【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及反射型光掩模以及反射型光掩模的制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工艺中，随着半导体器件的微细化，对于光刻技术的微细化的要求也相应提高。在光刻中，转印图案的最小显影尺寸很大地依赖于曝光光源的波长，波长越短，就越能使最小分辨率尺寸缩小。因此，前端的半导体器件的制造工艺中的曝光光源从传统的波长为193nm的arf准分子激光转换为波长13.5nm的euv(extreme ultra violet：极端紫外线)。
2、由于大部分物质对于euv具有高的光吸收性，因此不能使用传统的利用光的透射的折射光学系统，因此曝光仪的光学系统部件不是透镜而是反射镜。光掩模也从传统的透射型成为反射型的euv光掩模。由于不能将朝向euv光掩模的入射光和反射光设计在同轴上，因此在euv光刻中通常采用下述方法：使光轴从euv光掩模的垂直方向倾斜6度而入射euv光，并将以负6度的角度反射的反射光照射到半导体基板上。但是，由于使光轴倾斜，因此入射到euv光掩模的euv光形成euv光掩模的图案(吸收层图案)的影子，从而转印性能劣化、产生被称为投影效应(阴影效应)的问题。因此，降低阴影效应、提高转印性能成为课题。
3、针对该课题，提出了一种反射型光掩模，其通过在吸收层中使用消光系数k高的材料来抑制euv反射率，能够形成膜厚比以往薄的吸收层图案，从而降低投影效应[例如，参照专利文献1]。
4、但是，在专利文献1中，只着眼于通过材料的光学常数和膜厚来提高性能，没有考虑图案形状对转印性的影响。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：国际公开第2018/159785号
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的课题
2、本公开的目的在于提供能够降低投影效应的反射型光掩模以及反射型光掩模的制造方法。
3、用于解决课题的手段
4、为了解决上述课题，本公开的一个方式涉及的反射型光掩模的特征在于，具备：基板、形成在所述基板上且具有多层膜结构的反射euv光的反射层、形成在所述反射层上且保护该反射层的保护层、以及形成在所述保护层上且形成有图案的吸收euv光的吸收图案层，所述吸收图案层由对于euv光的消光系数k大于0.041的材料构成，所述吸收图案层的侧壁与所述基板所成的侧壁角的大小θ小于90°。
5、本专利技术的效果
6、根据本公开的一个方式涉及的反射型光掩模，能够降低投影效应。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种反射型光掩模，特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的反射型光掩模，其特征在于，
3.根据权利要求1或权利要求2所述的反射型光掩模，其特征在于，
4.根据权利要求1至权利要求3中任1项所述的反射型光掩模，其特征在于，
5.根据权利要求1至权利要求4中任1项所述的反射型光掩模，其特征在于，
6.根据权利要求1至权利要求5中任1项所述的反射型光掩模，其特征在于，
7.一种反射型光掩模的制造方法，特征在于，包括形成以下各层的工序：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种反射型光掩模，特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的反射型光掩模，其特征在于，
3.根据权利要求1或权利要求2所述的反射型光掩模，其特征在于，
4.根据权利要求1至权利要求3中任1项所述的反射型光掩模，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫胁大辅，合田步美，中野秀亮，市川显二郎，山形悠斗，
申请(专利权)人：凸版光掩模有限公司，
类型：发明
国别省市：
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