【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体生长，更具体地说，本专利技术涉及一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置及方法。
技术介绍
1、中国专利公开了一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，该专利申请号为2022105618823，公开内容为：通过红外测温仪的设置可以实时的对坩埚内部的温度进行监测，当坩埚内部的温度存在异常或需要变化时，可以调节加热器的功率以调节坩埚内的温度，如此便达到了温场可调的效果。
2、但是无论是针对上述温场调节结构还是目前市面上的温场调节装置来说，均存在以下问题：
3、1、在使用加热器对坩埚进行加热时，加热器内部会有较大的余热，因此通过调节加热器的功率，难以实现对坩埚温度的快速调节；
4、2、在上述专利中，通过气缸无法对加热器与坩埚之间的距离进行精准调节，进而会导致温场调节效果较差。
5、为此，我们提出一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置及方法解决上述问题。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置及方法，通过温度传感器实时监测坩埚内的温度，通过电动推杆推动清理刮板，可以保持透镜片的清洁，通过伺服电机带动螺纹杆转动，螺纹杆通过齿轮带动齿环转动，使四个加热器同时靠近或同时远离坩埚，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，包括调节组件，所述调节组件包括转环、齿环、齿轮、两个导向杆、安装环、加热器、四个滑动
3、所述齿环的下表面转动连接于转环的上表面，四个所述滑动座对称螺纹连接于四个螺纹杆的外侧壁，所述滑动座滑动连接于两个导向杆的外侧壁，一个所述螺纹杆的一端固定连接于伺服电机的输出轴，所述齿轮固定连接于螺纹杆的外侧壁，所述齿轮的外侧壁啮合连接于齿环的上表面，所述透镜片固定连接于控制盒的内侧壁，所述温度传感器安装于控制盒的内侧壁，所述清理刮板滑动连接于两个限位杆的外侧壁，所述电动推杆安装于控制盒的后表面，所述控制器安装于控制盒的前表面，所述加热器固定连接于滑动座的上表面。
4、在一个优选的实施方式中，所述温度传感器位于透镜片的上方，所述限位杆的两端对称固定连接于控制盒的内壁两侧，所述清理刮板的上表面贴合于透镜片的下表面，所述清理刮板与电动推杆的伸缩轴固定连接。
5、在一个优选的实施方式中，四个所述螺纹杆的相邻端对称转动连接于安装环的外侧壁，所述导向杆的一端对称固定连接于安装环的外侧壁。
6、在一个优选的实施方式中，所述控制盒的下表面安装有主体组件，所述主体组件包括炉体、拉动气缸、拉杆、坩埚、支撑座、传动电机和通槽；
7、所述通槽开设于炉体的外侧壁，所述控制盒固定连接于炉体的外侧壁，所述炉体通过通槽与控制盒连通。
8、在一个优选的实施方式中，所述拉动气缸安装于炉体的上表面，所述拉杆的顶端固定连接于拉动气缸的气缸轴，所述拉杆位于炉体的内部，所述支撑座安装于炉体的内底壁，所述传动电机安装于炉体的下表面。
9、在一个优选的实施方式中，所述坩埚安装于支撑座的上表面，所述支撑座的下表面固定连接于传动电机的输出轴。
10、在一个优选的实施方式中，所述转环的外侧壁转动连接于炉体的外侧壁，所述伺服电机安装于炉体的外侧壁，四个所述螺纹杆远离安装环的一端对称转动连接于炉体的内侧壁。
11、在一个优选的实施方式中，所述安装环转动连接于支撑座的外侧壁顶部，四个所述加热器对称位于坩埚的外侧壁，所述加热器的形状呈弧形，所述温度传感器的位置与坩埚的位置相对应。
12、另外，本专利技术还提供了一种碳化硅晶体生长炉温场调节方法，包括以下步骤：
13、步骤一：将碳化硅原料放入至坩埚内，通过加热器对坩埚进行加热，拉杆底部的碳化硅晶体开始生长，坩埚在加热时，温度传感器对坩埚内的温度进行实时监控；
14、步骤二：通过电动推杆推动清理刮板，清理刮板沿着限位杆滑动，同时清理刮板对称透镜片表面粘附的杂质进行清洁；
15、步骤三：当坩埚的温度达到额定值时，温度传感器将信号发送至控制器，控制器则控制伺服电机工作；
16、步骤四：伺服电机带动一个螺纹杆转动，螺纹杆通过螺纹带动滑动座沿着导向杆滑动，同时滑动座带动一个加热器远离坩埚；
17、步骤五：同时螺纹杆带动一个齿轮转动，齿轮转动时带动齿环，齿环通过齿牙带动另外三个齿轮，三个齿轮带动另外三个螺纹杆，三个螺纹杆可以同时带动三个滑动座，滑动座带动加热器；
18、步骤六：此时四个加热器同步向远离坩埚的方向移动，以实现对温场温度的调节。
19、在一个优选的实施方式中，在步骤二中，清理刮板位于透镜片的下方。
20、通过采用上述技术方案。
