反射型光掩模坯和反射型光掩模制造技术

本发明专利技术的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层(4)，吸收层(4)由含有合计为50原子％以上的锡(Sn)和氧(O)的材料形成，吸收层(4)中的氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过2.0，吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。45nm以下的范围内。45nm以下的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反射型光掩模坯和反射型光掩模


[0001]本专利技术涉及以紫外区域的光为光源的平版印刷中所使用的反射型光掩模和用于制作该反射型光掩模的反射型光掩模坯。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中，随着半导体器件的微细化，对于光刻技术的微细化的要求也相应提高。在光刻中，转印图案的最小分辨率尺寸很大地依赖于曝光光源的波长，波长越短，最小分辨率尺寸就越小。因此，曝光光源从传统的波长为193nm的ArF准分子激光转换为波长为13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外线)区域的光。
[0003]由于EUV区域的光能够被几乎所有的物质以高比例吸收，因此使用反射型的光掩模作为EUV曝光用的光掩模(EUV掩模)(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中公开了一种EUV光掩模，其是这样得到的：在玻璃基板上形成由钼(Mo)层和硅(Si)层交替层叠而成的多层膜构成的反射层，在其上形成以钽(Ta)为主要成分的光吸收层，并在该光吸收层上形成图案。
[0004]另外，如上所述，EUV平版印刷不能使用利用光的透射的折射光学系统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反射型光掩模坯，其是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板、在所述基板上形成的包含多层膜的反射层、以及形成在所述反射层上的吸收层，所述吸收层由含有合计为50原子％以上的锡(Sn)和氧(O)的材料形成，所述吸收层中的氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过2.0，所述吸收层的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯，其中，所述吸收层进一步含有选自由Ta、Pt、Te、Zr、Hf、Ti、W、Si、Cr、In、Pd、Ni、F、N、C以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野秀亮，合田步美，市川显二郎，
申请(专利权)人：凸版光掩模有限公司，
类型：发明
国别省市：