一种用于形成含硅膜的组合物可用于在至少600℃的高温下有效地形成含硅膜，所述组合物包含由化学式1表示的硅前体化合物，所述含硅膜包括含硅氧化物膜或含硅复合金属氧化物膜，其中含硅膜可以被控制为具有所需的厚度和组分，并且即使在具有复杂形状的衬...

本发明涉及包含含有第四族金属元素的前体化合物的膜沉积组合物及使用其形成膜的方法。使用本发明的包含含有第四族金属元素的前体化合物的膜沉积组合物在从低温至高温的宽的温度范围内实现了ALD的自限制膜生长，使得在不同的工艺温度下能够形成用于不同...

本发明涉及一种钌前体组合物、其制备方法以及使用其形成含钌膜的方法。根据本发明的实施方案，包括使由化学式4表示的化合物与由化学式5表示的碱金属碳酸盐和1,5‑己二烯在有机溶剂中进行反应的步骤，并通过将由化学式1表示的化合物、由化学式2表示...

本发明涉及一种钼前体化合物、包含其的用于形成含钼膜的组合物、通过使用其形成的含钼膜以及用于沉积含钼膜的方法。所述钼前体化合物具有单一的结构和高纯度，因此可以形成高品质的含钼膜，并且具有优异的热稳定性和低比电阻，因此可以在半导体领域中具有...

本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物、以及利用所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的含第Ⅳ族金属元素膜的形成方法。具有如下优点：能够通过使用本申请的...

本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物、以及利用所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的含第Ⅳ族金属元素膜的形成方法。具有如下优点：能够通过使用本申请的...

本发明涉及一种硅前体化合物、其制备方法、包含其的含硅膜形成组合物、以及一种通过使用含硅膜形成组合物来形成含硅膜的方法。含硅膜形成组合物包含具有特定结构的硅前体化合物，使得可通过原子层沉积(ALD)将含硅膜的厚度控制得非常薄，并且当通过将...

本发明涉及一种包含含有第四族金属元素的前体化合物的膜沉积组合物，以及一种使用该组合物形成含有第四族金属元素的膜的方法。使用本发明的包含含有第四族金属元素的前体化合物的膜沉积组合物在从低温至高温的宽的温度范围内实现了ALD的自限制膜生长，...

本发明涉及一种用于形成含硅膜的方法，以及由此形成的含硅膜。本发明的用于形成含硅膜的方法可以使用包含具有特定结构的硅前体化合物的用于形成含硅膜的组合物在600℃或更高的高温下有效地形成包括含硅氧化物膜或含硅复合金属氧化物膜的含硅膜，控制含...

本发明涉及：一种硅前体化合物；一种用于形成含硅膜的组合物，其中所述组合物包含化合物；以及一种通过使用用于形成含硅膜的组合物来形成含硅膜的方法。用于形成含硅膜的组合物包含具有特定结构的硅前体化合物，因此可以在150℃至850℃的宽温度范围...

本申请涉及铪前体化合物、包含该铪前体化合物的用于形成含铪膜的前体组合物以及使用该前体组合物来形成含铪膜的方法。该前体组合物来形成含铪膜的方法。该前体组合物来形成含铪膜的方法。

本申请涉及上表面改性剂、包含该上表面改性剂的上表面改性剂组合物以及使用该上表面改性剂组合物的成膜方法。改性剂组合物的成膜方法。改性剂组合物的成膜方法。

本申请涉及热稳定性高的用于形成膜的钌前体化合物、包含该钌前体化合物的用于形成膜的前体组合物以及使用该用于形成膜的前体组合物来形成含钌膜的方法。合物来形成含钌膜的方法。合物来形成含钌膜的方法。

本申请涉及铝化合物、包含该铝化合物的用于形成含铝膜的前体组合物、以及使用该用于形成含铝膜的前体组合物来形成含铝膜的方法。成含铝膜的前体组合物来形成含铝膜的方法。成含铝膜的前体组合物来形成含铝膜的方法。

本发明涉及一种硅前体化合物、所述硅前体化合物的制造方法、包含所述硅前体化合物的用于形成含硅膜的前体组合物、以及利用所述前体组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。

本申请涉及钇/镧系金属前体化合物、包含所述钇/镧系金属前体化合物的用于沉积含钇/镧系金属的膜的前体组合物、以及使用所述前体组合物沉积含钇/镧系金属的膜的方法。组合物沉积含钇/镧系金属的膜的方法。组合物沉积含钇/镧系金属的膜的方法。

本申请是硅前体化合物、制备该硅前体化合物的方法、包含该硅前体化合物的用于沉积含硅氧化物薄膜或氮化物薄膜的前体组合物以及使用该前体组合物来沉积含硅氧化物薄膜或氮化物薄膜的方法。

本公开涉及一种新型含铝化合物、制备该含铝化合物的方法、包含含铝前体化合物的用于形成膜的前体组合物、以及使用用于形成膜的前体组合物形成含铝膜的方法。

本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的制备方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜形成用前体组合物、以及利用所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的含第Ⅳ族金属元素膜的形成方法。具有如下优点：能够通过使用本申请的...

本发明涉及：一种新的第五主族金属化合物；第五主族金属化合物的制备方法；含有第五主族金属化合物的含第五主族金属的膜沉积前体组合物；和使用该含第五主族金属膜沉积前体组合物的含第五主族金属的膜沉积方法。