掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成中通常需要使用多片被称为转印用掩模的基板。对半导体器件的图案进行微细化时，除了形成于转印用掩模的掩模图案的微细化以外，还需要使光刻中使用的曝光光源的波长短波长化。作为半导体装置制造时的曝光光源，近年来，正在由KrF准分子激光(波长248nm)向ArF准分子激光(波长193nm)而进行短波长化。
[0003]作为转印用掩模的种类，除了现有的在透光性基板上具备包含铬类材料的遮光图案的二元掩模以外，已知有半色调型的相移掩模。该半色调型的相移掩模由使实质上有助于曝光的强度的光透过的部分(透光部)和使实质上对曝光没有贡献的强度的光透过的部分(半透光部)构成形成在透明基板上的掩模图案，并且使从该半透光部通过的光的相位发生位移，从半透光部透过后的光的相位与从上述透光部透过后的光的相位成为实质上反转的关系，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种掩模坯料，其具有以下结构：在基板的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜、第1硬掩模膜、第2硬掩模膜，所述图案形成用薄膜含有过渡金属，所述第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，所述第2硬掩模膜含有过渡金属，所述第2硬掩模膜的过渡金属的含量比所述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，所述主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有所述图案形成用薄膜的区域小，所述第2硬掩模膜与所述图案形成用薄膜至少部分地相接。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第2硬掩模膜的氧及氮的合计含量比所述图案形成用薄膜的氧及氮的合计含量多。3.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述主表面上的形成有第2硬掩模膜的区域比形成有所述第1硬掩模膜的区域大。4.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述图案形成用薄膜的过渡金属的含量与所述第2硬掩模膜的过渡金属的含量之差为10原子％以上。5.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第2硬掩模膜的氧及氮的合计含量为30原子％以上。6.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第2硬掩模膜的膜厚为5nm以下。7.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第1硬掩模膜的氧及氮的合计含量为50原子％以上。8.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第1硬掩模膜的氧含量为50原子％以上。9.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述第1硬掩模膜的膜厚为7nm以上。10.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述图案形成用薄膜的膜厚为60nm以下。11.根据权利要求1～10中任一项所述的掩模坯料，其中，所述图案形成用薄膜为遮光膜，在所述基板与所述遮光膜之间具备相移膜。12.根据权利要求11所述的掩模坯料，其中，所述相移膜含有硅。13.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍户博明，野泽顺，
申请(专利权)人：豪雅株式会社，
类型：发明
国别省市：