本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

本发明涉及一种由R3Al·L表示的铝化合物、包括该铝化合物的含铝膜组合物以及利用了该铝化合物的含铝膜形成方法，其中，各个R分别独立地包括直链或支链C3‑8烷基；L包括选自由直链或环状醚和直链或环状胺所组成的组中的物质，并且提供一种通过增...

本发明涉及新型钌化合物、所述钌化合物的制备方法、包含所述钌化合物的用于沉积含钌膜的前体组合物以及利用所述前体组合物的含钌膜沉积方法。

提供了液体前体组合物、制备液体前体组合物的方法、和例如在气相沉积工艺(例如CVD和ALD)中使用该液体前体组合物形成层的方法。在一些实施方式中，液体前体组合物包含式M(DAD)2的金属化合物，其中M为Co或Ni，且DAD是二氮杂二烯配体。

本发明公开涉及使用钨化合物沉积含钨膜的方法和用于沉积含钨膜的包含钨化合物的前体组合物。

本发明涉及一种使用由SinCl2n+2(其中n是从约3至约10的整数)表示的氯硅烷化合物形成含硅薄膜的方法，特别在约560℃或以下的低温下，使用氨气通过原子层沉积法在包括凸起或具有高深宽比的凹陷的表面上可以形成具有均匀厚度的高品质碳氮化...

本发明涉及通过化学气相沉积或原子层沉积形成的氧化铟膜、或涉及含铟氧化膜，以及涉及形成该膜的方法。通过化学气相沉积或原子层沉积，其中使用在室温下为液体的铟材料，可以在具有大面积的衬底上形成含铟氧化膜，特别是可以在用于制造显示器的衬底上形成...

本发明涉及一种基于二氮杂二烯（DAD）的金属化合物、及其生产方法和使用其形成薄膜的方法。提供气体状态的本发明的基于二氮杂二烯（DAD）的金属化合物，以通过化学气相沉积或原子层沉积制成金属薄膜或金属氧化物薄膜。特别地，本发明的基于二氮杂二...