本实用新型公开了一种MOSFET晶体管，MOSFET晶体管包括：衬底；缓冲层；漂移区；掺杂基区；帽层；多个沟槽；多个沟槽自帽层一侧向衬底一侧延伸，并延伸至漂移区内；多个重掺杂区，重掺杂区位于漂移区内且位于沟槽的底部，第一金属层，第一金属...

本实用新型提供的SiC IGBT器件从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N‑电阻层、场终止层、N‑漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+...

本实用新型公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种带有保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源...

本实用新型公开了肖特基二极管。肖特基二极管包括：位于衬底一侧的外延层，包括漂移区、第二掺杂类型区和多个孤立的结型场效应区，漂移区和结型场效应区具有第一掺杂类型，第二掺杂类型区和结型场效应区位于漂移区远离衬底的一侧，第二掺杂类型区环绕结型...

本发明公开了一种结型场效应晶体管器件，所述器件包括：Ⅰ－

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区...

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种带有保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上...

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种SiC IGBT器件及其制备方法。本发明提供的SiC IGBT器件通过在器件的表面设置肖特基二极管结构，并且在器件背面形成交替设置的N+区与P+区，使器件在进行续流工作时，正面的MPS二极管(嵌入...

本发明公开了肖特基二极管及其制作方法。肖特基二极管包括：位于衬底一侧的外延层，包括漂移区、第二掺杂类型区和多个孤立的结型场效应区，漂移区和结型场效应区具有第一掺杂类型，第二掺杂类型区和结型场效应区位于漂移区远离衬底的一侧，第二掺杂类型区...

本发明公开了一种肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂...

本发明公开了一种MOSFET晶体管，MOSFET晶体管包括：衬底；缓冲层；漂移区；掺杂基区；帽层；多个沟槽；多个沟槽自帽层一侧向衬底一侧延伸，并延伸至漂移区内；多个重掺杂区，重掺杂区位于漂移区内且位于沟槽的底部，第一金属层，第一金属层覆...