相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法技术

提供能够充分地抑制掩模上的雾度的产生的相移掩模坯、雾度缺陷少的相移掩模以及该相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模坯(10)是用于制作适用于波长为200nm以下的曝光光的相移掩模的相移掩模坯，具备基板(11)和形成在基板(11)上的相移膜(14)，相移膜(14)具备：对于透射的曝光光能够分别调节预定量的相位和透射率的相位层(12)；和形成在相位层(12)上、阻止气体向相位层(12)透过的保护层(13)，在将相位层(12)的膜厚设为d1并将保护层(13)的膜厚设为d2时，相位层(12)的膜厚(d1)比保护层(13)的膜厚(d2)厚，保护层(13)的膜厚(d2)为15nm以下。15nm以下。15nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法


[0001]本专利技术涉及在半导体器件等的制造中使用的相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体加工中，特别是由于大规模集成电路的高度集成化，需要电路图案的微细化，对构成电路的布线图案和接触孔图案的微细化技术的要求越来越高。因此，半导体器件等的制造中使用的曝光光源从KrF准分子激光(波长248nm)向ArF准分子激光(波长193nm)短波长化发展。
[0003]另外，作为提高了晶圆转印特性的掩模，例如有相移掩模。在相移掩模中，能够调节相位差和透射率这两者，以使得透过透明基板的ArF准分子激光光与透过透明基板和相移膜这两者的ArF准分子激光光的相位差(以下，简称为“相位差”)为180度，并且相对于透过透明基板的ArF准分子激光光的光量，透过透明基板和相移膜这两者的ArF准分子激光光的光量的比率(以下，简称为“透射率”)成为6％。
[0004]例如，已知有以下方法：在制造相位差为180度的相移掩模的情况下，设定相移膜的膜厚以使相位差在177度附近，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种相移掩模坯，其为用于制作适用于波长为200nm以下的曝光光的相移掩模的相移掩模坯，其特征在于，具备透明基板和形成在所述透明基板上的相移膜，所述相移膜具备：对于透射的曝光光能够分别调节预定量的相位和透射率的相位差透射率调节层；和形成在所述相位差透射率调节层上、阻止气体向所述相位差透射率调节层透过的气体透过保护层，所述相位差透射率调节层位于所述透明基板侧，在将所述相位差透射率调节层的膜厚设为d1并将所述气体透过保护层的膜厚设为d2时，d1大于d2，d2为15nm以下。2.根据权利要求1所述的相移掩模坯，其特征在于，所述相移膜对含氧氯系蚀刻(Cl/O系)具有耐受性，并且能够利用氟系蚀刻(F系)进行蚀刻。3.根据权利要求1或权利要求2所述的相移掩模坯，其特征在于，所述相位差透射率调节层含有硅，并且含有选自过渡金属、氮、氧、以及碳中的至少1种，所述过渡金属为选自钼、钛、钒、钴、镍、锆、铌、以及铪中的至少1种。4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的相移掩模坯，其特征在于，所述气体透过保护层含有选自钽金属、钽化合物、钨金属、钨化合物、碲金属、以及碲化合物中的至少1种。5.根据权利要求4所述的相移掩模坯，其特征在于，所述钽化合物含有钽和选自氧、氮、以及碳中的至少1种。6.根据权利要求4所述的相移掩模坯，其特征在于，所述钨化合物含有钨和选自氧、氮、以及碳中的至少1种。7.根据权利要求4所述的相移掩模坯，其特征在于，所述碲化合物含有碲和选自氧、氮以及碳中的至少1种。8.一种相移掩模，其是适用于波长为200nm以下的曝光光、具备电路图案的相移掩模，其特征在于，具备透明基板和形成在所述透明基板上的相移膜，所述相移膜具备：对于透射的曝光光能够分别调节预定量的相位和透射率的相位差透射率调节层；和形成在所述相位差透射率调节层上、阻止气体向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑木恭子，松井一晃，小岛洋介，
申请(专利权)人：凸版光掩模有限公司，
类型：发明
国别省市：