本申请涉及一种沟槽MOS器件，包括衬底和外延层，外延层上设置有多个多晶硅栅极且多个多晶硅栅极嵌入外延层设置，多晶硅栅极的底部和侧面设置有栅氧化层，外延层上垂直注入P型轻掺杂离子形成有P型体区，外延层上垂直注入N型重掺杂离子形成有高浓度N...

本申请涉及一种提高响应速度的VDMOS器件及其制造方法，VDMOS器件包括第一金属层、N+衬底层和N‑外延层，N‑外延层上设置有分压场环，分压场环内的有源区设置有多个P型体区且多个P型体区互不连接，多个P型体区上侧设置有栅氧化层，栅氧化...