静电保护结构及其制备方法技术

本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法，静电保护结构包括衬底

【技术实现步骤摘要】
静电保护结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种静电保护结构及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着高压器件在集成电路中的应用越来越广泛，对其抗静电
(Electrostatic Discharge
，
ESD)
能力的要求也越来越高
。
通常高压静电保护结构为由多个低压器件串联组成的结构，以达到耐高压的需求
。
[0003]然而，传统的高压静电防护结构通常正向耐压没有问题，但是反向却耐不了高的电压，存在反向耐压问题
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统的高压静电防护结构存在的反向耐压问题，提供一种静电保护结构及其制备方法，保证高压静电防护结构的
ESD
能力
。
[0005]为了实现上述目的，本申请提供了一种静电保护结构及其制备方法
。
[0006]一种静电保护结构，包括：
[0007]衬底，具有第一导电类型；
[0008]埋层，位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种静电保护结构，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；埋层，位于所述衬底中，具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一深阱和第二深阱，间隔设置于所述衬底的上表层，且均具有所述第一导电类型；其中，所述第一深阱的上表层设有第一阱区，所述第一阱区的上表层设有第一重掺杂区；所述第二深阱的上表层设有第二阱区，所述第二阱区的上表层设有第二重掺杂区；第三深阱，位于所述埋层的上表面且浮空设置，且位于所述第一深阱和所述第二深阱之间且分别与所述第一深阱和所述第二深阱间隔设置，具有所述第二导电类型；第四深阱，设置于所述埋层的上表面，且位于所述第二深阱的外围；所述第四深阱的上表层设有第四阱区，所述第四阱区的上表层设有第三重掺杂区，所述第三重掺杂区浮空引出作为所述静电保护结构的隔离端口；其中，所述第一阱区
、
所述第一重掺杂区
、
所述第二阱区和所述第二重掺杂区均具有所述第一导电类型；所述第四深阱
、
所述第四阱区和所述第三重掺杂区具有所述第二导电类型；所述第一重掺杂区引出作为第一电极，并与静电端口连接，所述第二重掺杂区引出作为第二电极并接于地
。2.
根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一导电类型为
P
型，所述第二导电类型为
N
型；当所述静电端口输入静电电压时：所述第一重掺杂区
、
所述第三深阱以及所述第二重掺杂区共同构成
PNP
晶体管
。3.
根据权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，当所述静电电压为正电压时：所述第一电极作为所述
PNP
晶体管的发射极，所述第二电极作为所述
PNP
晶体管的集电极，所述埋层和所述第三深阱共同作为所述
PNP
晶体管的基极
。4.
根据权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，当所述静电电压为负电压时：所述第一电极作为所述
PNP
晶体管的集电极，所述第二电极作为所述
PNP
晶体管的发射极，所述埋层和所述第三深阱共同作为所述
PNP
晶体管的基极
。5.
根据权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一深阱的数量为一个或多个，多个所述第一深阱间隔设置；其中，各所述第一深阱的两侧均间隔设置有所述第二深阱，各所述第一深阱和所述第二深阱之间设有所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙俊，林峰，袁玫，张清清，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：