【技术实现步骤摘要】
MEMS结构及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件
,特别是涉及一种MEMS结构,还涉及一种MEMS结构的制造方法。
技术介绍
[0002]微机电系统(Micro
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Electro
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Mechanical System,MEMS)器件通常是采用集成电路制造技术来生产的。悬空结构常见于MEMS结构中,例如在MEMS麦克风生产制造过程中,一般只在半导体基板的一面进行工艺(如:膜层淀积、腐蚀等),而另一面不会进行工艺。形成MEMS麦克风背板和振膜之间的空腔,通常是在在振膜或背板上形成一层很厚的氧化硅作为牺牲层,示例性的厚度有3~5微米,然后在牺牲层上形成背板或振膜,最后将牺牲层腐蚀掉,形成空腔。
[0003]在示例性的制造加工工艺中,牺牲层腐蚀主要是腐蚀牺牲层的气体或液体穿过腐蚀孔,把结构层下面的牺牲层腐蚀掉,形成悬空结构,如图1和图2所示。其中图1为牺牲层未完全腐蚀时MEMS结构的剖面示意图,图2为牺牲层腐蚀完成后MEMS结构的剖面示意图。在示例性的制造加工工艺中,结 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS结构的制造方法,包括:获取基底;在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层;在所述牺牲层上形成结构层;图案化所述结构层形成所需的结构,包括在各所述空心隧道的正上方分别形成与各空心隧道对应的腐蚀孔;通过各所述腐蚀孔腐蚀所述牺牲层,形成空腔。2.根据权利要求1所述的MEMS结构的制造方法,其特征在于,所述在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层的步骤包括:在所述基底上形成多条凹槽;在所述基底上淀积形成牺牲层,牺牲层材料将各所述凹槽封口,各所述凹槽因牺牲层材料填充不完全而形成所述空心隧道。3.根据权利要求1所述的MEMS结构的制造方法,其特征在于,所述在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层的步骤中,形成的空心隧道中的气压低于常压。4.根据权利要求2所述的MEMS结构的制造方法,其特征在于,所述在所述基底上淀积形成牺牲层的步骤中,淀积机台在淀积时反应腔的气压低于常压。5.根据权利要求2所述的MEMS结构的制造方法,其特征在于,所述在所述基底上形成多条凹槽的步骤中,在同一凹槽中,凹槽的底部面积大于凹槽的开口面积。6.根据权利要求2所述的MEM...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡永刚,冷华星,周伍清,蔡华洁,
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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