21、本专利技术的技术效果和优点：本专利技术通过温度传感器实时监测坩埚内的温度，通过电动推杆推动清理刮板，可以对透镜片表面的灰尘杂质进行清理，以保证温度监测的准确度，通过伺服电机带动一个螺纹杆转动，一个螺纹杆通过一个齿轮带动转环，转环通过齿牙带动另三个齿轮，可以实现四个螺纹杆的同步转动，螺纹杆带动滑动座，滑动座带动加热器，可以使四个加热器同步靠近或远离坩埚，以实现对温场的精准调节，通过对加热器的位置进行调节，可以实现对温场的快速调节。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，包括调节组件(101)，其特征在于：所述调节组件(101)包括转环(11)、齿环(12)、齿轮(13)、两个导向杆(14)、安装环(15)、加热器(16)、四个滑动座(17)、伺服电机(18)、四个螺纹杆(19)、控制盒(20)、透镜片(21)、两个限位杆(23)、温度传感器(24)、清理刮板(26)、电动推杆(27)和控制器(28)；
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述温度传感器(24)位于透镜片(21)的上方，所述限位杆(23)的两端对称固定连接于控制盒(20)的内壁两侧，所述清理刮板(26)的上表面贴合于透镜片(21)的下表面，所述清理刮板(26)与电动推杆(27)的伸缩轴固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：四个所述螺纹杆(19)的相邻端对称转动连接于安装环(15)的外侧壁，所述导向杆(14)的一端对称固定连接于安装环(15)的外侧壁。
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述控制盒
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述拉动气缸(32)安装于炉体(31)的上表面，所述拉杆(33)的顶端固定连接于拉动气缸(32)的气缸轴，所述拉杆(33)位于炉体(31)的内部，所述支撑座(35)安装于炉体(31)的内底壁，所述传动电机(36)安装于炉体(31)的下表面。
6.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述坩埚(34)安装于支撑座(35)的上表面，所述支撑座(35)的下表面固定连接于传动电机(36)的输出轴。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述转环(11)的外侧壁转动连接于炉体(31)的外侧壁，所述伺服电机(18)安装于炉体(31)的外侧壁，四个所述螺纹杆(19)远离安装环(15)的一端对称转动连接于炉体(31)的内侧壁。
8.根据权利要求7所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述安装环(15)转动连接于支撑座(35)的外侧壁顶部，四个所述加热器(16)对称位于坩埚(34)的外侧壁，所述加热器(16)的形状呈弧形，所述温度传感器(24)的位置与坩埚(34)的位置相对应。
9.根据权利要求1-8任一项所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节方法，其特征在于：在步骤二中，清理刮板(26)位于透镜片(21)的下方。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，包括调节组件(101)，其特征在于：所述调节组件(101)包括转环(11)、齿环(12)、齿轮(13)、两个导向杆(14)、安装环(15)、加热器(16)、四个滑动座(17)、伺服电机(18)、四个螺纹杆(19)、控制盒(20)、透镜片(21)、两个限位杆(23)、温度传感器(24)、清理刮板(26)、电动推杆(27)和控制器(28)；
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述温度传感器(24)位于透镜片(21)的上方，所述限位杆(23)的两端对称固定连接于控制盒(20)的内壁两侧，所述清理刮板(26)的上表面贴合于透镜片(21)的下表面，所述清理刮板(26)与电动推杆(27)的伸缩轴固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：四个所述螺纹杆(19)的相邻端对称转动连接于安装环(15)的外侧壁，所述导向杆(14)的一端对称固定连接于安装环(15)的外侧壁。
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，其特征在于：所述控制盒(20)的下表面安装有主体组件(301)，所述主体组件(301)包括炉体(31)、拉动气缸(32)、拉杆(33)、坩埚(34)、支撑座(35)、传动电机(36)和通槽(37)；
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚泰，
申请(专利权)人：芜湖予秦半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。