述结构层形成所需的结构，包括在各所述空心隧道的正上方分别形成与各空心隧道对应的...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，在半导体器件的制备方法中，通过同一掩模，利用自对准工艺分别形成源极和引出区，精简工艺。并且，源极叠置于引出区上。即，源极和引出区在垂直于衬底的方向上呈层叠结构，则引出区不影响源极的尺寸；同时，...