空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法技术

本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面包括将上述遮光膜表面横纵三等分切割而形成的九个区域。遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值，上述Rsk值的平均值为

【技术实现步骤摘要】
空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法


[0001]本实施方式涉及空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]由于半导体装置等的高集成化，需要半导体装置的电路图案的微细化。由此，进一步强调作为使用光掩模在晶圆表面上显影电路图案的技术的光刻技术的重要性。
[0003]为了显影微细化的电路图案，需要在曝光工艺中使用的曝光光源的短波长化。最近使用的曝光光源包括ArF准分子激光器(波长193nm)等。
[0004]另一方面，光掩模包括二元掩模(Binary mask)、相移掩模(Phase shift mask)等。
[0005]二元掩模具有在透光基板上形成遮光层图案的结构。二元掩模，在形成有图案的一面，通过不包括遮光层的透射部使曝光光线透射，并通过包括遮光层的遮光部阻挡曝光光线，从而在晶圆表面的抗蚀剂膜上对图案进行曝光。然而，在二元掩模中，随着图案越微细化，由于在曝光工序中在透射部的边缘处产生的光的衍射，微细图案显影可能会出现问题。
[0006]相移掩模包括利文森型(Levenson type)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空白掩模，其特征在于，包括：透光基板，以及遮光膜，位于上述透光基板上；上述遮光膜含有氧和氮中的至少一种以及过渡金属，上述遮光膜表面包括九个区域，由将上述遮光膜表面横纵三等分切割而成，上述遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值，上述Rsk值的平均值为
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0.64以上且0以下，上述遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rku值，上述Rku值的平均值为3以下。2.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述Rsk值的标准偏差值为0.6以下。3.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述Rku值的标准偏差值为0.9以下。4.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述Rku值的最大值与最小值的差值为2.2以下。5.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述Rku值的最大值为4.6以下。6.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述Rsk值的最大值与最小值的差值为1.7以下。7.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，当从截面观察上述遮光膜时，上述遮光膜的截面，包括：第一边缘，作为一末端，以及第二边缘，作为另一末端；当从截面观察上述遮光膜时，在上述遮光膜截面的中央部测量的上述遮光膜厚度为Hc，在上述第一边缘测量的上述遮光膜厚度为H1，在上述第二边缘测量的上述遮光膜厚度为H2，上述遮光膜的|Hc
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H1|值和|Hc
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H2|值中的大的值小于上述|Hc
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H1|值是从Hc值减去H1值的绝对值，上述|Hc
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H2|值是从Hc值减去H2值的绝对值。8.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乾坤，崔石荣，李亨周，金修衒，孙晟熏，金星润，郑珉交，曹河铉，金泰完，申仁均，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：