提供能够在抗蚀剂膜上高精度地形成微细的抗蚀剂图案的光掩模坯、其光掩模的制造方法以及通过该方法制造的光掩模。本实施方式涉及的光掩模坯(100)是用于制作适用于波长200nm以下的曝光光的相移掩模(200)的光掩模坯，依次具备透光性基板(1...

本公开的目的在于提供最大限度地活用相移效应、且具有高转印性(特别是分辨率)的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模坯(100)的特征在于，具备：基板(11)；形成在基板(11)上的具有多层膜结构的反射EUV光...

本发明提供抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应、并且具有氢自由基耐性的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备基板(1)、反射部(5)以及低反射部(4)，反...

本公开的目的在于提供能够降低投影效应的反射型光掩模以及反射型光掩模的制造方法。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模(100)的特征在于，具备：基板(11)、形成在基板(11)上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射层(12)、形成在反射层(...

提供抑制相移膜表面的雾度的产生、并且通过减少清洗时的膜剥离和修正蚀刻时产生的修正部剖面的段差来提高转印性能的相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模坯(10)是用于制作适用于波长为200nm以下的曝光光的相移...

提供能够充分地抑制相移膜表面(相位掩模上)的雾度的产生的相移掩模坯、雾度缺陷少的相移掩模以及该相移掩模的制造方法，并且提供该相移掩模的利用电子束修正蚀刻的修正方法。本实施方式涉及的相移掩模坯(10)是用于制作适用于波长为200nm以下的...

提供微小图案相对于检查光的对比度高、并且能够将EUV曝光中的投影效应抑制到最小限度的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备基板(11)、反射部(17)、以及低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸...

提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(...

本发明提供了一种反射型光掩模坯，其能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应，并且充分具有曝光时的耐热性。该反射型光掩模坯构成如下：具有基板(1)、形成在基板(1)上的包含多层膜的反射层(2)、...

本发明提供抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应、并且封盖层与低反射部的层间密合性高的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(5)以及低反射部...

本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第...

本发明的目的在于提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。本实施方式涉及的反射型掩模(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射膜(12)、形成在反射膜...

提供能够充分地抑制掩模上的雾度的产生的相移掩模坯、雾度缺陷少的相移掩模以及该相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模坯(10)是用于制作适用于波长为200nm以下的曝光光的相移掩模的相移掩模坯，具备基板(11)和形成在基板(11)上...

提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案，从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、...

本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的...

本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8)，低反射部(8)由吸收层(4)和最表层...

本发明提供能够在提高图案分辨率、CD面内均匀性及CD线性的同时抑制硬掩模膜整体的蚀刻速率降低的掩模坯料。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有图案形成用薄膜和硬掩模膜的结构，其中，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述硬掩模膜包含下层与上层的...

本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、...

本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的...