本技术公开了一种碳化硅晶体生长炉炉壁结构，包括支撑架，所述支撑架的顶部内侧固定安装有固定盖，且支撑架的顶部内侧固定安装有驱动电机，所述固定盖的顶部转动安装有螺杆，且螺杆的外壁螺纹连接有夹持板，所述驱动电机的转轴底端固定连接有固定盘；且固...

本技术公开了一种碳化硅晶体生长炉进气装置，具体涉及碳化硅器械技术领域，包括炉体，所述内胆的内壁固定连接有保护罩，所述内胆的内壁固定连接有支撑架，所述支撑架的内壁轴承连接有二号齿轮，且二号齿轮的外壁啮合连接有齿杆，所述齿杆的外壁固定连接有...

本技术公开了一种碳化硅晶体生产用取料装置，包括夹持板，所述夹持板的一侧固定连接有耳板，且耳板的内侧固定连接有转柱，所述转柱的外部固定安装有半齿，且半齿的一侧啮合有齿条，所述齿条的内部移动连接有定位柱；且定位柱的底部固定连接有固定板。该碳...

本发明公开了一种8寸及以上的大直径4H型碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶领域，包括以下步骤：S1、将碳化硅粉料分两层放于下坩埚中，每层料均需要摊平至35mm的料高，中间用石墨纸隔开，拧上上坩埚；S2、将粘有4H‑SiC的籽晶台和扩径圆...

本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域，包括操作台，操作台上设有生长炉，生长炉的顶部连接有炉盖，炉盖的下方转动连接有转动盘，转动盘的底部连接有晶体生长盘，晶体生长盘的底部设有晶体生长槽，晶体生长槽内放置有碳化硅颗...

本发明公开了一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置及方法，具体涉及碳化硅晶体生长技术领域，包括调节组件，所述调节组件包括转环、齿环、齿轮、两个导向杆、安装环、加热器、四个滑动座、伺服电机、四个螺纹杆、控制盒、透镜片、两个限位杆、温度传感器、清...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉加热总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括高频线圈、支架立板和直线驱动机构，高频线圈套设在碳化硅晶体生长炉的外侧，支架立板的背部通过可拆卸的方式固定有背板，背板固定在直线驱动机构的输出端上；高频线圈...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉炉体结构，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括上炉体、上炉盖和下炉盖，上炉体以对接的方式固定连接在下炉体上，上炉体由透明结构的外玻璃炉壁和内玻璃炉壁组成，内玻璃炉壁与外玻璃炉壁之间形成保温腔，上炉体的两...

本发明公开了一种内循环式碳化硅晶体生长炉，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体，炉体内设有石墨坩埚，石墨坩埚由共轴设置的外坩埚和内坩埚组成，内坩埚的内部形成上升通道，外坩埚和内坩埚之间形成回流通道，内坩埚的底部周向上设有多个回流孔；上...

本发明公开了一种多工位的碳化硅晶体生长装置及生长方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，包括底板，底板为条形，底板上表面固定设有外壳，外壳的两端固定设有延展板，条形坩埚固定在外壳内，条形坩埚外壁上固定设有加热壁，条形坩埚的上端安装有石墨隔板，...