一种方法，在一个实施例中，可包括在衬底中形成核心沟槽和终止沟槽。所述终止沟槽比所述核心沟槽更宽。此外，可沉积填充所述核心沟槽并用作所述终止沟槽的侧壁和底部的内衬的第一氧化物。可将第一多晶硅沉积到所述终止沟槽中。可将第二氧化物沉积在所述第...

本发明描述了用于制造超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的方法。超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优...

用于衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。按照第一方法实施例，获取第一导电类型的硅晶圆。在该硅晶圆的正面上生长第一导电类型的外延层。对该外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域。重复上述生长和注入，以形成一个该相反的导电类型的垂直...

在一种超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件中，超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂物的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地位于p型掺杂...

本发明公开一种用于制造二极管的方法。在一个实施例中，该方法包括：在碳化硅（ＳｉＣ）的外延层上形成肖特基接触，以及使该肖特基接触在３００℃到７００℃范围内的温度下退火。该肖特基接触由钼层形成。

一种超短沟道混合功率场效应晶体管（ＦＥＴ）器件，其使电流从体硅流出而没有ＮＰＮ寄生。该器件包括ＪＦＥＴ部件、与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第一累积ＭＯＳＦＥＴ、和在沟槽底端与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第二累积ＭＯＳＦＥＴ，或者具有连接了源极的隔离...

本发明提供一种自修复场效应晶体管（ＦＥＴ）器件，根据一个实施例，其包括多个ＦＥＴ单元，每个ＦＥＴ单元都具有一个熔断体。在相应的单元中，这些熔断体适于在高电流事件期间熔断。