反射型光掩模坯以及反射型光掩模制造技术

本发明专利技术提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧减少，第2材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧增加。第1材料群为Te、Co、Ni、Pt、Ag、Sn、In、Cu、Zn、Bi、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物，第2材料群为Ta、Cr、Al、Si、Ru、Mo、Zr、Ti、Zn、In、V、Hf、Nb、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物。氮化物及氧氮化物。氮化物及氧氮化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反射型光掩模坯以及反射型光掩模


[0001]本专利技术涉及在以紫外区域的光作为光源的光刻中使用的反射型光掩模以及用于制作该反射型光掩模的反射型光掩模坯。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中，随着半导体器件的微细化，对于光刻技术的微细化的要求也相应提高。在光刻中，转印图案的最小分辨率尺寸很大地依赖于曝光光源的波长，波长越短，就越能使最小分辨率尺寸缩小。因此，曝光光源从传统的波长为193nm的ArF准分子激光转换为波长13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外线)区域的光。
[0003]由于EUV区域的光在几乎所有的物质中都以高比例被吸收，因此作为EUV曝光用的光掩模(EUV掩模)，使用反射型的光掩模(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中公开了一种EUV光掩模，其是这样得到的：在玻璃基板上形成由钼(Mo)层和硅(Si)层交替层叠而成的多层膜构成的反射层，在其上形成以钽(Ta)为主要成分的光吸收层，并在该光吸收层上形成图案。
[0004]另外，如前所述，EUV光刻不能使用利用了光的透射的折射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反射型光掩模坯，其是用于制作以极端紫外线作为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具备：基板、形成在所述基板上且反射入射光的反射部、以及形成在所述反射部上且吸收入射光的低反射部，所述低反射部是包含选自第1材料群中的至少1种以上的材料和选自与所述第1材料群不同的第2材料群中的至少1种以上的材料的层，选自所述第1材料群中的至少1种以上的材料的含量从所述基板侧向所述低反射部的最表面侧减少，选自所述第2材料群中的至少1种以上的材料的含量从所述基板侧向所述低反射部的最表面侧增加，所述第1材料群为碲(Te)、钴(Co)、镍(Ni)、铂(Pt)、银(Ag)、锡(Sn)、铟(In)、铜(Cu)、锌(Zn)、铋(Bi)、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物，所述第2材料群为钽(Ta)、铬(Cr)、铝(Al)、硅(Si)、钌(Ru)、钼(Mo)、锆(Zr)、钛(Ti)、锌(Zn)、铟(In)、钒(V)、铪(Hf)、铌(Nb)、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物。2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯，其中，所述低反射部是这样的结构体：即使在被分割成多层的情况下，所述低反射部整体的合计膜厚也至少为33nm以上，并且以所述低反射部整体计合计包含20原子％以上的选自所述第1材料群中的至少1种以上的材料。3.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯，其中，所述低反射部是这样的结构体：即使在被分割成多层的情况下，所述低反射部整体的合计膜厚也至少为26nm以上，并且以所述低反射部整体计合计包含55原子％以上的选自所述第1材料群中的至少1种以上的材料。4.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯，其中，所述低反射部是这样的结构体：即使在被分割成多层的情况下，所述低反射部整体的合计膜厚也至少为17...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井一晃，合田步美，
申请(专利权)人：凸版光掩模有限公司，
类型：发明
国别省市：