硅前体化合物、包含该硅前体化合物的用于形成含硅膜的组合物以及用于形成含硅膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种硅前体化合物、所述硅前体化合物的制造方法、包含所述硅前体化合物的用于形成含硅膜的前体组合物、以及利用所述前体组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。组合物的含硅膜的形成方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅前体化合物、包含该硅前体化合物的用于形成含硅膜的组合物以及用于形成含硅膜的方法


[0001]本申请涉及一种硅前体化合物、所述硅前体化合物的制造方法、包含所述硅前体化合物的用于形成含硅膜的前体组合物、以及利用所述前体组合物的含硅膜的形成方法。

技术介绍

[0002]含硅膜，例如硅(silicon)氧化膜(oxide)、氮化膜(nitride)、氧氮化膜(oxynitride)以及碳氮化膜不仅是用于驱动半导体(DRAM、Flash Memory、ReRAM、PCRAM等)所必不可少的薄膜，而且也是用于驱动非半导体(Logic)之类的微电子学元件所必不可少的薄膜之一。并且，在显示器领域中，包含氧化薄膜晶体管(Oxide Thin Film Transistor,OTFT)的平板显示器(Flat Panel Display)以及太阳能电池(Solar Cell)、有机发光元件(Organic Light Emitting Diodes,OLED)中也使用含硅膜。存储器元件中，在介电膜、栅极绝缘膜、隧穿氧化膜、间隔氧化膜、ILD&IMD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种硅前体化合物，由下述化学式1表示：[化学式1]R1R2N
‑
SiH2‑
N(SiR3R4R5)2；在所述化学式1中，R1和R2作为相互连接的取代或者非取代的C4‑
C8环型烷基，
–
NR1R2包含环型氨基，所述环型氨基包含一个以上的氮；R3、R4及R5分别相互独立地包含氢、线型或分岔型的C1‑
C4烷基、或者线型或分岔型的烯基；其中，将R3、R4及R5均为氢的情形排除在外。2.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，
–
NR1R2包含吡咯烷基、哌啶基、2,6
‑
二甲基哌啶基、4
‑
甲基哌嗪基、或者莫菲林基。3.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，
‑
SiR3R4R5包含
–
SiHMe2、
‑
SiHMeEt、
‑
SiHMe(
n
Pr)、
‑
SiHMe(
iso
Pr)、
‑
SiHEt2、
‑
SiHEt(
n
Pr)、
‑
SiHEt(
iso
Pr)、
‑
SiH(
n
Pr)2、
‑
SiH(
n
Pr)(
iso
Pr)、或者
‑
SiH(
iso
Pr)2。4.根据权利要求1所述的硅前体化合物，其中，所述硅前体化合物包含下述化合物：合物，其中，所述硅前体化合物包含下述化合物：或者5.一种用于形成含硅膜的前体组合物，包括：根据权利要求1至4中的任一项所述的硅前体化合物。6.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，所述硅前体化合物包括从下述化合物中选择的一种以上的化合物：
以及7.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，所述膜是从含硅氧化膜、含硅氮化膜及含硅碳化膜中选择的一种以上的膜。8.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，还包括：一个以上的氮源，所述氮源从氨气、氮气、肼、以及二甲基肼中选择。9.根据权利要求5所述的用于形成含硅膜的前体组合物，其中，还包括：一个以上的氧源，所述氧源从水蒸气、氧气、以及臭氧中选择。10.一种用于形成含硅膜的方法，利用膜形成用前体组合物而形成含硅膜，所述膜形成用前体组合物包含由下述化学式1表示的硅前体化合物，[化学式1]R1R2N
‑
SiH2‑
N(SiR3R4R5)2；在所述化学式1中，R1和R2作为相互连接的取代或者非取代的C4‑
C8环型烷基，
–
NR1R2包含环型氨基，所述环型氨基包含一个以上的氮；R3、R4及R5分别相互独立地包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇植，金炳官，崔晙焕，刘多顺，
申请(专利权)人：UP化学株式会社，
类型：发明
国别省市：