【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物。
技术介绍
1、一直以来，在半导体装置的制造中，通过使用光致抗蚀剂的光刻工艺进行微细加工。微细加工是以下的加工方法：在硅晶圆等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上隔着绘制有半导体器件图案的掩模图案照射紫外线等活性光线，并进行显影从而得到光致抗蚀剂图案，以该光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，由此在基板表面形成与图案对应的微细凹凸。
2、近年，半导体器件的高集成度化不断推进，使用的活性光线也有从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化的倾向。随着活性光线的短波长化，活性光线受到来自半导体基板反射的影响成为大问题，针对该问题一直广泛采用在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置被称为防反射膜(bottom anti-reflective coating，barc)的抗蚀剂下层膜的方法。
3、作为尖端的微细加工技术，进行了采用arf液浸光刻的双重图案化的10nm制程的器件量产。作为下一代的技术，正在进行采用arf液浸光刻的双重图案化的7nm制程...
【技术保护点】
1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
2.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有碘代烷基的水解性硅烷(A)为下述式(A-1)表示的化合物，
4.根据权利要求3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(A-1)表示的化合物为下述式(A-2)表示的化合物，
5.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[C]成分含有醇系溶剂。
6.根据权利要求5所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[C]成分含有丙二醇单烷基醚。
7.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
2.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：
3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有碘代烷基的水解性硅烷(a)为下述式(a-1)表示的化合物，
4.根据权利要求3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(a-1)表示的化合物为下述式(a-2)表示的化合物，
5.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]成分含有醇系溶剂。
6.根据权利要求5所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述[c]成分含有丙二醇单烷基醚。
7.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还含有：
8.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还含有：
【专利技术属性】
技术研发人员：武田谕，加藤宏大，柴山亘，志垣修平，石桥谦，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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